Оптопара PC817С DIP4 корпус

Name: Оптопара PC817С DIP4 корпус
Brand: Мій Проект
SKU: 5412
Price: 3.00 UAH
Availability: InStock

Страна-производитель: Китай Код товара: 5412

Все о товаре

Описание

Характеристики

Отзывы 0

Вопросы0

Есть в наличии

Код товара: 5412

3.00 грн

Нашли дешевле?

Рабочее напряжение:4.5 - 20 В

Рабочий ток:0.5 - 20 мА

Способ монтажа:DIP

Тип корпуса:DIP4

Доставка

Новой почтой в отделения и почтоматы

от 80 ₴

ROZETKA Delivery

Фиксировано 49 грн

Укрпочтой в отделение по Украине

от 45 ₴

Meest Express

от 60 ₴

Оплата

Оплата картой

Перевод на карточку

Оплата на IBAN

Безналичный расчет

Наложенный платеж

Гарантийные положения

Гарантийные обязательства на товары, которые были паяные, не распространяются

Оптопара PC817С DIP4 корпус

Код товара: 5412

3.00 грн

Описание

Оптопара PC817C DIP4

Фототранзисторная оптопара общего назначения с гальванической изоляцией 5 kV(rms) в корпусе DIP‑4. Версия с рангом чувствительности C (≈200–400% CTR) обеспечивает уверенное управление при малых токах управления.

Основные преимущества

Высокая изоляция

Изоляционное напряжение между входом и выходом 5.0 kV(rms) в течение 1 минуты для надежной развязки цепей.

Широкий CTR ранга C

Класс C соответствует коэффициенту передачи тока около 200–400% при IF=5 мА, VCE=5 В (IC 10–20 мА).

Повышенное напряжение на выходе

Минимальное напряжение пробоя коллектор‑эмиттер 80 В обеспечивает дополнительный запас по напряжению в выходной цепи.

Стабильные динамические параметры

Типовые времена переключения tr/tf 4/3 мкс и граничная частота около 80 кГц для быстрых цифровых сигналов.

Ключевые характеристики

Тип выхода:	Фототранзистор, 1 канал
Ранг чувствительности:	CTR ранг C (≈200–400% при IF=5 мА, VCE=5 В)
Изоляционное напряжение:	5.0 kV(rms), AC 1 мин (40–60% RH)
VCEO (мин.):	80 В
VECO (мин.):	6 В
IC (макс.):	50 мА
IF (макс.):	50 мА
IFM (пиковый):	1 А (≤100 мкс, duty 0.001)
VR (макс.):	6 В
VF (тип./макс.):	1.2 В / 1.4 В @ IF=20 мА
VCE(sat) (макс.):	0.2 В @ IF=20 мА, IC=1 мА
ICEO (макс.):	100 нА @ VCE=50 В
Граничная частота fc (тип.):	80 кГц
Время нарастания/спада (тип.):	4 мкс / 3 мкс (RL=100 Ω, VCE=2 В, IC=2 мА)
Мощность (вход/выход/общая):	70 мВт / 150 мВт / 200 мВт
Диапазон рабочих температур:	−30…+100 °C
Корпус:	DIP‑4 (Through‑Hole)
Распиновка выводов:	1 — Анод; 2 — Катод; 3 — Эмиттер; 4 — Коллектор

Детальные технические параметры

Серия: PC817X; классы CTR A/B/C/D. Для ранга C: IC=10–20 мА при IF=5 мА, VCE=5 В (≈200–400% CTR).
Электро‑оптические (Ta=25 °C): VF тип. 1.2 В @ IF=20 мА; IR макс. 10 мкА @ VR=4 В.
Темновой ток: ICEO макс. 100 нА @ VCE=50 В, IF=0.
Изоляционное сопротивление: RISO ≥ 5×10¹⁰ Ω (тип. 1×10¹¹ Ω) @ 500 В DC; межобмоточная емкость Cf тип. 0.6 пФ, макс. 1.0 пФ.
Динамические параметры: tr тип. 4 мкс; tf тип. 3 мкс; fc тип. 80 кГц.
Абсолютные максимальные: IF 50 мА; IFM 1 А (≤100 мкс, duty 0.001); VR 6 В; VCEO 80 В; VECO 6 В; IC 50 мА; P(in)=70 мВт; PC=150 мВт; Ptot=200 мВт; Viso 5.0 kV(rms); Tsol 260 °C/10 с.
Масса изделия (справочно): ≈0.21 г (DIP‑4).

Примечание: параметры основаны на документации Sharp для PC817X (ранг C соответствует PC817C). Источник: Sharp Datasheet (PDF).

Основные области применения

Гальваническая развязка входов/выходов микроконтроллеров.
Подавление помех в коммутационных цепях.
Передача сигналов между цепями с разными потенциалами и импедансами.

Совместимые обозначения и альтернативы

Другие CTR‑ранги той же серии в том же корпусе DIP‑4: PC817A (≈80–160%), PC817B (≈130–260%), PC817D (≈300–600%). Выберите ранг в зависимости от требуемого диапазона CTR.

Вопросы‑ответы (FAQ)

Чем PC817C отличается от других рангов серии?

Ранг C имеет более высокую чувствительность: при IF=5 мА и VCE=5 В ток коллектора составляет 10–20 мА (≈200–400% CTR). Ранги A/B/D имеют соответственно более низкие или более высокие диапазоны CTR.

Какие предельные режимы для входного светодиода?

Непрерывный IF до 50 мА; пиковый IFM до 1 А при длительности импульса ≤100 мкс и duty 0.001; обратное напряжение диода до 6 В.

Какие быстродействие и допустимое напряжение на выходе?

Типовые времена переключения tr≈4 мкс и tf≈3 мкс; граничная частота около 80 кГц. Минимальное напряжение пробоя коллектор‑эмиттер составляет 80 В.

Характеристики

Основные

Рабочее напряжение

4.5 - 20 В

Рабочий ток

0.5 - 20 мА

Способ монтажа

DIP