Польовий MOSFET транзистор IRF1310 N-канальний 100В 42А (корпус TO-220)

Name: Польовий MOSFET транзистор IRF1310 N-канальний 100В 42А (корпус TO-220)
Brand: Мій Проект
SKU: 5583
Price: 34.00 UAH
Availability: InStock

Країна-виробник: Китай Код товару: 5583

Все про товар

Опис

Характеристики

Відгуки 0

Питання0

Польовий MOSFET транзистор IRF1310 N-канальний 100В 42А (корпус TO-220)

В наявності

Код товару: 5583

34.00 грн

Знайшли дешевше?

Максимальна розсіювана потужність:160 Вт

Полярність:N-канал

-Максимальна напруга через транзистор-:100 В

-Тип корпусу-:TO-220AB

-Максимальний струм-:42 А

-Опір-:0.036 Ом

-Тип транзистора-:MOSFET (польовий)

Доставка

Новою Поштою у відділення та поштомати

від 80 ₴

ROZETKA Delivery

Фіксована 49грн

Укрпоштою у відділення по Україні

від 45 ₴

Meest Пошта

від 49 ₴

Оплата

Оплата карткою

Переказ на картку

Оплата на IBAN

Безготівковий розрахунок

Післяплата

Гарантійні положення

Гарантійні зобов'язання на товари, які були паяні, не поширюються

Польовий MOSFET транзистор IRF1310 N-канальний 100В 42А (корпус TO-220)

Код товару: 5583

34.00 грн

Опис

🏷️ MOSFET транзистор

MOSFET IRF1310 N‑канальний (TO‑220)

Силовий ключ для комутації та PWM‑керування DC‑навантаженнями

⚡ Швидкий огляд

Модель: IRF1310
Тип транзистора: MOSFET (польовий)
Канал: N‑канальний
Максимальна напруга: 100 В
Максимальний струм: 42 А
Корпус: TO‑220
Монтаж: вивідний (через отвори, THT)

📖 Загальний опис

IRF1310 — це N‑канальний польовий транзистор (MOSFET), який працює як електронний ключ: дозволяє вмикати та вимикати живлення навантаження за керуючим сигналом на затворі.

Такі MOSFET часто використовують у DC‑схемах, де потрібно надійно комутувати струм або керувати потужністю через PWM (ШІМ) — наприклад, для регулювання яскравості світлодіодів чи швидкості двигуна.

Корпус TO‑220 зручний для монтажу на плату та за потреби дає можливість встановлення на радіатор для відведення тепла під час роботи у силових режимах.

Модуль підходить для DIY‑електроніки, ремонту та складання силових вузлів, де важлива проста інтеграція з контролерами, драйверами та дискретними компонентами.

✅ Технічні переваги

Зручний силовий формат

Корпус TO‑220 розрахований на роботу зі значними потужностями та спрощує інтеграцію у силові плати: компонент легко впаювати, а також можна організувати тепловідвід через радіатор.

MOSFET як «електронний ключ»

Керування затвором дозволяє комутувати навантаження без механіки — це зручно для автоматизації, частих циклів вмикання/вимикання та реалізації PWM‑регулювання.

N‑канальна топологія

N‑канальні MOSFET часто застосовують у low‑side комутації (по «землі»), де простіше організувати керування та зручно підключати навантаження у DC‑ланцюгах.

Підходить для силових вузлів

Модель орієнтована на роботу у силових схемах: комутація живлення, захист/відсічення навантаження, вузли перетворювачів та драйверів — за умови коректного підбору режимів і охолодження.

Просте масштабування рішення

У проєктах можна підсилювати вузол не лише транзистором, а й «обв’язкою»: додати драйвер затвора, снаббер, запобіжник, датчик струму — зберігаючи загальну логіку керування.

🔧 Де застосовується

PWM‑керування двигунами

Регулювання швидкості DC‑двигунів у робототехніці, моделізмі, вентиляторах та приводах (за правильної схеми та захисту).

Світлодіодні навантаження

Керування LED‑стрічками, потужними світлодіодними лінійками та іншими DC‑каналами підсвітки через ШІМ.

Комутація силових навантажень

Вмикання/вимикання насосів, нагрівачів, ламп, модулів живлення та інших DC‑пристроїв з електронним керуванням.

Індуктивні котушки та соленоїди

Керування реле‑котушками, соленоїдами, клапанами — з обов’язковим використанням зворотного діода/TVS для гасіння імпульсів.

DIY та ремонт електроніки

Заміна силових ключів у пристроях та складання прототипів: драйвери, перетворювачі, силові модулі та навчальні стенди.

🧩 Швидкий старт

Перевірте розпіновку

Перед монтажем звірте розташування виводів Gate (G), Drain (D), Source (S) у даташиті IRF1310 (для TO‑220 таб/пластина часто електрично пов’язані зі стоком).

Зберіть базову low‑side схему

Типовий варіант: S на GND, D до «мінуса» навантаження, «плюс» навантаження — на +V джерела. Це найпростіший спосіб керувати DC‑ланцюгом.

Додайте обв’язку затвора

Поставте резистор у розрив керування затвором (типово 10–100 Ω) для зменшення дзвону та перешкод, а також підтягування Gate→GND (наприклад 50–200 кΩ), щоб транзистор гарантовано був закритий при старті.

Захистіть індуктивне навантаження

Для двигунів, реле, соленоїдів обов’язково поставте flyback‑діод паралельно навантаженню (у зворотній полярності) або використайте TVS‑діод — це захистить MOSFET від перенапруг при вимиканні.

Перевірте керування та нагрів

Запускайте з малого навантаження, контролюйте температуру корпусу, а для PWM підберіть частоту та драйвер/рівні керування згідно даташиту (важливі Vgs, Qg та втрати на перемикання).

⚠️ Важливо знати / Нюанси

Тепловий режим вирішує все

У силових режимах MOSFET може суттєво нагріватися через провідникові та комутаційні втрати. Плануйте радіатор/тепловідвід, адекватну мідь на платі та контроль температури.

Обережно з табом TO‑220

Металева пластина (tab) у TO‑220 часто має електричний потенціал (залежить від моделі/внутрішньої структури). Якщо кріпите на радіатор або шасі — перевірте, чи потрібна ізолююча прокладка та втулка.

ESD та «плаваючий» затвор

Затвор MOSFET чутливий до статики. Використовуйте підтягування Gate‑Source, не залишайте затвор «у повітрі», і за можливості торкайтесь компонента після розрядження (антистатичні правила).

Індуктивні навантаження без захисту — ризик

Без flyback‑діода/TVS при вимиканні котушок з’являються імпульси, які можуть пробити транзистор. Додайте також короткі силові петлі, правильну «землю» та за потреби RC‑снаббер.

Не працюйте «в лінійному режимі» без розрахунку

MOSFET найефективніший як ключ (відкрито/закрито). Якщо тримати його частково відкритим (регулювання напругою без PWM), розсіювання різко зростає — перевіряйте SOA та тепловий запас.

❓ Часті запитання

Чи можна керувати IRF1310 напряму з Arduino/ESP?

Можна, але важливо перевірити вимоги до напруги керування затвором у даташиті. Vgs(th) не означає «повністю відкритий» транзистор; для силових струмів часто потрібен драйвер затвора або вищий рівень керування, щоб зменшити нагрів.

Чи потрібен радіатор у TO‑220?

Залежить від втрат і режиму роботи (струм, частота PWM, тривалість навантаження). Якщо корпус помітно нагрівається — закладайте тепловідвід (радіатор, термопрокладка/паста, більша мідь на платі).

Чи можна замінити інший MOSFET на IRF1310?

Так, якщо збігаються або не гірші ключові параметри: допустимі напруга/струм, Rds(on), Vgs(max), теплові характеристики, розпіновка та тип корпусу. Найкраще порівнювати даташити «пара в пару».

Чому MOSFET гріється навіть коли «все підключено правильно»?

Типові причини: недостатня напруга/струм керування затвором (транзистор не повністю відкритий), завелика частота PWM без драйвера, відсутність захисту індуктивності, погана силова розводка або недостатній тепловідвід.

Це оригінальний IRF чи аналог?

Виробник ТАЙВАНЬ. Назва IRF1310 визначає електричний тип і сумісність за даташитом, але конкретний виробник може відрізнятися залежно від партії. Якщо для вашого проєкту критичні динамічні параметри (Qg, швидкість, тепловий опір) — орієнтуйтеся на даташит виробника компонента з маркування на корпусі.

🏷️ Теги

#IRF1310 #MOSFET #Nканальний #TO220 #силовийтранзистор #електроннийключ #PWM #драйверзатвора #DCдвигун #LEDстрічка

Характеристики

Основні

Максимальна розсіювана потужність

160 Вт

Полярність

N-канал

-Основні-

-Максимальна напруга через транзистор-

100 В

-Максимальний струм-

42 А

-Опір-

0.036 Ом

-Додаткові-

-Тип корпусу-

TO-220AB

-Тип транзистора-

MOSFET (польовий)

Відгуки

Відгуків про цей товар ще не було.

Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.

Питання та відповіді

Додайте питання, і ми відповімо найближчим часом.

Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.