Полевой MOSFET транзистор IRF1310 N-канальный 100В 42А (корпус TO-220)

Name: Полевой MOSFET транзистор IRF1310 N-канальный 100В 42А (корпус TO-220)
Brand: Мій Проект
SKU: 5583
Price: 34.00 UAH
Availability: InStock

Страна-производитель: Китай Код товара: 5583

Все о товаре

Описание

Характеристики

Отзывы 0

Вопросы0

Полевой MOSFET транзистор IRF1310 N-канальный 100В 42А (корпус TO-220)

Есть в наличии

Код товара: 5583

34.00 грн

Нашли дешевле?

Максимальная рассеиваемая мощность:160 Вт

Полярность:N-канал

-Максимальное напряжение через транзистор-:100 В

-Тип корпуса-:TO-220AB

-Максимальный ток-:42 А

-Сопротивление-:0.036 Ом

-Тип транзистора-:MOSFET (полевой)

Доставка

Новой почтой в отделения и почтоматы

от 80 ₴

ROZETKA Delivery

Фиксировано 49 грн

Укрпочтой в отделение по Украине

от 45 ₴

Meest Почта

от 49 ₴

Оплата

Оплата картой

Перевод на карточку

Оплата на IBAN

Безналичный расчет

Наложенный платеж

Гарантийные положения

Гарантийные обязательства на товары, которые были паяные, не распространяются

Полевой MOSFET транзистор IRF1310 N-канальный 100В 42А (корпус TO-220)

Код товара: 5583

34.00 грн

Описание

🏷️ MOSFET транзистор

MOSFET IRF1310 N‑канальный (TO‑220)

Силовой ключ для коммутации и PWM‑управления DC‑нагрузками

⚡ Быстрый обзор

Модель: IRF1310
Тип транзистора: MOSFET (полевой)
Канал: N‑канальный
Максимальное напряжение: 100 В
Максимальный ток: 42 А
Корпус: TO‑220
Монтаж: выводной (через отверстия, THT)

📖 Общее описание

IRF1310 — это N‑канальный полевой транзистор (MOSFET), который работает как электронный ключ: позволяет включать и выключать питание нагрузки по управляющему сигналу на затворе.

Такие MOSFET часто используют в DC‑схемах, где нужно надёжно коммутировать ток или управлять мощностью через PWM (ШИМ) — например, для регулировки яркости светодиодов или скорости двигателя.

Корпус TO‑220 удобен для монтажа на плату и при необходимости даёт возможность установки на радиатор для отвода тепла во время работы в силовых режимах.

Модуль подходит для DIY‑электроники, ремонта и сборки силовых узлов, где важна простая интеграция с контроллерами, драйверами и дискретными компонентами.

✅ Технические преимущества

Удобный силовой формат

Корпус TO‑220 рассчитан на работу со значительными мощностями и упрощает интеграцию в силовые платы: компонент легко впаивать, а также можно организовать теплоотвод через радиатор.

MOSFET как «электронный ключ»

Управление затвором позволяет коммутировать нагрузку без механики — это удобно для автоматизации, частых циклов включения/выключения и реализации PWM‑регулирования.

N‑канальная топология

N‑канальные MOSFET часто применяют в low‑side коммутации (по «земле»), где проще организовать управление и удобно подключать нагрузку в DC‑цепях.

Подходит для силовых узлов

Модель ориентирована на работу в силовых схемах: коммутация питания, защита/отсечение нагрузки, узлы преобразователей и драйверов — при условии корректного подбора режимов и охлаждения.

Простое масштабирование решения

В проектах можно усиливать узел не только транзистором, но и «обвязкой»: добавить драйвер затвора, снаббер, предохранитель, датчик тока — сохраняя общую логику управления.

🔧 Где применяется

PWM‑управление двигателями

Регулировка скорости DC‑двигателей в робототехнике, моделизме, вентиляторах и приводах (при правильной схеме и защите).

Светодиодные нагрузки

Управление LED‑лентами, мощными светодиодными линейками и другими DC‑каналами подсветки через ШИМ.

Коммутация силовых нагрузок

Включение/выключение насосов, нагревателей, ламп, модулей питания и других DC‑устройств с электронным управлением.

Индуктивные катушки и соленоиды

Управление реле‑катушками, соленоидами, клапанами — с обязательным использованием обратного диода/TVS для гашения импульсов.

DIY и ремонт электроники

Замена силовых ключей в устройствах и сборка прототипов: драйверы, преобразователи, силовые модули и учебные стенды.

🧩 Быстрый старт

Проверьте распиновку

Перед монтажом сверьте расположение выводов Gate (G), Drain (D), Source (S) в даташите IRF1310 (для TO‑220 таб/пластина часто электрически связаны со стоком).

Соберите базовую low‑side схему

Типовой вариант: S на GND, D к «минусу» нагрузки, «плюс» нагрузки — на +V источника. Это самый простой способ управлять DC‑цепью.

Добавьте обвязку затвора

Поставьте резистор в разрыв управления затвором (типично 10–100 Ω) для уменьшения звона и помех, а также подтяжку Gate→GND (например 50–200 кΩ), чтобы транзистор гарантированно был закрыт при старте.

Защитите индуктивную нагрузку

Для двигателей, реле, соленоидов обязательно поставьте flyback‑диод параллельно нагрузке (в обратной полярности) или используйте TVS‑диод — это защитит MOSFET от перенапряжений при выключении.

Проверьте управление и нагрев

Запускайте с малой нагрузки, контролируйте температуру корпуса, а для PWM подберите частоту и драйвер/уровни управления согласно даташиту (важны Vgs, Qg и потери на переключение).

⚠️ Важно знать / Нюансы

Тепловой режим решает всё

В силовых режимах MOSFET может существенно нагреваться из-за проводниковых и коммутационных потерь. Планируйте радиатор/теплоотвод, адекватную медь на плате и контроль температуры.

Осторожно с табом TO‑220

Металлическая пластина (tab) в TO‑220 часто имеет электрический потенциал (зависит от модели/внутренней структуры). Если крепите на радиатор или шасси — проверьте, нужна ли изолирующая прокладка и втулка.

ESD и «плавающий» затвор

Затвор MOSFET чувствителен к статике. Используйте подтяжку Gate‑Source, не оставляйте затвор «в воздухе», и по возможности касайтесь компонента после разрядки (антистатические правила).

Индуктивные нагрузки без защиты — риск

Без flyback‑диода/TVS при выключении катушек появляются импульсы, которые могут пробить транзистор. Добавьте также короткие силовые петли, правильную «землю» и при необходимости RC‑снаббер.

Не работайте «в линейном режиме» без расчёта

MOSFET наиболее эффективен как ключ (открыто/закрыто). Если держать его частично открытым (регулирование напряжением без PWM), рассеивание резко возрастает — проверяйте SOA и тепловой запас.

❓ Часто задаваемые вопросы

Можно ли управлять IRF1310 напрямую с Arduino/ESP?

Можно, но важно проверить требования к напряжению управления затвором в даташите. Vgs(th) не означает «полностью открытый» транзистор; для силовых токов часто нужен драйвер затвора или более высокий уровень управления, чтобы уменьшить нагрев.

Нужен ли радиатор в TO‑220?

Зависит от потерь и режима работы (ток, частота PWM, длительность нагрузки). Если корпус заметно нагревается — закладывайте теплоотвод (радиатор, термопрокладка/паста, больше меди на плате).

Можно ли заменить другой MOSFET на IRF1310?

Да, если совпадают или не хуже ключевые параметры: допустимые напряжение/ток, Rds(on), Vgs(max), тепловые характеристики, распиновка и тип корпуса. Лучше всего сравнивать даташиты «пара к паре».

Почему MOSFET греется даже когда «всё подключено правильно»?

Типичные причины: недостаточное напряжение/ток управления затвором (транзистор не полностью открыт), слишком высокая частота PWM без драйвера, отсутствие защиты индуктивности, плохая силовая разводка или недостаточный теплоотвод.

Это оригинальный IRF или аналог?

Изготовитель - ТАЙВАНЬ. Название IRF1310 определяет электрический тип и совместимость по даташиту, но конкретный производитель может отличаться в зависимости от партии. Если для вашего проекта критичны динамические параметры (Qg, скорость, тепловое сопротивление) — ориентируйтесь на даташит производителя компонента по маркировке на корпусе.

🏷️ Теги

#IRF1310 #MOSFET #Nканальный #TO220 #силовойтранзистор #электронныйключ #PWM #драйверзатвора #DCдвигун #LEDстрічка

Характеристики

Основные

Максимальная рассеиваемая мощность

160 Вт

Полярность

N-канал

-Основные-

-Максимальное напряжение через транзистор-

100 В

-Максимальный ток-

42 А

-Сопротивление-

0.036 Ом

-Дополнительные-

-Тип корпуса-

TO-220AB

-Тип транзистора-

MOSFET (полевой)

Отзывы

Нет отзывов о данном товаре.

Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.

Вопросы и ответы

Добавьте вопрос, и мы ответим в ближайшее время.

Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.

Полевой MOSFET транзистор IRF1310 N-канальный 100В 42А (корпус TO-220)

MOSFET IRF1310 N‑канальный (TO‑220)

⚡ Быстрый обзор

📖 Общее описание

✅ Технические преимущества

🔧 Где применяется

🧩 Быстрый старт

⚠️ Важно знать / Нюансы

❓ Часто задаваемые вопросы

🏷️ Теги

Продовжимо солов'їною?