Каталог товарів
Клієнту
Тема сайту:
+38 (066) 305-77-25
Наша адреса
Харків, тимчасово - доставка тільки Новою Поштою, УкрПоштою, МістЕкспрес, ROZETKA Delivery
Телефони
Графік роботи
  • Пн-Пт: з 9 до 18
  • Сб: з 10 до 17
  • Нд: з 11 до 16
E-mail
Ми в соцмережах
Перейти до контактів
0 0
Каталог
Головна
Закладки
0
Порівняти
0
Контакти

Мікросхема NCE9926 корпус SOP-8

Країна-виробник: Китай Код товару: 5518
0
Все про товар
Опис
Характеристики
Відгуки 0
Питання0
В наявності
Код товару: 5518
9.00 грн
Знайшли дешевше?
🚚 Відправка в день замовлення при оформленні до 15:00
Максимальна напруга:20 V
Максимальний струм:6 А
Полярність:N-канальний MOSFET
Тип корпусу:SOP-8
Доставка
Новою Поштою у відділення та поштомати
Новою Поштою у відділення та поштомати
від 80 ₴
ROZETKA Delivery
ROZETKA Delivery
Фіксована 49грн
Укрпоштою у відділення по Україні
Укрпоштою у відділення по Україні
від 45 ₴
Meest Express
Meest Express
від 60 ₴
Оплата
Оплата карткою Оплата карткою
Переказ на картку Переказ на картку
Оплата на IBAN Оплата на IBAN
Безготівковий розрахунок Безготівковий розрахунок
Післяплата Післяплата
Гарантійні положення
Гарантійні зобов'язання на товари, які були паяні, не поширюються
Мікросхема NCE9926 корпус SOP-8
Код товару: 5518
9.00 грн
Опис

Мікросхема NCE9926 SOP-8

N‑канальний MOSFET з енхансмент‑каналом у корпусі SOP‑8 для комутації живлення та високочастотних схем; вирізняється низьким опором каналу та малим зарядом затвора.

Основні переваги

Низький RDS(on)

Тип. 26 мΩ (макс 30 мΩ) при VGS = 4.5 В, ID = 6 А; тип. 36 мΩ (макс 40 мΩ) при VGS = 2.5 В, ID = 5 А — менші провідникові втрати.

Малий заряд затвора

Загальний заряд затвора Qg тип. 10 нКл (VDS = 10 В, ID = 3 А, VGS = 4.5 В) — спрощує керування та підвищує швидкодію.

Швидке комутування

Типові часи перемикання: td(on) 8 нс, tr 9 нс, td(off) 15 нс, tf 4 нс (VDD = 10 В, ID = 1 А, VGEN = 4.5 В, RG = 6 Ω).

Охарактеризовані аваланш‑параметри

Прилад має повністю охарактеризовані напругу та струм аваланш‑пробою, що підвищує надійність у комутаційних застосуваннях.

Ключові характеристики

Тип транзистора:N‑канальний MOSFET, enhancement mode
Корпус:SOP‑8
VDS (макс):20 В
VGS (допустима межа):±10 В
ID (безперервний, 25 °C):6 А
ID (безперервний, 100 °C):3.8 А
IDM (імпульсний):25 А
PD (макс):1.25 Вт
RDS(on) @ VGS=4.5 В, ID=6 А:тип. 26 мΩ; макс 30 мΩ
RDS(on) @ VGS=2.5 В, ID=5 А:тип. 36 мΩ; макс 40 мΩ
VGS(th) (ID=250 мкА):мін. 0.5 В; макс 1.2 В
gFS (VDS=5 В, ID=6 А):тип. 20 S
Ciss / Coss / Crss:тип. 640 пФ / 140 пФ / 80 пФ (VDS=10 В, VGS=0 В, f=1 МГц)
Qg / Qgs / Qgd:тип. 10 / 1.5 / 1.6 нКл (VDS=10 В, ID=3 А, VGS=4.5 В)
Часи перемикання (тип.):td(on) 8 нс; tr 9 нс; td(off) 15 нс; tf 4 нс (VDD=10 В, ID=1 А, VGEN=4.5 В, RG=6 Ω)
Діод тіла VSD (IS=1.7 А):макс 1.2 В
IS діода (безперервний):до 6 А
RθJA:100 °C/Вт
Діапазон температур переходу:−55…+150 °C

Детальні технічні параметри

  • Пробійна напруга BVDSS: мін. 20 В, тип. 22 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА).
  • Струм витоку стоку IDSS: ≤ 1 мкА при VDS = 20 В, VGS = 0 В.
  • Струм витоку затвора IGSS: ≤ ±100 нА при VGS = ±10 В, VDS = 0 В.
  • Опір каналу RDS(on): тип. 26/36 мΩ; макс 30/40 мΩ для режимів 4.5 В/6 А та 2.5 В/5 А відповідно.
  • Ємності при VDS = 10 В, VGS = 0 В, f = 1 МГц: Ciss 640 пФ; Coss 140 пФ; Crss 80 пФ.
  • Заряд затвора при VDS = 10 В, ID = 3 А, VGS = 4.5 В: Qg 10 нКл; Qgs 1.5 нКл; Qgd 1.6 нКл.
  • Типові часи перемикання (VDD = 10 В, ID = 1 А, VGEN = 4.5 В, RG = 6 Ω): td(on) 8 нс; tr 9 нс; td(off) 15 нс; tf 4 нс.
  • Параметри діода тіла: VSD ≤ 1.2 В при IS = 1.7 А; безперервний струм IS до 6 А.
  • Теплові параметри: PD 1.25 Вт; RθJA 100 °C/Вт; робочий діапазон температур переходу −55…+150 °C.
Примітка: параметри базуються на документації Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd для NCE9926. Джерело: Wuxi NCE Power Semiconductor Datasheet (PDF).

Основні сфери застосування

  • Комутатори живлення (Power switching application).
  • Жорстко‑комутовані та високочастотні перетворювачі.
  • Джерела безперебійного живлення (UPS).

Сумісні позначення та альтернативи

Прямих крос‑референсів у даташиті не наведено. Рекомендується підбирати заміну за відповідністю pinout і ключових граничних/електричних параметрів (VDS, ID, RDS(on), VGS, ємності, часові характеристики) за офіційними даташитами виробників.

Питання-відповіді (FAQ)

Які максимальні VDS та допустима напруга затвора VGS?

Максимальна напруга стік‑витік VDS = 20 В; допустима напруга затвора VGS = ±10 В.

Які значення RDS(on) і за яких умов вони наведені?

RDS(on) тип. 26 мΩ (макс 30 мΩ) при VGS = 4.5 В, ID = 6 А; тип. 36 мΩ (макс 40 мΩ) при VGS = 2.5 В, ID = 5 А.

Чи підходить прилад для високочастотних або жорсткокомутованих схем?

Так. Виробник прямо зазначає застосування у жорстко‑комутованих і високочастотних колах, а також в UPS; низький Qg і короткі часи перемикання цьому сприяють.

Характеристики
Основні
Максимальна напруга
20 V
Максимальний струм
6 А
Полярність
N-канальний MOSFET
Тип корпусу
SOP-8
Відгуки

Відгуків про цей товар ще не було.

Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.

Питання та відповіді
Додайте питання, і ми відповімо найближчим часом.

Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.