Увага! 01.11.25(субота ) та 02.11.25(неділя) - вихідні, відвантаженння товару не буде. 
Каталог товаров
Клиенту
Тема сайта:
+38 (066) 305-77-25
Наш адрес
Харьков, времено - только доставка Новой Почтой, УкрПочтой, МистЕкспрес, ROZETKA Delivery
Телефоны:
Время работы
  • Пн-Пт: с 9 до 18
  • Сб.: с 10 до 17
  • Вс: с 11 до 16
E-mail
[email protected]
Мы в соцсетях
Перейти в контакты
0 0
Каталог
Главная
Закладки
0
Сравнить
0
Контакты

Микросхема NCE9926 корпус SOP-8

Страна-производитель: Китай Код товара: 5518
0
Все о товаре
Описание
Характеристики
Отзывы 0
Вопросы0
Микросхема NCE9926 корпус SOP-8
Есть в наличии
Код товара: 5518
9.00 грн
Нашли дешевле?
🚚 Відправка в день замовлення при оформленні до 15:00
Максимальное напряжение:20 V
Максимальный ток:6 А
Полярность:N-канальный MOSFET
Тип корпуса:SOP-8
Доставка
Новой почтой в отделения и почтоматы
Новой почтой в отделения и почтоматы
от 80 ₴
ROZETKA Delivery
ROZETKA Delivery
Фиксировано 49 грн
Укрпочтой в отделение по Украине
Укрпочтой в отделение по Украине
от 45 ₴
Meest Express
Meest Express
от 60 ₴
Оплата
Оплата картой Оплата картой
Перевод на карточку Перевод на карточку
Оплата на IBAN Оплата на IBAN
Безналичный расчет Безналичный расчет
Наложенный платеж Наложенный платеж
Гарантийные положения
Гарантийные обязательства на товары, которые были паяные, не распространяются
Микросхема NCE9926 корпус SOP-8
Код товара: 5518
9.00 грн
Описание

Микросхема NCE9926 SOP-8

N‑канальный MOSFET с энхансмент‑каналом в корпусе SOP‑8 для коммутации питания и высокочастотных схем; отличается низким сопротивлением канала и малым зарядом затвора.

Основные преимущества

Низкий RDS(on)

Тип. 26 мΩ (макс 30 мΩ) при VGS = 4.5 В, ID = 6 А; тип. 36 мΩ (макс 40 мΩ) при VGS = 2.5 В, ID = 5 А — меньшие проводниковые потери.

Малый заряд затвора

Общий заряд затвора Qg тип. 10 нКл (VDS = 10 В, ID = 3 А, VGS = 4.5 В) — упрощает управление и повышает быстродействие.

Быстрое переключение

Типовые времена переключения: td(on) 8 нс, tr 9 нс, td(off) 15 нс, tf 4 нс (VDD = 10 В, ID = 1 А, VGEN = 4.5 В, RG = 6 Ω).

Охарактеризованные аваланш‑параметры

Прибор имеет полностью охарактеризованные напряжение и ток аваланш‑пробоя, что повышает надежность в коммутационных применениях.

Ключевые характеристики

Тип транзистора:N‑канальный MOSFET, enhancement mode
Корпус:SOP‑8
VDS (макс):20 В
VGS (допустимый предел):±10 В
ID (непрерывный, 25 °C):6 А
ID (непрерывный, 100 °C):3.8 А
IDM (импульсный):25 А
PD (макс):1.25 Вт
RDS(on) @ VGS=4.5 В, ID=6 А:тип. 26 мΩ; макс 30 мΩ
RDS(on) @ VGS=2.5 В, ID=5 А:тип. 36 мΩ; макс 40 мΩ
VGS(th) (ID=250 мкА):мин. 0.5 В; макс 1.2 В
gFS (VDS=5 В, ID=6 А):тип. 20 S
Ciss / Coss / Crss:тип. 640 пФ / 140 пФ / 80 пФ (VDS=10 В, VGS=0 В, f=1 МГц)
Qg / Qgs / Qgd:тип. 10 / 1.5 / 1.6 нКл (VDS=10 В, ID=3 А, VGS=4.5 В)
Времена переключения (тип.):td(on) 8 нс; tr 9 нс; td(off) 15 нс; tf 4 нс (VDD=10 В, ID=1 А, VGEN=4.5 В, RG=6 Ω)
Диод тела VSD (IS=1.7 А):макс 1.2 В
IS диода (непрерывный):до 6 А
RθJA:100 °C/Вт
Диапазон температур перехода:−55…+150 °C

Детальные технические параметры

  • Пробивное напряжение BVDSS: мин. 20 В, тип. 22 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА).
  • Ток утечки стока IDSS: ≤ 1 мкА при VDS = 20 В, VGS = 0 В.
  • Ток утечки затвора IGSS: ≤ ±100 нА при VGS = ±10 В, VDS = 0 В.
  • Сопротивление канала RDS(on): тип. 26/36 мΩ; макс 30/40 мΩ для режимов 4.5 В/6 А и 2.5 В/5 А соответственно.
  • Емкости при VDS = 10 В, VGS = 0 В, f = 1 МГц: Ciss 640 пФ; Coss 140 пФ; Crss 80 пФ.
  • Заряд затвора при VDS = 10 В, ID = 3 А, VGS = 4.5 В: Qg 10 нКл; Qgs 1.5 нКл; Qgd 1.6 нКл.
  • Типовые времена переключения (VDD = 10 В, ID = 1 А, VGEN = 4.5 В, RG = 6 Ω): td(on) 8 нс; tr 9 нс; td(off) 15 нс; tf 4 нс.
  • Параметры диода тела: VSD ≤ 1.2 В при IS = 1.7 А; непрерывный ток IS до 6 А.
  • Тепловые параметры: PD 1.25 Вт; RθJA 100 °C/Вт; рабочий диапазон температур перехода −55…+150 °C.
Примечание: параметры базируются на документации Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd для NCE9926. Источник: Wuxi NCE Power Semiconductor Datasheet (PDF).

Основные области применения

  • Коммутаторы питания (Power switching application).
  • Жестко‑коммутируемые и высокочастотные преобразователи.
  • Источники бесперебойного питания (UPS).

Совместимые обозначения и альтернативы

Прямых кросс‑референсов в даташите не приведено. Рекомендуется подбирать замену по соответствию pinout и ключевых предельных/электрических параметров (VDS, ID, RDS(on), VGS, емкости, временные характеристики) по официальным даташитам производителей.

Вопросы‑ответы (FAQ)

Каковы максимальные VDS и допустимое напряжение затвора VGS?

Максимальное напряжение сток‑исток VDS = 20 В; допустимое напряжение затвора VGS = ±10 В.

Каковы значения RDS(on) и при каких условиях они приведены?

RDS(on) тип. 26 мΩ (макс 30 мΩ) при VGS = 4.5 В, ID = 6 А; тип. 36 мΩ (макс 40 мΩ) при VGS = 2.5 В, ID = 5 А.

Подходит ли прибор для высокочастотных или жестко‑коммутируемых схем?

Да. Производитель прямо указывает применение в жестко‑коммутируемых и высокочастотных цепях, а также в UPS; низкий Qg и короткие времена переключения этому способствуют.

Характеристики
Основные
Максимальное напряжение
20 V
Максимальный ток
6 А
Полярность
N-канальный MOSFET
Тип корпуса
SOP-8
Отзывы

Нет отзывов о данном товаре.

Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.

Вопросы и ответы
Добавьте вопрос, и мы ответим в ближайшее время.

Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.

Продовжимо солов'їною?

Оберіть мову