Мікросхема NCE4953 корпус SOP-8

Name: Мікросхема NCE4953 корпус SOP-8
Brand: Мій Проект
SKU: 5516
Price: 9.00 UAH
Availability: InStock

Країна-виробник: Китай Код товару: 5516

Все про товар

Опис

Характеристики

Відгуки 0

Питання0

В наявності

Код товару: 5516

9.00 грн

Знайшли дешевше?

Максимальна напруга:30 V

Максимальний струм:7.3 А

Полярність:N-канальний MOSFET

Тип корпусу:SOP-8

Доставка

Новою Поштою у відділення та поштомати

від 80 ₴

ROZETKA Delivery

Фіксована 49грн

Укрпоштою у відділення по Україні

від 45 ₴

Meest Express

від 60 ₴

Оплата

Оплата карткою

Переказ на картку

Оплата на IBAN

Безготівковий розрахунок

Післяплата

Гарантійні положення

Гарантійні зобов'язання на товари, які були паяні, не поширюються

Мікросхема NCE4953 корпус SOP-8

Код товару: 5516

9.00 грн

Опис

NCE4953 SOP-8

Двоканальний P‑канальний MOSFET на 30 В у корпусі SOP‑8 з низьким опором каналу та підтримкою логічних рівнів керування, оптимізований для комутації навантаження та PWM‑застосувань.

Основні переваги

Низький RDS(on)

До 53 мОм при VGS = −10 В і 85 мОм при VGS = −4.5 В — зменшує втрати та нагрів у силових ключах.

Робота від логічних рівнів

Гарантовані параметри при VGS = −4.5 В полегшують керування від мікроконтролерів і драйверів.

Два транзистори в одному корпусі

Двоканальна структура SOP‑8 спрощує реалізацію двоканальних ключів і симетричних конфігурацій.

Швидке перемикання

Малий заряд затвора (Qg ≈ 12 нКл) і короткі часи перемикання підвищують ефективність у PWM‑схемах.

Ключові характеристики

Тип:	P‑канальний MOSFET, enhancement mode
Конфігурація:	Двоканальний (G1/S1/D1 та G2/S2/D2)
Корпус:	SOP‑8 (SOIC‑8)
Макс. напруга стік‑витік (VDS):	−30 В
Безперервний струм стоку (ID):	−5.1 А
Імпульсний струм (IDM):	−20 А
Макс. напруга затвор‑стік (VGS):	±20 В
RDS(on) @ VGS = −10 В:	≤ 53 мОм (ID = −5.1 А)
RDS(on) @ VGS = −4.5 В:	≤ 85 мОм (ID = −4.2 А)
Порогова напруга затвора (VGS(th)):	від −1 В до −3 В (ID = −250 мкА)
Розсіювана потужність (PD):	2.5 Вт
Тепловий опір (RθJA):	50 °C/Вт
Діапазон температур кристала (TJ):	−55…+150 °C

Детальні технічні параметри

Вхідна/вихідна/зворотна ємності: Ciss ≈ 1040 пФ; Coss ≈ 420 пФ; Crss ≈ 150 пФ (VDS = −15 В, VGS = 0 В, f = 1 МГц).
Заряд затвора: Qg ≈ 12 нКл; Qgs ≈ 2.2 нКл; Qgd ≈ 3 нКл (VDS = −15 В, ID = −5.1 А, VGS = −10 В).
Часи перемикання (типові): td(on) ≈ 15 нс; tr ≈ 13 нс; td(off) ≈ 58 нс; tf ≈ 21 нс (VDD = −15 В, ID = −1 А, VGS = −10 В, RGEN = 6 Ω).
Пробій і струми витоків: BVDSS = −30 В (ID = −250 мкА); IDSS ≤ −1 мкА при VDS = −24 В, VGS = 0 В; IGSS ≤ ±100 нА при VGS = ±20 В.
Пряме падіння на діоді тіла: VSD ≈ −1.2 В при IS = −1.7 А (VGS = 0 В).

Примітка: параметри базуються на документації Wuxi NCE Power Semiconductor для NCE4953. Джерело: Wuxi NCE Power Semiconductor Datasheet (PDF).

Основні сфери застосування

Комутація навантаження (load‑switch) у низьковольтних вузлах.
PWM‑перетворювачі та допоміжні силові каскади.
Системи керування живленням (power management).

Сумісні позначення та альтернативи

Можливі аналоги: двоканальні P‑канальні MOSFET 30 В у SOP‑8 з близькими RDS(on), наприклад FDS4953, AO4953. Перед заміною обов’язково перевіряйте параметри та розводку виводів за їх офіційними даташитами.

Питання-відповіді (FAQ)

Це N‑канальний чи P‑канальний транзистор?

NCE4953 — двоканальний P‑канальний MOSFET у корпусі SOP‑8.

Чи підходить для керування від 5 В логіки?

Так. Параметри гарантовані для VGS = −4.5 В; для мінімального опору каналу рекомендується VGS ≈ −10 В з урахуванням теплових обмежень.

Які основні граничні параметри?

VDS = −30 В, ID = −5.1 А, IDM = −20 А, VGS = ±20 В, PD = 2.5 Вт, TJ = −55…+150 °C.

Характеристики

Основні

Максимальна напруга

30 V

Максимальний струм

7.3 А

Полярність

N-канальний MOSFET

Тип корпусу

SOP-8

Відгуки

Відгуків про цей товар ще не було.

Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.

Питання та відповіді

Додайте питання, і ми відповімо найближчим часом.

Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.