Каталог товаров
Клиенту
Тема сайта:
+38 (066) 305-77-25
Наш адрес
Харьков, времено - только доставка Новой Почтой, УкрПочтой, МистЕкспрес, ROZETKA Delivery
Телефоны:
Время работы
  • Пн-Пт: с 9 до 18
  • Сб.: с 10 до 17
  • Вс: с 11 до 16
E-mail
[email protected]
Мы в соцсетях
Перейти в контакты
0 0
Каталог
Главная
Закладки
0
Сравнить
0
Контакты

Микросхема NCE4953 корпус SOP-8

Страна-производитель: Китай Код товара: 5516
0
Все о товаре
Описание
Характеристики
Отзывы 0
Вопросы0
Микросхема NCE4953 корпус SOP-8
Есть в наличии
Код товара: 5516
9.00 грн
Нашли дешевле?
🚚 Відправка в день замовлення при оформленні до 15:00
Максимальное напряжение:30 V
Максимальный ток:7.3 А
Полярность:N-канальный MOSFET
Тип корпуса:SOP-8
Доставка
Новой почтой в отделения и почтоматы
Новой почтой в отделения и почтоматы
от 80 ₴
ROZETKA Delivery
ROZETKA Delivery
Фиксировано 49 грн
Укрпочтой в отделение по Украине
Укрпочтой в отделение по Украине
от 45 ₴
Meest Express
Meest Express
от 60 ₴
Оплата
Оплата картой Оплата картой
Перевод на карточку Перевод на карточку
Оплата на IBAN Оплата на IBAN
Безналичный расчет Безналичный расчет
Наложенный платеж Наложенный платеж
Гарантийные положения
Гарантийные обязательства на товары, которые были паяные, не распространяются
Микросхема NCE4953 корпус SOP-8
Код товара: 5516
9.00 грн
Описание

NCE4953 SOP-8

Двухканальный P‑канальный MOSFET на 30 В в корпусе SOP‑8 с низким сопротивлением канала и поддержкой логических уровней управления, оптимизирован для коммутации нагрузки и PWM‑применений.

Основные преимущества

Низкий RDS(on)

До 53 мОм при VGS = −10 В и 85 мОм при VGS = −4.5 В — снижает потери и нагрев в силовых ключах.

Работа от логических уровней

Гарантированные параметры при VGS = −4.5 В упрощают управление от микроконтроллеров и драйверов.

Два транзистора в одном корпусе

Двухканальная структура SOP‑8 упрощает реализацию двухканальных ключей и симметричных конфигураций.

Быстрое переключение

Малый заряд затвора (Qg ≈ 12 нКл) и короткие времена переключения повышают эффективность в PWM‑схемах.

Ключевые характеристики

Тип:P‑канальный MOSFET, режим обогащения
Конфигурация:Двухканальный (G1/S1/D1 и G2/S2/D2)
Корпус:SOP‑8 (SOIC‑8)
Макс. напряжение сток‑исток (VDS):−30 В
Непрерывный ток стока (ID):−5.1 А
Импульсный ток (IDM):−20 А
Макс. напряжение затвор‑сток (VGS):±20 В
RDS(on) @ VGS = −10 В:≤ 53 мОм (ID = −5.1 А)
RDS(on) @ VGS = −4.5 В:≤ 85 мОм (ID = −4.2 А)
Пороговое напряжение затвора (VGS(th)):от −1 В до −3 В (ID = −250 мкА)
Рассеиваемая мощность (PD):2.5 Вт
Тепловое сопротивление (RθJA):50 °C/Вт
Диапазон температур кристалла (TJ):−55…+150 °C

Детальные технические параметры

  • Входная/выходная/обратная емкости: Ciss ≈ 1040 пФ; Coss ≈ 420 пФ; Crss ≈ 150 пФ (VDS = −15 В, VGS = 0 В, f = 1 МГц).
  • Заряд затвора: Qg ≈ 12 нКл; Qgs ≈ 2.2 нКл; Qgd ≈ 3 нКл (VDS = −15 В, ID = −5.1 А, VGS = −10 В).
  • Времена переключения (типовые): td(on) ≈ 15 нс; tr ≈ 13 нс; td(off) ≈ 58 нс; tf ≈ 21 нс (VDD = −15 В, ID = −1 А, VGS = −10 В, RGEN = 6 Ω).
  • Пробой и токи утечек: BVDSS = −30 В (ID = −250 мкА); IDSS ≤ −1 мкА при VDS = −24 В, VGS = 0 В; IGSS ≤ ±100 нА при VGS = ±20 В.
  • Прямое падение на диоде тела: VSD ≈ −1.2 В при IS = −1.7 А (VGS = 0 В).
Примечание: параметры основаны на документации Wuxi NCE Power Semiconductor для NCE4953. Источник: Wuxi NCE Power Semiconductor Datasheet (PDF).

Основные области применения

  • Коммутация нагрузки (load‑switch) в низковольтных узлах.
  • PWM‑преобразователи и вспомогательные силовые каскады.
  • Системы управления питанием (power management).

Совместимые обозначения и альтернативы

Возможные аналоги: двухканальные P‑канальные MOSFET 30 В в SOP‑8 с близкими RDS(on), например FDS4953, AO4953. Перед заменой обязательно проверяйте параметры и разводку выводов по их официальным даташитам.

Вопросы‑ответы (FAQ)

Это N‑канальный или P‑канальный транзистор?

NCE4953 — двухканальный P‑канальный MOSFET в корпусе SOP‑8.

Подходит ли для управления от 5 В логики?

Да. Параметры гарантированы для VGS = −4.5 В; для минимального сопротивления канала рекомендуется VGS ≈ −10 В с учетом тепловых ограничений.

Каковы основные предельные параметры?

VDS = −30 В, ID = −5.1 А, IDM = −20 А, VGS = ±20 В, PD = 2.5 Вт, TJ = −55…+150 °C.

Характеристики
Основные
Максимальное напряжение
30 V
Максимальный ток
7.3 А
Полярность
N-канальный MOSFET
Тип корпуса
SOP-8
Отзывы

Нет отзывов о данном товаре.

Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.

Вопросы и ответы
Добавьте вопрос, и мы ответим в ближайшее время.

Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.

Продовжимо солов'їною?

Оберіть мову