Транзистор NCE4688 корпус SOP8

Name: Транзистор NCE4688 корпус SOP8
Brand: Мій Проект
SKU: 5512
Price: 11.00 UAH
Availability: InStock

Країна-виробник: Китай Код товару: 5512

Все про товар

Опис

Характеристики

Відгуки 0

Питання0

В наявності

Код товару: 5512

11.00 грн

Знайшли дешевше?

Максимальна напруга:60 V

Максимальний струм:6.1 А

Полярність:N-канальний MOSFET

Тип корпусу:SOP-8

Доставка

Новою Поштою у відділення та поштомати

від 80 ₴

ROZETKA Delivery

Фіксована 49грн

Укрпоштою у відділення по Україні

від 45 ₴

Meest Express

від 60 ₴

Оплата

Оплата карткою

Переказ на картку

Оплата на IBAN

Безготівковий розрахунок

Післяплата

Гарантійні положення

Гарантійні зобов'язання на товари, які були паяні, не поширюються

Транзистор NCE4688 корпус SOP8

Код товару: 5512

11.00 грн

Опис

NCE4688 (N- і P-канальний MOSFET) SOP-8

Комплементарна пара MOSFET (1×N та 1×P) у одному корпусі SOP‑8 з напругою стік‑витік ±60 В для високоефективних комутаційних вузлів і high‑side ключів із рівнепідняттям.

Основні переваги

Комплементарна пара в одному корпусі

Об’єднання N‑ і P‑каналу у SOP‑8 спрощує схемотехніку та зменшує площу плати.

Підтримка high‑side ключів

У даташиті прямо зазначено можливість формування high‑side ключа з рівнепідняттям.

Низький опір каналу

N‑канал: до 30 mΩ @ VGS=10 В; P‑канал: до 80 mΩ @ VGS=−10 В — зменшує втрати провідності.

Швидке перемикання

Типові часи перемикання одиниць–десятків наносекунд, що підходить для швидких комутацій.

Ключові характеристики

Тип:	Комплементарний MOSFET (1×N + 1×P)
Корпус:	SOP‑8
Маркування на корпусі:	4688
VDS (N / P):	+60 В / −60 В
VGS (макс.):	±20 В
IDC при TA=25°C (N / P):	6.3 А / −6 А
IDC при підвищеній T (довідково):	4.5 А (TA=100°C, N) / −4.2 А (TA=100°C, P)
IDM (імпульсний, N / P):	40 А / −25 А
Pd при TA=25°C:	2.0 Вт (кожен канал)
RθJA (N / P):	62.5 °C/Вт / 62.5 °C/Вт
VGS(th) (N / P):	1.2…2.5 В (тип. 1.6 В) / −1.5…−3.5 В (тип. −2.6 В)
RDS(on) N (@ VGS=10 В, ID=6 А):	тип. 26 mΩ, макс. 30 mΩ
RDS(on) P (@ VGS=−10 В, ID=−5 А):	тип. 64 mΩ, макс. 80 mΩ
Qg (N / P):	25 нКл / 26 нКл
Ciss (N / P):	500 пФ / 1450 пФ
Часи перемикання N (td(on)/tr/td(off)/tf):	5 нс / 2.6 нс / 16.1 нс / 2.3 нс
Часи перемикання P (td(on)/tr/td(off)/tf):	8 нс / 9 нс / 65 нс / 30 нс
Падіння на діоді тіла (N / P):	0.8 В тип. (макс. 1.2 В) / до −1.2 В

Детальні технічні параметри

Абсолютно допустимі значення: VDS=±60 В; VGS=±20 В; робочий діапазон температур кристала −55…+150°C.
Тепловий опір плата–повітря: RθJA=62.5 °C/Вт для N‑ і P‑каналу (умова: монтаж на FR‑4, імпульсний режим згідно приміток).
N‑канал: VGS(th)=1.2…2.5 В (тип. 1.6 В); RDS(on)=26 mΩ тип., 30 mΩ макс. @ VGS=10 В, ID=6 А; Qg=25 нКл @ VDS=15 В, ID=6 А, VGS=10 В.
P‑канал: VGS(th)=−1.5…−3.5 В (тип. −2.6 В); RDS(on)=64 mΩ тип., 80 mΩ макс. @ VGS=−10 В, ID=−5 А; Qg=26 нКл @ VDS=−30 В, ID=−5 А, VGS=−10 В.
Типові часи перемикання (N): td(on)=5 нс, tr=2.6 нс, td(off)=16.1 нс, tf=2.3 нс (VDD=30 В, RL=4.7 Ω, VGS=10 В, RGEN=3 Ω).
Типові часи перемикання (P): td(on)=8 нс, tr=9 нс, td(off)=65 нс, tf=30 нс (VDD=−30 В, RL=30 Ω, VGS=−10 В, RGEN=6 Ω).
Діоди тіла: VSD(N)=0.8 В тип. (макс. 1.2 В) @ IS=6 А; VSD(P) до −1.2 В @ IS=−6 А.
Призначення: можливість формування high‑side ключа з рівнепідняттям та інші комутаційні застосування, заявлені виробником.

Примітка: параметри базуються на документації Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd для NCE4688. Джерело: Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd Datasheet (PDF).

Основні сфери застосування

High‑side ключі з рівнепідняттям (за даташитом).
Загальні силові комутаційні вузли з напругою до ±60 В.
Комплементарні перемикачі N+P у схемах керування живленням.

Сумісні позначення та альтернативи

Офіційні аналоги/замінники у даташиті не наведені. Підбір можливий за параметрами: комплементарний MOSFET (N+P), SOP‑8, VDS=±60 В, RDS(on) на рівні 30/80 mΩ.

Питання-відповіді (FAQ)

Це один транзистор чи два?

Два окремі транзистори в одному корпусі: один N‑канальний і один P‑канальний MOSFET (комплементарна пара).

Які граничні струми для каналів?

N‑канал: 6.3 А (TA=25°C); P‑канал: −6 А (TA=25°C). Імпульсні значення: 40 А (N) та −25 А (P) згідно даташиту.

Який опір відкритого каналу?

Для N‑каналу — до 30 mΩ @ VGS=10 В, ID=6 А; для P‑каналу — до 80 mΩ @ VGS=−10 В, ID=−5 А.

Характеристики

Основні

Максимальна напруга

60 V

Максимальний струм

6.1 А

Полярність

N-канальний MOSFET

Тип корпусу

SOP-8

Відгуки

Відгуків про цей товар ще не було.

Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.

Питання та відповіді

Додайте питання, і ми відповімо найближчим часом.

Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.