Увага! 01.11.25(субота ) та 02.11.25(неділя) - вихідні, відвантаженння товару не буде. 
Каталог товаров
Клиенту
Тема сайта:
+38 (066) 305-77-25
Наш адрес
Харьков, времено - только доставка Новой Почтой, УкрПочтой, МистЕкспрес, ROZETKA Delivery
Телефоны:
Время работы
  • Пн-Пт: с 9 до 18
  • Сб.: с 10 до 17
  • Вс: с 11 до 16
E-mail
[email protected]
Мы в соцсетях
Перейти в контакты
0 0
Каталог
Главная
Закладки
0
Сравнить
0
Контакты

NCE4688 Транзистор корпус SOP8

Страна-производитель: Китай Код товара: 5512
0
Все о товаре
Описание
Характеристики
Отзывы 0
Вопросы0
NCE4688 Транзистор корпус SOP8
Есть в наличии
Код товара: 5512
11.00 грн
Нашли дешевле?
🚚 Відправка в день замовлення при оформленні до 15:00
Максимальное напряжение:60 V
Максимальный ток:6.1 А
Полярность:N-канальный MOSFET
Тип корпуса:SOP-8
Доставка
Новой почтой в отделения и почтоматы
Новой почтой в отделения и почтоматы
от 80 ₴
ROZETKA Delivery
ROZETKA Delivery
Фиксировано 49 грн
Укрпочтой в отделение по Украине
Укрпочтой в отделение по Украине
от 45 ₴
Meest Express
Meest Express
от 60 ₴
Оплата
Оплата картой Оплата картой
Перевод на карточку Перевод на карточку
Оплата на IBAN Оплата на IBAN
Безналичный расчет Безналичный расчет
Наложенный платеж Наложенный платеж
Гарантийные положения
Гарантийные обязательства на товары, которые были паяные, не распространяются
NCE4688 Транзистор корпус SOP8
Код товара: 5512
11.00 грн
Описание

NCE4688 (N‑ и P‑канальный MOSFET) SOP-8

Комплементарная пара MOSFET (1×N и 1×P) в одном корпусе SOP‑8 с напряжением сток‑исток ±60 В для высокоэффективных коммутационных узлов и high‑side ключей с уровнеподнятием.

Основные преимущества

Комплементарная пара в одном корпусе

Объединение N‑ и P‑канала в SOP‑8 упрощает схемотехнику и уменьшает площадь платы.

Поддержка high‑side ключей

В даташите прямо указана возможность формирования high‑side ключа с уровнеподнятием.

Низкое сопротивление канала

N‑канал: до 30 mΩ @ VGS=10 В; P‑канал: до 80 mΩ @ VGS=−10 В — уменьшает потери проводимости.

Быстрое переключение

Типичные времена переключения единиц–десятков наносекунд, что подходит для быстрых коммутаций.

Ключевые характеристики

Тип:Комплементарный MOSFET (1×N + 1×P)
Корпус:SOP‑8
Маркировка на корпусе:4688
VDS (N / P):+60 В / −60 В
VGS (макс.):±20 В
IDC при TA=25°C (N / P):6.3 А / −6 А
IDC при повышенной T (справочно):4.5 А (TA=100°C, N) / −4.2 А (TA=100°C, P)
IDM (импульсный, N / P):40 А / −25 А
Pd при TA=25°C:2.0 Вт (каждый канал)
RθJA (N / P):62.5 °C/Вт / 62.5 °C/Вт
VGS(th) (N / P):1.2…2.5 В (тип. 1.6 В) / −1.5…−3.5 В (тип. −2.6 В)
RDS(on) N (@ VGS=10 В, ID=6 А):тип. 26 mΩ, макс. 30 mΩ
RDS(on) P (@ VGS=−10 В, ID=−5 А):тип. 64 mΩ, макс. 80 mΩ
Qg (N / P):25 нКл / 26 нКл
Ciss (N / P):500 пФ / 1450 пФ
Времена переключения N (td(on)/tr/td(off)/tf):5 нс / 2.6 нс / 16.1 нс / 2.3 нс
Времена переключения P (td(on)/tr/td(off)/tf):8 нс / 9 нс / 65 нс / 30 нс
Падение на диоде тела (N / P):0.8 В тип. (макс. 1.2 В) / до −1.2 В

Детальные технические параметры

  • Абсолютно допустимые значения: VDS=±60 В; VGS=±20 В; рабочий диапазон температур кристалла −55…+150°C.
  • Тепловое сопротивление плата–воздух: RθJA=62.5 °C/Вт для N‑ и P‑канала (условие: монтаж на FR‑4, импульсный режим согласно примечаниям).
  • N‑канал: VGS(th)=1.2…2.5 В (тип. 1.6 В); RDS(on)=26 mΩ тип., 30 mΩ макс. @ VGS=10 В, ID=6 А; Qg=25 нКл @ VDS=15 В, ID=6 А, VGS=10 В.
  • P‑канал: VGS(th)=−1.5…−3.5 В (тип. −2.6 В); RDS(on)=64 mΩ тип., 80 mΩ макс. @ VGS=−10 В, ID=−5 А; Qg=26 нКл @ VDS=−30 В, ID=−5 А, VGS=−10 В.
  • Типичные времена переключения (N): td(on)=5 нс, tr=2.6 нс, td(off)=16.1 нс, tf=2.3 нс (VDD=30 В, RL=4.7 Ω, VGS=10 В, RGEN=3 Ω).
  • Типичные времена переключения (P): td(on)=8 нс, tr=9 нс, td(off)=65 нс, tf=30 нс (VDD=−30 В, RL=30 Ω, VGS=−10 В, RGEN=6 Ω).
  • Диоды тела: VSD(N)=0.8 В тип. (макс. 1.2 В) @ IS=6 А; VSD(P) до −1.2 В @ IS=−6 А.
  • Назначение: возможность формирования high‑side ключа с уровнеподнятием и другие коммутационные применения, заявленные производителем.
Примечание: параметры основаны на документации Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd для NCE4688. Источник: Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd Datasheet (PDF).

Основные области применения

  • High‑side ключи с уровнеподнятием (по даташиту).
  • Общие силовые коммутационные узлы с напряжением до ±60 В.
  • Комплементарные переключатели N+P в схемах управления питанием.

Совместимые обозначения и альтернативы

Официальные аналоги/заменители в даташите не приведены. Подбор возможен по параметрам: комплементарный MOSFET (N+P), SOP‑8, VDS=±60 В, RDS(on) на уровне 30/80 mΩ.

Вопросы‑ответы (FAQ)

Это один транзистор или два?

Два отдельных транзистора в одном корпусе: один N‑канальный и один P‑канальный MOSFET (комплементарная пара).

Какие предельные токи для каналов?

N‑канал: 6.3 А (TA=25°C); P‑канал: −6 А (TA=25°C). Импульсные значения: 40 А (N) и −25 А (P) согласно даташиту.

Какое сопротивление открытого канала?

Для N‑канала — до 30 mΩ @ VGS=10 В, ID=6 А; для P‑канала — до 80 mΩ @ VGS=−10 В, ID=−5 А.

Характеристики
Основные
Максимальное напряжение
60 V
Максимальный ток
6.1 А
Полярность
N-канальный MOSFET
Тип корпуса
SOP-8
Отзывы

Нет отзывов о данном товаре.

Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.

Вопросы и ответы
Добавьте вопрос, и мы ответим в ближайшее время.

Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.

Продовжимо солов'їною?

Оберіть мову