Каталог товарів
Клієнту
Тема сайту:
+38 (066) 305-77-25
Наша адреса
Харків, тимчасово - доставка тільки Новою Поштою, УкрПоштою, МістЕкспрес, ROZETKA Delivery
Телефони
Графік роботи
  • Пн-Пт: з 9 до 18
  • Сб: з 10 до 17
  • Нд: з 11 до 16
E-mail
Ми в соцмережах
Перейти до контактів
0 0
Каталог
Головна
Закладки
0
Порівняти
0
Контакти

Мікросхема NCE4614 корпус SOP-8

Країна-виробник: Китай Код товару: 5515
0
Все про товар
Опис
Характеристики
Відгуки 0
Питання0
В наявності
Код товару: 5515
10.00 грн
Знайшли дешевше?
🚚 Відправка в день замовлення при оформленні до 15:00
Максимальна напруга:40 V
Максимальний струм:8 А
Полярність:N-канальний MOSFET
Тип корпусу:SOP-8
Доставка
Новою Поштою у відділення та поштомати
Новою Поштою у відділення та поштомати
від 80 ₴
ROZETKA Delivery
ROZETKA Delivery
Фіксована 49грн
Укрпоштою у відділення по Україні
Укрпоштою у відділення по Україні
від 45 ₴
Meest Express
Meest Express
від 60 ₴
Оплата
Оплата карткою Оплата карткою
Переказ на картку Переказ на картку
Оплата на IBAN Оплата на IBAN
Безготівковий розрахунок Безготівковий розрахунок
Післяплата Післяплата
Гарантійні положення
Гарантійні зобов'язання на товари, які були паяні, не поширюються
Мікросхема NCE4614 корпус SOP-8
Код товару: 5515
10.00 грн
Опис

Мікросхема NCE4614 SOP-8

Комплементарна пара N- та P-канальних MOSFET на 40 В у корпусі SOP‑8; може використовуватися для формування рівнево‑зсунутого високобічного ключа.

Основні переваги

Низький опір увімкненого каналу

Типові RDS(on): N‑канал 14 мОм @ 10 В та 19 мОм @ 4.5 В; P‑канал 29 мОм @ −10 В та 34 мОм @ −4.5 В — менші втрати на провідність.

Підтримка керування 4.5 В

У даташиті наведені параметри RDS(on) при VGS=4.5 В для обох каналів, що спрощує керування від логічних рівнів.

Невеликий заряд затвора

Типові Qg: 12 нКл (N) та 13 нКл (P) — сприяє швидкому перемиканню.

Комплементарна пара в одному корпусі

N‑ та P‑канальні MOSFET інтегровані у SOP‑8 для компактних високобічних ключів та комутаційних каскадів.

Ключові характеристики

Тип:N та P‑канальні MOSFET (комплементарна пара)
Корпус:SOP‑8 (SOIC‑8)
VDS (N / P):40 В / −40 В
ID безперервний (TA=25 °C):8 А (N) / −7 А (P)
ID безперервний (TA=70 °C):6 А (N) / −5.5 А (P)
VGS (макс.):±20 В
RDS(on) N @ VGS=10 В:тип. 14 мОм, макс. 19 мОм
RDS(on) N @ VGS=4.5 В:тип. 19 мОм, макс. 29 мОм
RDS(on) P @ VGS=−10 В:тип. 29 мОм, макс. 35 мОм
RDS(on) P @ VGS=−4.5 В:тип. 34 мОм, макс. 45 мОм
Заряд затвора Qg (N / P):тип. 12 нКл / 13 нКл
Пульсовий струм IDM (N / P):40 А / −30 А
Потужність розсіювання (TA=25 °C):2.0 Вт (кожен канал)
Тепловий опір RθJA:62.5 °C/Вт (N та P)
Діапазон температур:−55…+150 °C

Детальні технічні параметри

  • Технологія: trench; поверхневий монтаж у корпусі SOP‑8.
  • Поріг VGS(th): N‑канал 1.0…2.0 В (тип. 1.5 В); P‑канал −1.0…−2.0 В (тип. −1.5 В).
  • Ємності (типові, f=1 МГц): N — Ciss 415 пФ, Coss 112 пФ, Crss 11 пФ @ VDS=20 В; P — Ciss 520 пФ, Coss 100 пФ, Crss 65 пФ @ VDS=−20 В.
  • Часові параметри (тип.): N — td(on)=4 нс, tr=3 нс, td(off)=15 нс, tf=2 нс (VDD=20 В, RL=2.5 Ω, VGS=10 В, RGEN=3 Ω); P — td(on)=7.5 нс, tr=5.5 нс, td(off)=19 нс, tf=7 нс (VDD=−20 В, RL=2.3 Ω, VGS=−10 В, RGEN=6 Ω).
  • Діоди джерело‑стік: VSD (N) тип. 0.8 В, макс. 1.2 В @ IS=8 А; VSD (P) макс. −1.2 В @ IS=−10 А.
  • Застосування з документації: може використовуватися для рівнево‑зсунутого високобічного ключа та інших комутаційних застосувань.
Примітка: параметри базуються на документації Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd для NCE4614. Джерело: Wuxi NCE Power Semiconductor Datasheet (PDF).

Основні сфери застосування

  • Рівнево‑зсунуті високобічні ключі (high‑side switch).
  • Комплементарні комутаційні вузли та загальні схеми керування навантаженням.

Сумісні позначення та альтернативи

Прямі аналоги/заміни не наведені у даташиті. Підбір альтернатив здійснюйте за напругою 40 В, струмом 8 А/−7 А, показниками RDS(on) та корпусом SOP‑8.

Питання-відповіді (FAQ)

Це один чи два транзистори?

Це комплементарна пара: один N‑канальний і один P‑канальний MOSFET у спільному корпусі SOP‑8.

Які граничні напруга та струм?

VDS: 40 В (N) / −40 В (P); безперервний струм при TA=25 °C: 8 А (N) / −7 А (P); VGS (макс.): ±20 В.

Чи підтримується керування затвором 4.5 В?

Так. У специфікації наведені значення RDS(on) при VGS=4.5 В для обох каналів.

Характеристики
Основні
Максимальна напруга
40 V
Максимальний струм
8 А
Полярність
N-канальний MOSFET
Тип корпусу
SOP-8
Відгуки

Відгуків про цей товар ще не було.

Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.

Питання та відповіді
Додайте питання, і ми відповімо найближчим часом.

Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.