Мікросхема NCE4614 корпус SOP-8
Мікросхема NCE4614 SOP-8
Комплементарна пара N- та P-канальних MOSFET на 40 В у корпусі SOP‑8; може використовуватися для формування рівнево‑зсунутого високобічного ключа.
Основні переваги
Типові RDS(on): N‑канал 14 мОм @ 10 В та 19 мОм @ 4.5 В; P‑канал 29 мОм @ −10 В та 34 мОм @ −4.5 В — менші втрати на провідність.
У даташиті наведені параметри RDS(on) при VGS=4.5 В для обох каналів, що спрощує керування від логічних рівнів.
Типові Qg: 12 нКл (N) та 13 нКл (P) — сприяє швидкому перемиканню.
N‑ та P‑канальні MOSFET інтегровані у SOP‑8 для компактних високобічних ключів та комутаційних каскадів.
Ключові характеристики
| Тип: | N та P‑канальні MOSFET (комплементарна пара) |
|---|---|
| Корпус: | SOP‑8 (SOIC‑8) |
| VDS (N / P): | 40 В / −40 В |
| ID безперервний (TA=25 °C): | 8 А (N) / −7 А (P) |
| ID безперервний (TA=70 °C): | 6 А (N) / −5.5 А (P) |
| VGS (макс.): | ±20 В |
| RDS(on) N @ VGS=10 В: | тип. 14 мОм, макс. 19 мОм |
| RDS(on) N @ VGS=4.5 В: | тип. 19 мОм, макс. 29 мОм |
| RDS(on) P @ VGS=−10 В: | тип. 29 мОм, макс. 35 мОм |
| RDS(on) P @ VGS=−4.5 В: | тип. 34 мОм, макс. 45 мОм |
| Заряд затвора Qg (N / P): | тип. 12 нКл / 13 нКл |
| Пульсовий струм IDM (N / P): | 40 А / −30 А |
| Потужність розсіювання (TA=25 °C): | 2.0 Вт (кожен канал) |
| Тепловий опір RθJA: | 62.5 °C/Вт (N та P) |
| Діапазон температур: | −55…+150 °C |
Детальні технічні параметри
- Технологія: trench; поверхневий монтаж у корпусі SOP‑8.
- Поріг VGS(th): N‑канал 1.0…2.0 В (тип. 1.5 В); P‑канал −1.0…−2.0 В (тип. −1.5 В).
- Ємності (типові, f=1 МГц): N — Ciss 415 пФ, Coss 112 пФ, Crss 11 пФ @ VDS=20 В; P — Ciss 520 пФ, Coss 100 пФ, Crss 65 пФ @ VDS=−20 В.
- Часові параметри (тип.): N — td(on)=4 нс, tr=3 нс, td(off)=15 нс, tf=2 нс (VDD=20 В, RL=2.5 Ω, VGS=10 В, RGEN=3 Ω); P — td(on)=7.5 нс, tr=5.5 нс, td(off)=19 нс, tf=7 нс (VDD=−20 В, RL=2.3 Ω, VGS=−10 В, RGEN=6 Ω).
- Діоди джерело‑стік: VSD (N) тип. 0.8 В, макс. 1.2 В @ IS=8 А; VSD (P) макс. −1.2 В @ IS=−10 А.
- Застосування з документації: може використовуватися для рівнево‑зсунутого високобічного ключа та інших комутаційних застосувань.
Основні сфери застосування
- Рівнево‑зсунуті високобічні ключі (high‑side switch).
- Комплементарні комутаційні вузли та загальні схеми керування навантаженням.
Сумісні позначення та альтернативи
Питання-відповіді (FAQ)
Це комплементарна пара: один N‑канальний і один P‑канальний MOSFET у спільному корпусі SOP‑8.
VDS: 40 В (N) / −40 В (P); безперервний струм при TA=25 °C: 8 А (N) / −7 А (P); VGS (макс.): ±20 В.
Так. У специфікації наведені значення RDS(on) при VGS=4.5 В для обох каналів.
Відгуків про цей товар ще не було.
Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.
Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.