Микросхема NCE4614 корпус SOP-8

Name: Микросхема NCE4614 корпус SOP-8
Brand: Мій Проект
SKU: 5515
Price: 10.00 UAH
Availability: InStock

Страна-производитель: Китай Код товара: 5515

Все о товаре

Описание

Характеристики

Отзывы 0

Вопросы0

Есть в наличии

Код товара: 5515

10.00 грн

Нашли дешевле?

Максимальное напряжение:40 V

Максимальный ток:8 А

Полярность:N-канальный MOSFET

Тип корпуса:SOP-8

Доставка

Новой почтой в отделения и почтоматы

от 80 ₴

ROZETKA Delivery

Фиксировано 49 грн

Укрпочтой в отделение по Украине

от 45 ₴

Meest Express

от 60 ₴

Оплата

Оплата картой

Перевод на карточку

Оплата на IBAN

Безналичный расчет

Наложенный платеж

Гарантийные положения

Гарантийные обязательства на товары, которые были паяные, не распространяются

Микросхема NCE4614 корпус SOP-8

Код товара: 5515

10.00 грн

Описание

Микросхема NCE4614 SOP-8

Комплементарная пара N- и P-канальных MOSFET на 40 В в корпусе SOP‑8; может использоваться для формирования уровнесмещенного высокобокового ключа.

Основные преимущества

Низкое сопротивление включенного канала

Типичные RDS(on): N‑канал 14 мОм @ 10 В и 19 мОм @ 4.5 В; P‑канал 29 мОм @ −10 В и 34 мОм @ −4.5 В — меньшие потери на проводимость.

Поддержка управления 4.5 В

В даташите приведены параметры RDS(on) при VGS=4.5 В для обоих каналов, что упрощает управление от логических уровней.

Небольшой заряд затвора

Типичные Qg: 12 нКл (N) и 13 нКл (P) — способствует быстрому переключению.

Комплементарная пара в одном корпусе

N‑ и P‑канальные MOSFET интегрированы в SOP‑8 для компактных высокобоковых ключей и коммутационных каскадов.

Ключевые характеристики

Тип:	N- и P‑канальные MOSFET (комплементарная пара)
Корпус:	SOP‑8 (SOIC‑8)
VDS (N / P):	40 В / −40 В
ID непрерывный (TA=25 °C):	8 А (N) / −7 А (P)
ID непрерывный (TA=70 °C):	6 А (N) / −5.5 А (P)
VGS (макс.):	±20 В
RDS(on) N @ VGS=10 В:	тип. 14 мОм, макс. 19 мОм
RDS(on) N @ VGS=4.5 В:	тип. 19 мОм, макс. 29 мОм
RDS(on) P @ VGS=−10 В:	тип. 29 мОм, макс. 35 мОм
RDS(on) P @ VGS=−4.5 В:	тип. 34 мОм, макс. 45 мОм
Заряд затвора Qg (N / P):	тип. 12 нКл / 13 нКл
Импульсный ток IDM (N / P):	40 А / −30 А
Мощность рассеяния (TA=25 °C):	2.0 Вт (каждый канал)
Тепловое сопротивление RθJA:	62.5 °C/Вт (N и P)
Диапазон температур:	−55…+150 °C

Детальные технические параметры

Технология: trench; поверхностный монтаж в корпусе SOP‑8.
Порог VGS(th): N‑канал 1.0…2.0 В (тип. 1.5 В); P‑канал −1.0…−2.0 В (тип. −1.5 В).
Емкости (типичные, f=1 МГц): N — Ciss 415 пФ, Coss 112 пФ, Crss 11 пФ @ VDS=20 В; P — Ciss 520 пФ, Coss 100 пФ, Crss 65 пФ @ VDS=−20 В.
Временные параметры (тип.): N — td(on)=4 нс, tr=3 нс, td(off)=15 нс, tf=2 нс (VDD=20 В, RL=2.5 Ω, VGS=10 В, RGEN=3 Ω); P — td(on)=7.5 нс, tr=5.5 нс, td(off)=19 нс, tf=7 нс (VDD=−20 В, RL=2.3 Ω, VGS=−10 В, RGEN=6 Ω).
Диоды исток‑сток: VSD (N) тип. 0.8 В, макс. 1.2 В @ IS=8 А; VSD (P) макс. −1.2 В @ IS=−10 А.
Применение из документации: может использоваться для уровнесмещенного высокобокового ключа и других коммутационных применений.

Примечание: параметры основаны на документации Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd для NCE4614. Источник: Wuxi NCE Power Semiconductor Datasheet (PDF).

Основные области применения

Уровнесмещенные высокобоковые ключи (high‑side switch).
Комплементарные коммутирующие узлы и общие схемы управления нагрузкой.

Совместимые обозначения и альтернативы

Прямые аналоги/замены не приведены в даташите. Подбор альтернатив осуществляйте по напряжению 40 В, току 8 А/−7 А, показателям RDS(on) и корпусу SOP‑8.