Вы смотрели
Каталог товаров
Клиенту
Тема сайта:
+38 (066) 305-77-25
Наш адрес
Харьков, времено - только доставка Новой Почтой, УкрПочтой, МистЕкспрес, ROZETKA Delivery
Телефоны:
Время работы
  • Пн-Пт: с 9 до 18
  • Сб.: с 10 до 17
  • Вс: с 11 до 16
E-mail
Мы в соцсетях
Перейти в контакты
0 0
Каталог
Главная
Смотрели
1
Закладки
0
Сравнить
0
Контакты

Микросхема NCE4614 корпус SOP-8

Страна-производитель: Китай Код товара: 5515
0
Все о товаре
Описание
Характеристики
Отзывы 0
Вопросы0
Есть в наличии
Код товара: 5515
10.00 грн
Нашли дешевле?
🚚 Відправка в день замовлення при оформленні до 15:00
Максимальное напряжение:40 V
Максимальный ток:8 А
Полярность:N-канальный MOSFET
Тип корпуса:SOP-8
Доставка
Новой почтой в отделения и почтоматы
Новой почтой в отделения и почтоматы
от 80 ₴
ROZETKA Delivery
ROZETKA Delivery
Фиксировано 49 грн
Укрпочтой в отделение по Украине
Укрпочтой в отделение по Украине
от 45 ₴
Meest Express
Meest Express
от 60 ₴
Оплата
Оплата картой Оплата картой
Перевод на карточку Перевод на карточку
Оплата на IBAN Оплата на IBAN
Безналичный расчет Безналичный расчет
Наложенный платеж Наложенный платеж
Гарантийные положения
Гарантийные обязательства на товары, которые были паяные, не распространяются
Микросхема NCE4614 корпус SOP-8
Код товара: 5515
10.00 грн
Описание

Микросхема NCE4614 SOP-8

Комплементарная пара N- и P-канальных MOSFET на 40 В в корпусе SOP‑8; может использоваться для формирования уровнесмещенного высокобокового ключа.

Основные преимущества

Низкое сопротивление включенного канала

Типичные RDS(on): N‑канал 14 мОм @ 10 В и 19 мОм @ 4.5 В; P‑канал 29 мОм @ −10 В и 34 мОм @ −4.5 В — меньшие потери на проводимость.

Поддержка управления 4.5 В

В даташите приведены параметры RDS(on) при VGS=4.5 В для обоих каналов, что упрощает управление от логических уровней.

Небольшой заряд затвора

Типичные Qg: 12 нКл (N) и 13 нКл (P) — способствует быстрому переключению.

Комплементарная пара в одном корпусе

N‑ и P‑канальные MOSFET интегрированы в SOP‑8 для компактных высокобоковых ключей и коммутационных каскадов.

Ключевые характеристики

Тип:N- и P‑канальные MOSFET (комплементарная пара)
Корпус:SOP‑8 (SOIC‑8)
VDS (N / P):40 В / −40 В
ID непрерывный (TA=25 °C):8 А (N) / −7 А (P)
ID непрерывный (TA=70 °C):6 А (N) / −5.5 А (P)
VGS (макс.):±20 В
RDS(on) N @ VGS=10 В:тип. 14 мОм, макс. 19 мОм
RDS(on) N @ VGS=4.5 В:тип. 19 мОм, макс. 29 мОм
RDS(on) P @ VGS=−10 В:тип. 29 мОм, макс. 35 мОм
RDS(on) P @ VGS=−4.5 В:тип. 34 мОм, макс. 45 мОм
Заряд затвора Qg (N / P):тип. 12 нКл / 13 нКл
Импульсный ток IDM (N / P):40 А / −30 А
Мощность рассеяния (TA=25 °C):2.0 Вт (каждый канал)
Тепловое сопротивление RθJA:62.5 °C/Вт (N и P)
Диапазон температур:−55…+150 °C

Детальные технические параметры

  • Технология: trench; поверхностный монтаж в корпусе SOP‑8.
  • Порог VGS(th): N‑канал 1.0…2.0 В (тип. 1.5 В); P‑канал −1.0…−2.0 В (тип. −1.5 В).
  • Емкости (типичные, f=1 МГц): N — Ciss 415 пФ, Coss 112 пФ, Crss 11 пФ @ VDS=20 В; P — Ciss 520 пФ, Coss 100 пФ, Crss 65 пФ @ VDS=−20 В.
  • Временные параметры (тип.): N — td(on)=4 нс, tr=3 нс, td(off)=15 нс, tf=2 нс (VDD=20 В, RL=2.5 Ω, VGS=10 В, RGEN=3 Ω); P — td(on)=7.5 нс, tr=5.5 нс, td(off)=19 нс, tf=7 нс (VDD=−20 В, RL=2.3 Ω, VGS=−10 В, RGEN=6 Ω).
  • Диоды исток‑сток: VSD (N) тип. 0.8 В, макс. 1.2 В @ IS=8 А; VSD (P) макс. −1.2 В @ IS=−10 А.
  • Применение из документации: может использоваться для уровнесмещенного высокобокового ключа и других коммутационных применений.
Примечание: параметры основаны на документации Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd для NCE4614. Источник: Wuxi NCE Power Semiconductor Datasheet (PDF).

Основные области применения

  • Уровнесмещенные высокобоковые ключи (high‑side switch).
  • Комплементарные коммутирующие узлы и общие схемы управления нагрузкой.

Совместимые обозначения и альтернативы

Прямые аналоги/замены не приведены в даташите. Подбор альтернатив осуществляйте по напряжению 40 В, току 8 А/−7 А, показателям RDS(on) и корпусу SOP‑8.

Вопросы‑ответы (FAQ)

Это один или два транзистора?

Это комплементарная пара: один N‑канальный и один P‑канальный MOSFET в общем корпусе SOP‑8.

Какие предельные напряжение и ток?

VDS: 40 В (N) / −40 В (P); непрерывный ток при TA=25 °C: 8 А (N) / −7 А (P); VGS (макс.): ±20 В.

Поддерживается ли управление затвором 4.5 В?

Да. В спецификации приведены значения RDS(on) при VGS=4.5 В для обоих каналов.

Характеристики
Основные
Максимальное напряжение
40 V
Максимальный ток
8 А
Полярность
N-канальный MOSFET
Тип корпуса
SOP-8
Отзывы

Нет отзывов о данном товаре.

Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.

Вопросы и ответы
Добавьте вопрос, и мы ответим в ближайшее время.

Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.

Вы смотрели
XL4015 понижающий модуль DC-DC (4-38V до 1.25-36V) 5А
Код товара: 1204
В наличии
0
84.00 грн