


Комплементарная пара N- и P-канальных MOSFET на 40 В в корпусе SOP‑8; может использоваться для формирования уровнесмещенного высокобокового ключа.
Типичные RDS(on): N‑канал 14 мОм @ 10 В и 19 мОм @ 4.5 В; P‑канал 29 мОм @ −10 В и 34 мОм @ −4.5 В — меньшие потери на проводимость.
В даташите приведены параметры RDS(on) при VGS=4.5 В для обоих каналов, что упрощает управление от логических уровней.
Типичные Qg: 12 нКл (N) и 13 нКл (P) — способствует быстрому переключению.
N‑ и P‑канальные MOSFET интегрированы в SOP‑8 для компактных высокобоковых ключей и коммутационных каскадов.
Тип: | N- и P‑канальные MOSFET (комплементарная пара) |
---|---|
Корпус: | SOP‑8 (SOIC‑8) |
VDS (N / P): | 40 В / −40 В |
ID непрерывный (TA=25 °C): | 8 А (N) / −7 А (P) |
ID непрерывный (TA=70 °C): | 6 А (N) / −5.5 А (P) |
VGS (макс.): | ±20 В |
RDS(on) N @ VGS=10 В: | тип. 14 мОм, макс. 19 мОм |
RDS(on) N @ VGS=4.5 В: | тип. 19 мОм, макс. 29 мОм |
RDS(on) P @ VGS=−10 В: | тип. 29 мОм, макс. 35 мОм |
RDS(on) P @ VGS=−4.5 В: | тип. 34 мОм, макс. 45 мОм |
Заряд затвора Qg (N / P): | тип. 12 нКл / 13 нКл |
Импульсный ток IDM (N / P): | 40 А / −30 А |
Мощность рассеяния (TA=25 °C): | 2.0 Вт (каждый канал) |
Тепловое сопротивление RθJA: | 62.5 °C/Вт (N и P) |
Диапазон температур: | −55…+150 °C |
Это комплементарная пара: один N‑канальный и один P‑канальный MOSFET в общем корпусе SOP‑8.
VDS: 40 В (N) / −40 В (P); непрерывный ток при TA=25 °C: 8 А (N) / −7 А (P); VGS (макс.): ±20 В.
Да. В спецификации приведены значения RDS(on) при VGS=4.5 В для обоих каналов.
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.