Мікросхема NCE4606 корпус SOP-8

Name: Мікросхема NCE4606 корпус SOP-8
Brand: Мій Проект
SKU: 5514
Price: 10.00 UAH
Availability: InStock

Країна-виробник: Китай Код товару: 5514

Все про товар

Опис

Характеристики

Відгуки 0

Питання0

В наявності

Код товару: 5514

10.00 грн

Знайшли дешевше?

Максимальна напруга:30 V

Максимальний струм:6.8 А

Полярність:N-канальний MOSFET

Тип корпусу:SOP-8

Доставка

Новою Поштою у відділення та поштомати

від 80 ₴

ROZETKA Delivery

Фіксована 49грн

Укрпоштою у відділення по Україні

від 45 ₴

Meest Express

від 60 ₴

Оплата

Оплата карткою

Переказ на картку

Оплата на IBAN

Безготівковий розрахунок

Післяплата

Гарантійні положення

Гарантійні зобов'язання на товари, які були паяні, не поширюються

Мікросхема NCE4606 корпус SOP-8

Код товару: 5514

10.00 грн

Опис

NCE4606 SOP-8

Комплементарна пара MOSFET (N‑ і P‑канал) на 30 В у корпусі SOP‑8 для рівнепереміщених високосторонніх ключів і загальної комутації живлення. ([alldatasheet.com](https://www.alldatasheet.com/html-pdf/775383/NCEPOWER/NCE4606/384/1/NCE4606.html))

Основні переваги

Два транзистори в одному корпусі

Комплементарні N‑ і P‑канальні MOSFET спрощують реалізацію високосторонніх ключів та симетричних каскадів. ([alldatasheet.com](https://www.alldatasheet.com/html-pdf/775383/NCEPOWER/NCE4606/384/1/NCE4606.html))

Низькі втрати провідності

RDS(on) N‑канал: тип. 20 мОм, макс. 30 мОм @ VGS=10 В; P‑канал: тип. 28 мОм, макс. 33 мОм @ VGS=−10 В. ([alldatasheet.com](https://www.alldatasheet.com/html-pdf/775383/NCEPOWER/NCE4606/774/2/NCE4606.html))

Швидке перемикання й малий Qg

Типові заряди затвора: N — 13 нКл; P — 9.2 нКл; наносекундні часи перемикання зменшують комутаційні втрати. ([alldatasheet.com](https://www.alldatasheet.com/html-pdf/775383/NCEPOWER/NCE4606/774/2/NCE4606.html))

Надійні граничні параметри

VGS=±20 В; неперервний струм при TA=25°C: 6.5 А (N) / −7 А (P); пульсований струм до ±30 А; робочий діапазон температур −55…+150 °C. ([alldatasheet.com](https://www.alldatasheet.com/html-pdf/775383/NCEPOWER/NCE4606/384/1/NCE4606.html))

Ключові характеристики

Тип:	Комплементарний MOSFET (N + P)
Корпус:	SOP‑8
Напруга стік‑витік (VDS):	N: 30 В; P: −30 В
Макс. напруга затвір‑витік (VGS):	±20 В
Неперервний струм (TA=25°C):	N: 6.5 А; P: −7 А
Неперервний струм (TA=70°C):	N: 5.4 А; P: −5.8 А
Пульсований струм (IDM):	±30 А
RDS(on) N‑канал:	тип. 20 мОм, макс. 30 мОм @ VGS=10 В, ID=6 A
RDS(on) P‑канал:	тип. 28 мОм, макс. 33 мОм @ VGS=−10 В, ID=−6.5 A
Поріг VGS(th):	N: 1…3 В (тип. 1.6 В); P: −1.5…−2.5 В (тип. −1.9 В)
Заряд затвора (Qg), типове:	N: 13 нКл; P: 9.2 нКл
Ємності, типові (N):	Ciss 255 пФ; Coss 45 пФ; Crss 35 пФ
Ємності, типові (P):	Ciss 520 пФ; Coss 100 пФ; Crss 65 пФ
Швидкодія (N):	td(on)=4.5 нс; tr=2.5 нс; td(off)=14.5 нс; tf=3.5 нс
Швидкодія (P):	td(on)=7.5 нс; tr=5.5 нс; td(off)=19 нс; tf=7 нс
Падіння на діоді каналу (VSD):	N: тип. 0.8 В (макс. 1.2 В) @ IS=6 A; P: до 1.2 В @ IS=6.5 A
Потужність розсіювання (PD):	2.0 Вт (TA=25°C, кожен канал)
Тепловий опір RθJA:	62.5 °C/Вт (для N та P каналів)
Діапазон температур (Tj, Tstg):	−55…+150 °C

Детальні технічні параметри

N‑канал (TA=25°C): BVdss ≥ 30 В; IDSS ≤ 1 мкА @ VDS=30 В; IGSS ≤ ±100 нА @ VGS=±20 В; gFS тип. 15 S @ VDS=5 В, ID=6 A.
P‑канал (TA=25°C): BVdss ≤ −30 В; |IDSS| ≤ 1 мкА @ |VDS|=30 В; |IGSS| ≤ ±100 нА @ VGS=±20 В; gFS тип. 10 S @ VDS=−5 В, ID=−6.5 A.
Умови вимірювання швидкодії (N): VDD=15 В, RL=2.5 Ω, VGS=10 В, RGEN=3 Ω; (P): VDD=−15 В, RL=2.3 Ω, VGS=−10 В, RGEN=6 Ω.
Маркування й виводи: SOP‑8, «top view»; пристрій позначається як NCE4606.

Примітка: параметри базуються на документації Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd для NCE4606. Джерело: Wuxi NCE Power Datasheet (PDF). ([alldatasheet.com](https://www.alldatasheet.com/html-pdf/775383/NCEPOWER/NCE4606/384/1/NCE4606.html))

Основні сфери застосування

Рівнепереміщені високосторонні перемикачі живлення.
Загальна комутація постійного струму та керування навантаженнями.
Системи живлення зі зниженими втратами провідності та швидким перемиканням.

Сумісні позначення та альтернативи

Підбирайте комплементарні MOSFET 30 В у корпусі SOP‑8 з подібними ключовими параметрами (VDS, ID, RDS(on), Qg) згідно їх офіційних даташитів.

Питання-відповіді (FAQ)

Це один транзистор чи два?

Два окремі транзистори в одному корпусі: N‑канальний і P‑канальний MOSFET (комплементарна пара). ([alldatasheet.com](https://www.alldatasheet.com/html-pdf/775383/NCEPOWER/NCE4606/384/1/NCE4606.html))

Чи нормоване RDS(on) при 4.5–5 В на затворі?

У даташиті нормування наведене для |VGS|=10 В; значень для 4.5–5 В не вказано. ([alldatasheet.com](https://www.alldatasheet.com/html-pdf/775383/NCEPOWER/NCE4606/774/2/NCE4606.html))

Які граничні значення по VGS та струму?

Макс. VGS=±20 В; неперервний струм при TA=25°C: 6.5 А (N) / −7 А (P); пульсований струм до ±30 А. ([alldatasheet.com](https://www.alldatasheet.com/html-pdf/775383/NCEPOWER/NCE4606/384/1/NCE4606.html))

Характеристики

Основні

Максимальна напруга

30 V

Максимальний струм

6.8 А

Полярність

N-канальний MOSFET

Тип корпусу

SOP-8

Відгуки

Відгуків про цей товар ще не було.

Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.

Питання та відповіді

Додайте питання, і ми відповімо найближчим часом.

Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.