Микросхема NCE4606 корпус SOP-8
NCE4606 SOP-8
Комплементарная пара MOSFET (N‑ и P‑канал) на 30 В в корпусе SOP‑8 для верхних ключей с уровневым сдвигом и общей коммутации питания. ([alldatasheet.com](https://www.alldatasheet.com/html-pdf/775383/NCEPOWER/NCE4606/384/1/NCE4606.html))
Основные преимущества
Комплементарные N‑ и P‑канальные MOSFET упрощают реализацию верхних ключей и симметричных каскадов. ([alldatasheet.com](https://www.alldatasheet.com/html-pdf/775383/NCEPOWER/NCE4606/384/1/NCE4606.html))
RDS(on) N‑канал: тип. 20 мОм, макс. 30 мОм @ VGS=10 В; P‑канал: тип. 28 мОм, макс. 33 мОм @ VGS=−10 В. ([alldatasheet.com](https://www.alldatasheet.com/html-pdf/775383/NCEPOWER/NCE4606/774/2/NCE4606.html))
Типовые заряды затвора: N — 13 нКл; P — 9.2 нКл; наносекундные времена переключения уменьшают коммутационные потери. ([alldatasheet.com](https://www.alldatasheet.com/html-pdf/775383/NCEPOWER/NCE4606/774/2/NCE4606.html))
VGS=±20 В; непрерывный ток при TA=25°C: 6.5 А (N) / −7 А (P); импульсный ток до ±30 А; рабочий диапазон температур −55…+150 °C. ([alldatasheet.com](https://www.alldatasheet.com/html-pdf/775383/NCEPOWER/NCE4606/384/1/NCE4606.html))
Ключевые характеристики
| Тип: | Комплементарный MOSFET (N + P) |
|---|---|
| Корпус: | SOP‑8 |
| Напряжение сток‑исток (VDS): | N: 30 В; P: −30 В |
| Макс. напряжение затвор‑исток (VGS): | ±20 В |
| Непрерывный ток (TA=25°C): | N: 6.5 А; P: −7 А |
| Непрерывный ток (TA=70°C): | N: 5.4 А; P: −5.8 А |
| Импульсный ток (IDM): | ±30 А |
| RDS(on) N‑канал: | тип. 20 мОм, макс. 30 мОм @ VGS=10 В, ID=6 A |
| RDS(on) P‑канал: | тип. 28 мОм, макс. 33 мОм @ VGS=−10 В, ID=−6.5 A |
| Порог VGS(th): | N: 1…3 В (тип. 1.6 В); P: −1.5…−2.5 В (тип. −1.9 В) |
| Заряд затвора (Qg), типовое: | N: 13 нКл; P: 9.2 нКл |
| Емкости, типовые (N): | Ciss 255 пФ; Coss 45 пФ; Crss 35 пФ |
| Емкости, типовые (P): | Ciss 520 пФ; Coss 100 пФ; Crss 65 пФ |
| Быстродействие (N): | td(on)=4.5 нс; tr=2.5 нс; td(off)=14.5 нс; tf=3.5 нс |
| Быстродействие (P): | td(on)=7.5 нс; tr=5.5 нс; td(off)=19 нс; tf=7 нс |
| Падение на диоде канала (VSD): | N: тип. 0.8 В (макс. 1.2 В) @ IS=6 A; P: до 1.2 В @ IS=6.5 A |
| Рассеиваемая мощность (PD): | 2.0 Вт (TA=25°C, каждый канал) |
| Тепловое сопротивление RθJA: | 62.5 °C/Вт (для N и P каналов) |
| Диапазон температур (Tj, Tstg): | −55…+150 °C |
Детальные технические параметры
- N‑канал (TA=25°C): BVdss ≥ 30 В; IDSS ≤ 1 мкА @ VDS=30 В; IGSS ≤ ±100 нА @ VGS=±20 В; gFS тип. 15 S @ VDS=5 В, ID=6 A.
- P‑канал (TA=25°C): BVdss ≤ −30 В; |IDSS| ≤ 1 мкА @ |VDS|=30 В; |IGSS| ≤ ±100 нА @ VGS=±20 В; gFS тип. 10 S @ VDS=−5 В, ID=−6.5 A.
- Условия измерения быстродействия (N): VDD=15 В, RL=2.5 Ω, VGS=10 В, RGEN=3 Ω; (P): VDD=−15 В, RL=2.3 Ω, VGS=−10 В, RGEN=6 Ω.
- Маркировка и выводы: SOP‑8, «top view»; устройство обозначается как NCE4606.
Основные области применения
- Верхние переключатели питания с уровневым сдвигом.
- Общая коммутация постоянного тока и управление нагрузками.
- Системы питания с пониженными потерями проводимости и быстрым переключением.
Совместимые обозначения и альтернативы
Вопросы-ответы (FAQ)
Два отдельных транзистора в одном корпусе: N‑канальный и P‑канальный MOSFET (комплементарная пара). ([alldatasheet.com](https://www.alldatasheet.com/html-pdf/775383/NCEPOWER/NCE4606/384/1/NCE4606.html))
В даташите нормирование приведено для |VGS|=10 В; значений для 4.5–5 В не указано. ([alldatasheet.com](https://www.alldatasheet.com/html-pdf/775383/NCEPOWER/NCE4606/774/2/NCE4606.html))
Макс. VGS=±20 В; непрерывный ток при TA=25°C: 6.5 А (N) / −7 А (P); импульсный ток до ±30 А. ([alldatasheet.com](https://www.alldatasheet.com/html-pdf/775383/NCEPOWER/NCE4606/384/1/NCE4606.html))
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.