Мікросхема NCE4435 корпус SOP-8

Name: Мікросхема NCE4435 корпус SOP-8
Brand: Мій Проект
SKU: 5513
Price: 9.00 UAH
Availability: InStock

Країна-виробник: Китай Код товару: 5513

Все про товар

Опис

Характеристики

Відгуки 0

Питання1

В наявності

Код товару: 5513

9.00 грн

Знайшли дешевше?

Максимальна напруга:30 V

Максимальний струм:9.1 А

Полярність:Р-канальний MOSFET

Тип корпусу:SOP-8

Доставка

Новою Поштою у відділення та поштомати

від 80 ₴

ROZETKA Delivery

Фіксована 49грн

Укрпоштою у відділення по Україні

від 45 ₴

Meest Express

від 60 ₴

Оплата

Оплата карткою

Переказ на картку

Оплата на IBAN

Безготівковий розрахунок

Післяплата

Гарантійні положення

Гарантійні зобов'язання на товари, які були паяні, не поширюються

Мікросхема NCE4435 корпус SOP-8

Код товару: 5513

9.00 грн

Опис

Мікросхема NCE4435 SOP-8

P‑канальний MOSFET (−30 В) у корпусі SOP‑8 з низьким опором відкритого каналу та можливістю керування від −4.5 В на затворі — для комутації живлення та вузлів керування.

Основні переваги

Низькі втрати провідності

RDS(on) тип. 16 мОм (макс. 20 мОм) при VGS = −10 В; тип. 21 мОм (макс. 35 мОм) при VGS = −4.5 В — менший нагрів і вища ефективність.

Керування від −4.5 В

Робота з низькою напругою на затворі спрощує сумісність із мікроконтролерами та драйверами.

Висока струмова здатність

Безперервний струм до −9.1 А (TA = 25°C), до −11 А (TC = 25°C) та імпульсний до −50 А забезпечують запас для пускових навантажень.

Стандартний SMD‑формат

Компактний SOP‑8 із типовым маркуванням «4435» полегшує інтеграцію в друковані плати.

Ключові характеристики

Тип:	P‑канальний MOSFET (enhancement mode)
Корпус:	SOP‑8
Маркування на корпусі:	4435
VDS (макс.):	−30 В
VGS (діапазон):	±20 В
ID (TA = 25°C):	−9.1 А
ID (TA = 70°C):	−7.2 А
ID (TC = 25°C):	−11 А
ID (TC = 70°C):	−9 А
IDM (імпульсний):	−50 А
RDS(on) @ VGS = −10 В:	тип. 16 мОм; макс. 20 мОм (ID = −9.1 А)
RDS(on) @ VGS = −4.5 В:	тип. 21 мОм; макс. 35 мОм (ID = −6.9 А)
VGS(th) (поріг):	мін. −1 В; тип. −1.5 В; макс. −3 В (ID = −250 μA)
Qg (загальний заряд затвора):	тип. 30 нКл (VDS = −15 В, ID = −9.1 А, VGS = −10 В)
Ємності (тип.):	Ciss 1600 пФ; Coss 350 пФ; Crss 300 пФ (VDS = −15 В, VGS = 0 В, f = 1 МГц)
Часи перемикання (тип.):	td(on) 10 нс; tr 15 нс; td(off) 110 нс; tf 70 нс (VDD = −15 В, ID = −1 А, VGS = −10 В, RGEN = 6 Ω)
VSD (вбудований діод):	макс. 1.2 В @ IS = −2.1 А, VGS = 0 В
Потужність розсіювання PD:	3.1 Вт
RθJA (тип.):	40 °C/Вт
Діапазон температур TJ, TSTG:	−55 … +150 °C

Детальні технічні параметри

Гарантовані RDS(on): < 35 мОм @ VGS = −4.5 В; < 20 мОм @ VGS = −10 В.
Заряд затвора (тип.): Qg 30 нКл; Qgs 5.5 нКл; Qgd 8 нКл (VDS = −15 В, ID = −9.1 А, VGS = −10 В).
Ємнісні параметри (тип.): Ciss 1600 пФ; Coss 350 пФ; Crss 300 пФ при VDS = −15 В, VGS = 0 В, f = 1 МГц.
Типові часи перемикання: td(on) 10 нс; tr 15 нс; td(off) 110 нс; tf 70 нс (VDD = −15 В, ID = −1 А, VGS = −10 В, RGEN = 6 Ω).
Вбудований діод: VSD макс. 1.2 В при IS = −2.1 А (VGS = 0 В).
Теплові примітки виробника: RθJA 40 °C/Вт за умови монтажу на FR‑4, t ≤ 10 с (примітка в даташиті).

Примітка: параметри базуються на документації Wuxi NCE Power Semiconductor для NCE4435. Джерело: Wuxi NCE Power Semiconductor Datasheet (PDF).

Основні сфери застосування

Комутація батареї (Battery Switch).
Керування навантаженнями (Load Switch).
Системи керування живленням (Power Management).

Сумісні позначення та альтернативи

У даташиті не наведено прямих аналогів або замін; типове корпусне маркування — «4435».

Питання-відповіді (FAQ)

Яка максимальна напруга між стоком і витоком (VDS)?

Максимальна VDS становить −30 В.

Чи підтримується керування від −4.5 В на затворі?

Так. Гарантовано RDS(on) до 35 мОм при VGS = −4.5 В (ID = −6.9 А), що підтверджує роботу від низької напруги керування.

Який імпульсний струм допустимий?

Імпульсний струм становить до −50 А (обмежено максимальною температурою переходу).

Характеристики

Основні

Максимальна напруга

30 V

Максимальний струм

9.1 А

Полярність

Р-канальний MOSFET

Тип корпусу

SOP-8

Відгуки

Відгуків про цей товар ще не було.

Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.

Питання та відповіді

Додайте питання, і ми відповімо найближчим часом.

Михаил

22 березня (11:45)

В даташите P chanel, у вас N?

Відповідь:

22 березня (11:55)

Дякуємо за уважність. Була помилка, вже виправили. Зверніться у зручний меседжер за промокодом