Микросхема NCE4435 корпус SOP-8
Микросхема NCE4435 SOP-8
P‑канальный MOSFET (−30 В) в корпусе SOP‑8 с низким сопротивлением открытого канала и возможностью управления от −4.5 В на затворе — для коммутации питания и узлов управления.
Основные преимущества
RDS(on) тип. 16 мОм (макс. 20 мОм) при VGS = −10 В; тип. 21 мОм (макс. 35 мОм) при VGS = −4.5 В — меньший нагрев и более высокая эффективность.
Работа при низком напряжении на затворе упрощает совместимость с микроконтроллерами и драйверами.
Непрерывный ток до −9.1 А (TA = 25°C), до −11 А (TC = 25°C) и импульсный до −50 А обеспечивают запас для пусковых нагрузок.
Компактный SOP‑8 с типовой маркировкой «4435» облегчает интеграцию в печатные платы.
Ключевые характеристики
| Тип: | P‑канальный MOSFET (enhancement mode) |
|---|---|
| Корпус: | SOP‑8 |
| Маркировка на корпусе: | 4435 |
| VDS (макс.): | −30 В |
| VGS (диапазон): | ±20 В |
| ID (TA = 25°C): | −9.1 А |
| ID (TA = 70°C): | −7.2 А |
| ID (TC = 25°C): | −11 А |
| ID (TC = 70°C): | −9 А |
| IDM (импульсный): | −50 А |
| RDS(on) @ VGS = −10 В: | тип. 16 мОм; макс. 20 мОм (ID = −9.1 А) |
| RDS(on) @ VGS = −4.5 В: | тип. 21 мОм; макс. 35 мОм (ID = −6.9 А) |
| VGS(th) (порог): | мин. −1 В; тип. −1.5 В; макс. −3 В (ID = −250 мкА) |
| Qg (общий заряд затвора): | тип. 30 нКл (VDS = −15 В, ID = −9.1 А, VGS = −10 В) |
| Емкости (тип.): | Ciss 1600 пФ; Coss 350 пФ; Crss 300 пФ (VDS = −15 В, VGS = 0 В, f = 1 МГц) |
| Времена переключения (тип.): | td(on) 10 нс; tr 15 нс; td(off) 110 нс; tf 70 нс (VDD = −15 В, ID = −1 А, VGS = −10 В, RGEN = 6 Ω) |
| VSD (встроенный диод): | макс. 1.2 В @ IS = −2.1 А, VGS = 0 В |
| Мощность рассеяния PD: | 3.1 Вт |
| RθJA (тип.): | 40 °C/Вт |
| Диапазон температур TJ, TSTG: | −55 … +150 °C |
Детальные технические параметры
- Гарантированные RDS(on): < 35 мОм @ VGS = −4.5 В; < 20 мОм @ VGS = −10 В.
- Заряд затвора (тип.): Qg 30 нКл; Qgs 5.5 нКл; Qgd 8 нКл (VDS = −15 В, ID = −9.1 А, VGS = −10 В).
- Емкостные параметры (тип.): Ciss 1600 пФ; Coss 350 пФ; Crss 300 пФ при VDS = −15 В, VGS = 0 В, f = 1 МГц.
- Типичные времена переключения: td(on) 10 нс; tr 15 нс; td(off) 110 нс; tf 70 нс (VDD = −15 В, ID = −1 А, VGS = −10 В, RGEN = 6 Ω).
- Встроенный диод: VSD макс. 1.2 В при IS = −2.1 А (VGS = 0 В).
- Тепловые примечания производителя: RθJA 40 °C/Вт при монтаже на FR‑4, t ≤ 10 с (примечание в даташите).
Основные области применения
- Коммутация батареи (Battery Switch).
- Управление нагрузками (Load Switch).
- Системы управления питанием (Power Management).
Совместимые обозначения и альтернативы
Вопросы-ответы (FAQ)
Максимальное VDS составляет −30 В.
Да. Гарантируется RDS(on) до 35 мОм при VGS = −4.5 В (ID = −6.9 А), что подтверждает работу от низкого управляющего напряжения.
Импульсный ток до −50 А (ограничено максимальной температурой перехода).
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
В даташите P chanel, у вас N?