Каталог товаров
Клиенту
Тема сайта:
+38 (066) 305-77-25
Наш адрес
Харьков, времено - только доставка Новой Почтой, УкрПочтой, МистЕкспрес, ROZETKA Delivery
Телефоны:
Время работы
  • Пн-Пт: с 9 до 18
  • Сб.: с 10 до 17
  • Вс: с 11 до 16
E-mail
[email protected]
Мы в соцсетях
Перейти в контакты
0 0
Каталог
Главная
Закладки
0
Сравнить
0
Контакты

Микросхема NCE4435 корпус SOP-8

Страна-производитель: Китай Код товара: 5513
0
Все о товаре
Описание
Характеристики
Отзывы 0
Вопросы1
Микросхема NCE4435 корпус SOP-8
Есть в наличии
Код товара: 5513
9.00 грн
Нашли дешевле?
🚚 Відправка в день замовлення при оформленні до 15:00
Максимальное напряжение:30 V
Максимальный ток:9.1 А
Полярность:Р-канальный MOSFET
Тип корпуса:SOP-8
Доставка
Новой почтой в отделения и почтоматы
Новой почтой в отделения и почтоматы
от 80 ₴
ROZETKA Delivery
ROZETKA Delivery
Фиксировано 49 грн
Укрпочтой в отделение по Украине
Укрпочтой в отделение по Украине
от 45 ₴
Meest Express
Meest Express
от 60 ₴
Оплата
Оплата картой Оплата картой
Перевод на карточку Перевод на карточку
Оплата на IBAN Оплата на IBAN
Безналичный расчет Безналичный расчет
Наложенный платеж Наложенный платеж
Гарантийные положения
Гарантийные обязательства на товары, которые были паяные, не распространяются
Микросхема NCE4435 корпус SOP-8
Код товара: 5513
9.00 грн
Описание

Микросхема NCE4435 SOP-8

P‑канальный MOSFET (−30 В) в корпусе SOP‑8 с низким сопротивлением открытого канала и возможностью управления от −4.5 В на затворе — для коммутации питания и узлов управления.

Основные преимущества

Низкие потери проводимости

RDS(on) тип. 16 мОм (макс. 20 мОм) при VGS = −10 В; тип. 21 мОм (макс. 35 мОм) при VGS = −4.5 В — меньший нагрев и более высокая эффективность.

Управление от −4.5 В

Работа при низком напряжении на затворе упрощает совместимость с микроконтроллерами и драйверами.

Высокая токовая способность

Непрерывный ток до −9.1 А (TA = 25°C), до −11 А (TC = 25°C) и импульсный до −50 А обеспечивают запас для пусковых нагрузок.

Стандартный SMD‑формат

Компактный SOP‑8 с типовой маркировкой «4435» облегчает интеграцию в печатные платы.

Ключевые характеристики

Тип:P‑канальный MOSFET (enhancement mode)
Корпус:SOP‑8
Маркировка на корпусе:4435
VDS (макс.):−30 В
VGS (диапазон):±20 В
ID (TA = 25°C):−9.1 А
ID (TA = 70°C):−7.2 А
ID (TC = 25°C):−11 А
ID (TC = 70°C):−9 А
IDM (импульсный):−50 А
RDS(on) @ VGS = −10 В:тип. 16 мОм; макс. 20 мОм (ID = −9.1 А)
RDS(on) @ VGS = −4.5 В:тип. 21 мОм; макс. 35 мОм (ID = −6.9 А)
VGS(th) (порог):мин. −1 В; тип. −1.5 В; макс. −3 В (ID = −250 мкА)
Qg (общий заряд затвора):тип. 30 нКл (VDS = −15 В, ID = −9.1 А, VGS = −10 В)
Емкости (тип.):Ciss 1600 пФ; Coss 350 пФ; Crss 300 пФ (VDS = −15 В, VGS = 0 В, f = 1 МГц)
Времена переключения (тип.):td(on) 10 нс; tr 15 нс; td(off) 110 нс; tf 70 нс (VDD = −15 В, ID = −1 А, VGS = −10 В, RGEN = 6 Ω)
VSD (встроенный диод):макс. 1.2 В @ IS = −2.1 А, VGS = 0 В
Мощность рассеяния PD:3.1 Вт
RθJA (тип.):40 °C/Вт
Диапазон температур TJ, TSTG:−55 … +150 °C

Детальные технические параметры

  • Гарантированные RDS(on): < 35 мОм @ VGS = −4.5 В; < 20 мОм @ VGS = −10 В.
  • Заряд затвора (тип.): Qg 30 нКл; Qgs 5.5 нКл; Qgd 8 нКл (VDS = −15 В, ID = −9.1 А, VGS = −10 В).
  • Емкостные параметры (тип.): Ciss 1600 пФ; Coss 350 пФ; Crss 300 пФ при VDS = −15 В, VGS = 0 В, f = 1 МГц.
  • Типичные времена переключения: td(on) 10 нс; tr 15 нс; td(off) 110 нс; tf 70 нс (VDD = −15 В, ID = −1 А, VGS = −10 В, RGEN = 6 Ω).
  • Встроенный диод: VSD макс. 1.2 В при IS = −2.1 А (VGS = 0 В).
  • Тепловые примечания производителя: RθJA 40 °C/Вт при монтаже на FR‑4, t ≤ 10 с (примечание в даташите).
Примечание: параметры основаны на документации Wuxi NCE Power Semiconductor для NCE4435. Источник: Wuxi NCE Power Semiconductor Datasheet (PDF).

Основные области применения

  • Коммутация батареи (Battery Switch).
  • Управление нагрузками (Load Switch).
  • Системы управления питанием (Power Management).

Совместимые обозначения и альтернативы

В даташите не приведены прямые аналоги или замены; типовая корпусная маркировка — «4435».

Вопросы-ответы (FAQ)

Каково максимальное напряжение между стоком и истоком (VDS)?

Максимальное VDS составляет −30 В.

Поддерживается ли управление от −4.5 В на затворе?

Да. Гарантируется RDS(on) до 35 мОм при VGS = −4.5 В (ID = −6.9 А), что подтверждает работу от низкого управляющего напряжения.

Какой импульсный ток допустим?

Импульсный ток до −50 А (ограничено максимальной температурой перехода).

Характеристики
Основные
Максимальное напряжение
30 V
Максимальный ток
9.1 А
Полярность
Р-канальный MOSFET
Тип корпуса
SOP-8
Отзывы

Нет отзывов о данном товаре.

Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.

Вопросы и ответы
Добавьте вопрос, и мы ответим в ближайшее время.
Михаил
22 марта (11:45)

В даташите P chanel, у вас N?

Ответ:
22 марта (11:55)
Дякуємо за уважність. Була помилка, вже виправили. Зверніться у зручний меседжер за промокодом

Продовжимо солов'їною?

Оберіть мову