


Однофазный диодный мост на 1 А и 800 В в корпусе DIP4 для выпрямления переменного напряжения в AC‑DC узлах электроники.
Повышенная надежность и стабильность параметров благодаря glass‑passivated чип‑структуре.
Устойчивость к броскам тока: до 30 А (8.3 мс полуволна синуса) и 60 А (1 мс квадрат).
Макс. прямое напряжение на диод VF ≤ 1.0 В при 0.5 А (Tj=25°C).
RoHS/Lead‑Free; эпоксидный компаунд соответствует UL 94 V‑0; Halogen‑Free (“Green”).
Тип: | Однофазный диодный мост (Single Phase Bridge Rectifier) |
---|---|
Корпус: | DIP4, THT (4 вывода) |
Средний выпрямленный ток IF(AV): | 1 А (при TA=40°C) |
Повторяющееся обратное напряжение VRRM: | 800 В |
RMS входное напряжение VRMS: | 560 В |
Пиковый непериодический импульсный ток IFSM: | 30 А (8.3 мс, полуволна синуса) |
IFSM (короткий импульс): | 60 А (1 мс, квадрат) |
Прямое напряжение на диод VF: | ≤ 1.0 В @ IF=0.5 А, Tj=25°C |
Ток утечки IR: | ≤ 5 µA @ VR (25°C); ≤ 100 µA @ VR (125°C) |
Емкость перехода CJ (тип.): | 12 пФ @ VR=4 В, f=1 МГц, 25°C |
Диапазон температур перехода/хранения: | −55…+150 °C |
Тепловое сопротивление: | Rth(J‑L)=15 °C/Вт; Rth(J‑A)=40 °C/Вт (монтаж на ПП 35×25×1.7 мм) |
Габариты корпуса (мм): | A 8.05–8.51; B 6.20–6.50; C 7.60–8.90; D 6.01–7.60; E 2.60–3.30; G 0.41–0.56; H 5.00–5.20 |
1 А при температуре окружающей среды 40 °C (IF(AV)).
Повторяющееся обратное напряжение VRRM=800 В; RMS входное — 560 В.
В проводящем пути два диода; для каждого VF ≤ 1.0 В @ 0.5 А (25 °C), следовательно суммарно ориентировочно до ~2.0 В при этих условиях.
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.