Каталог товарів
Клієнту
Тема сайту:
+38 (066) 305-77-25
Наша адреса
Харків, тимчасово - доставка тільки Новою Поштою, УкрПоштою, МістЕкспрес, ROZETKA Delivery
Телефони
Графік роботи
  • Пн-Пт: з 9 до 18
  • Сб: з 10 до 17
  • Нд: з 11 до 16
E-mail
Ми в соцмережах
Перейти до контактів
0 0
Каталог
Головна
Закладки
0
Порівняти
0
Контакти

Біполярний транзистор 2N5551 (MMBT5551LT1G) G1 (0.6A 180V) корпус SOT-23

Країна-виробник: Китай Код товару: 5461
0
Все про товар
Опис
Характеристики
Відгуки 0
Питання0
В наявності
Код товару: 5461
1.00 грн
Знайшли дешевше?
🚚 Відправка в день замовлення при оформленні до 15:00
Максимальна напруга:180 V
Максимальний струм:0.6 А
Полярність:NPN
Тип корпусу:SOT-23
Доставка
Новою Поштою у відділення та поштомати
Новою Поштою у відділення та поштомати
від 80 ₴
ROZETKA Delivery
ROZETKA Delivery
Фіксована 49грн
Укрпоштою у відділення по Україні
Укрпоштою у відділення по Україні
від 45 ₴
Meest Express
Meest Express
від 60 ₴
Оплата
Оплата карткою Оплата карткою
Переказ на картку Переказ на картку
Оплата на IBAN Оплата на IBAN
Безготівковий розрахунок Безготівковий розрахунок
Післяплата Післяплата
Гарантійні положення
Гарантійні зобов'язання на товари, які були паяні, не поширюються
Біполярний транзистор 2N5551 (MMBT5551LT1G) G1 (0.6A 180V) корпус SOT-23
Код товару: 5461
1.00 грн
Опис

2N5551 (MMBT5551LT1G) SOT-23

Високовольтний біполярний NPN транзистор загального призначення у корпусі SOT‑23; версія MMBT5551LT1G (Tape & Reel).

Основні переваги

Висока напруга

VCEO 160 В та VCBO 180 В забезпечують роботу у високовольтних колах.

Достатній струм

Безперервний колекторний струм до 600 мА для задач загального призначення.

Низьке насичення

VCE(sat) до 0,20 В при IC=50 мА, IB=5 мА (тип MMBT5551).

SMD-корпус SOT‑23

Компактний корпус SOT‑23 (TO‑236), Case 318; маркування на корпусі «G1» для MMBT5551LT.

Ключові характеристики

Полярність:NPN
VCEO (MMBT5551):160 В
VCBO (MMBT5551):180 В
VEBO:6 В
IC (безперервний):600 мА
Корпус:SOT‑23 (TO‑236), Case 318
Розводка виводів:1 = Base, 2 = Emitter, 3 = Collector
Маркування на корпусі:«G1» (для MMBT5551LT)
Розсіювана потужність (FR‑5, 25°C):225 мВт, дерейт 1,8 мВт/°C; RθJA 556 °C/Вт
Розсіювана потужність (Al₂O₃, 25°C):300 мВт, дерейт 2,4 мВт/°C; RθJA 417 °C/Вт
Діапазон температур (TJ, Tstg):−55…+150 °C

Детальні технічні параметри

  • VCE(sat) ≤ 0,15 В @ IC=10 мА, IB=1 мА; ≤ 0,20 В @ IC=50 мА, IB=5 мА (MMBT5551).
  • VBE(sat) ≤ 1,0 В @ 10 мА; ≤ 1,2 В @ 50 мА.
  • DC коефіцієнт підсилення hFE: 80…250 @ IC=1 мА та 10 мА; 30…250 @ IC=50 мА.
  • ICBO ≤ 50 нА @ VCB=120 В (MMBT5551); ICES ≤ 50 нА @ VCB=10 В, ≤ 100 нА @ 75 В.
  • ESD стійкість: > 8 кВ (HBM), > 400 В (MM).
  • Замовлення: MMBT5551LT1G (SOT‑23, Tape & Reel, 3000 шт.).
Примітка: параметри базуються на документації onsemi для MMBT5551L/MMBT5551LT1G. Джерело: onsemi Datasheet (PDF).

Основні сфери застосування

  • Застосування загального призначення у високовольтних колах (до VCEO 160 В).
  • Поверхневий монтаж у SMD-проєктах, де потрібен компактний NPN-транзистор.

Сумісні позначення та альтернативи

Варіанти того ж виробу в іншій упаковці/намотці: MMBT5551LT3G, SMMBT5551LT1G (усі SOT‑23). Близький за серією — MMBT5550L (VCEO 140 В) з того ж даташиту onsemi.

Питання-відповіді (FAQ)

Яке маркування на корпусі для MMBT5551LT?

Код маркування «G1» (для серії MMBT5551LT у SOT‑23).

Яка розводка виводів у SOT‑23 (Case 318)?

Вивід 1 — база, 2 — емітер, 3 — колектор.

Які граничні значення напруг і струму?

VCEO 160 В, VCBO 180 В, VEBO 6 В, IC (безперервний) 600 мА; TJ/Tstg −55…+150 °C.

Характеристики
Основні
Максимальна напруга
180 V
Максимальний струм
0.6 А
Полярність
NPN
Тип корпусу
SOT-23
Відгуки

Відгуків про цей товар ще не було.

Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.

Питання та відповіді
Додайте питання, і ми відповімо найближчим часом.

Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.