Біполярний транзистор 2N5551 (MMBT5551LT1G) G1 (0.6A 180V) корпус SOT-23

Name: Біполярний транзистор 2N5551 (MMBT5551LT1G) G1 (0.6A 180V) корпус SOT-23
Brand: Мій Проект
SKU: 5461
Price: 1.00 UAH
Availability: InStock

Країна-виробник: Китай Код товару: 5461

Все про товар

Опис

Характеристики

Відгуки 0

Питання0

Біполярний транзистор 2N5551 (MMBT5551LT1G) G1 (0.6A 180V) корпус SOT-23

В наявності

Код товару: 5461

1.00 грн

Знайшли дешевше?

Максимальна напруга:180 V

Максимальний струм:0.6 А

Полярність:NPN

Тип корпусу:SOT-23

Доставка

Новою Поштою у відділення та поштомати

від 80 ₴

ROZETKA Delivery

Фіксована 49грн

Укрпоштою у відділення по Україні

від 45 ₴

Meest Express

від 60 ₴

Оплата

Оплата карткою

Переказ на картку

Оплата на IBAN

Безготівковий розрахунок

Післяплата

Гарантійні положення

Гарантійні зобов'язання на товари, які були паяні, не поширюються

Біполярний транзистор 2N5551 (MMBT5551LT1G) G1 (0.6A 180V) корпус SOT-23

Код товару: 5461

1.00 грн

Опис

2N5551 (MMBT5551LT1G) SOT-23

Високовольтний біполярний NPN транзистор загального призначення у корпусі SOT‑23; версія MMBT5551LT1G (Tape & Reel).

Основні переваги

Висока напруга

VCEO 160 В та VCBO 180 В забезпечують роботу у високовольтних колах.

Достатній струм

Безперервний колекторний струм до 600 мА для задач загального призначення.

Низьке насичення

VCE(sat) до 0,20 В при IC=50 мА, IB=5 мА (тип MMBT5551).

SMD-корпус SOT‑23

Компактний корпус SOT‑23 (TO‑236), Case 318; маркування на корпусі «G1» для MMBT5551LT.

Ключові характеристики

Полярність:	NPN
VCEO (MMBT5551):	160 В
VCBO (MMBT5551):	180 В
VEBO:	6 В
IC (безперервний):	600 мА
Корпус:	SOT‑23 (TO‑236), Case 318
Розводка виводів:	1 = Base, 2 = Emitter, 3 = Collector
Маркування на корпусі:	«G1» (для MMBT5551LT)
Розсіювана потужність (FR‑5, 25°C):	225 мВт, дерейт 1,8 мВт/°C; RθJA 556 °C/Вт
Розсіювана потужність (Al₂O₃, 25°C):	300 мВт, дерейт 2,4 мВт/°C; RθJA 417 °C/Вт
Діапазон температур (TJ, Tstg):	−55…+150 °C

Детальні технічні параметри

VCE(sat) ≤ 0,15 В @ IC=10 мА, IB=1 мА; ≤ 0,20 В @ IC=50 мА, IB=5 мА (MMBT5551).
VBE(sat) ≤ 1,0 В @ 10 мА; ≤ 1,2 В @ 50 мА.
DC коефіцієнт підсилення hFE: 80…250 @ IC=1 мА та 10 мА; 30…250 @ IC=50 мА.
ICBO ≤ 50 нА @ VCB=120 В (MMBT5551); ICES ≤ 50 нА @ VCB=10 В, ≤ 100 нА @ 75 В.
ESD стійкість: > 8 кВ (HBM), > 400 В (MM).
Замовлення: MMBT5551LT1G (SOT‑23, Tape & Reel, 3000 шт.).

Примітка: параметри базуються на документації onsemi для MMBT5551L/MMBT5551LT1G. Джерело: onsemi Datasheet (PDF).

Основні сфери застосування

Застосування загального призначення у високовольтних колах (до VCEO 160 В).
Поверхневий монтаж у SMD-проєктах, де потрібен компактний NPN-транзистор.

Сумісні позначення та альтернативи

Варіанти того ж виробу в іншій упаковці/намотці: MMBT5551LT3G, SMMBT5551LT1G (усі SOT‑23). Близький за серією — MMBT5550L (VCEO 140 В) з того ж даташиту onsemi.

Питання-відповіді (FAQ)

Яке маркування на корпусі для MMBT5551LT?

Код маркування «G1» (для серії MMBT5551LT у SOT‑23).

Яка розводка виводів у SOT‑23 (Case 318)?

Вивід 1 — база, 2 — емітер, 3 — колектор.

Які граничні значення напруг і струму?

VCEO 160 В, VCBO 180 В, VEBO 6 В, IC (безперервний) 600 мА; TJ/Tstg −55…+150 °C.

Характеристики

Основні

Максимальна напруга

180 V

Максимальний струм

0.6 А

Полярність

NPN

Тип корпусу

SOT-23

Відгуки

Відгуків про цей товар ще не було.

Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.

Питання та відповіді

Додайте питання, і ми відповімо найближчим часом.

Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.