Биполярный транзистор 2N5551 (MMBT5551LT1G) G1 (0.6A 180V) корпус SOT-23

Name: Биполярный транзистор 2N5551 (MMBT5551LT1G) G1 (0.6A 180V) корпус SOT-23
Brand: Мій Проект
SKU: 5461
Price: 1.00 UAH
Availability: InStock

Страна-производитель: Китай Код товара: 5461

Все о товаре

Описание

Характеристики

Отзывы 0

Вопросы0

Биполярный транзистор 2N5551 (MMBT5551LT1G) G1 (0.6A 180V) корпус SOT-23

Есть в наличии

Код товара: 5461

1.00 грн

Нашли дешевле?

Максимальное напряжение:180 V

Максимальный ток:0.6 А

Полярность:NPN

Тип корпуса:SOT-23

Доставка

Новой почтой в отделения и почтоматы

от 80 ₴

ROZETKA Delivery

Фиксировано 49 грн

Укрпочтой в отделение по Украине

от 45 ₴

Meest Express

от 60 ₴

Оплата

Оплата картой

Перевод на карточку

Оплата на IBAN

Безналичный расчет

Наложенный платеж

Гарантийные положения

Гарантийные обязательства на товары, которые были паяные, не распространяются

Биполярный транзистор 2N5551 (MMBT5551LT1G) G1 (0.6A 180V) корпус SOT-23

Код товара: 5461

1.00 грн

Описание

2N5551 (MMBT5551LT1G) SOT-23

Высоковольтный биполярный NPN транзистор общего назначения в корпусе SOT‑23; версия MMBT5551LT1G (Tape & Reel).

Основные преимущества

Высокое напряжение

VCEO 160 В и VCBO 180 В обеспечивают работу в высоковольтных цепях.

Достаточный ток

Непрерывный коллекторный ток до 600 мА для задач общего назначения.

Низкое насыщение

VCE(sat) до 0,20 В при IC=50 мА, IB=5 мА (тип MMBT5551).

SMD-корпус SOT‑23

Компактный корпус SOT‑23 (TO‑236), Case 318; маркировка на корпусе «G1» для MMBT5551LT.

Ключевые характеристики

Полярность:	NPN
VCEO (MMBT5551):	160 В
VCBO (MMBT5551):	180 В
VEBO:	6 В
IC (непрерывный):	600 мА
Корпус:	SOT‑23 (TO‑236), Case 318
Распиновка выводов:	1 = Base, 2 = Emitter, 3 = Collector
Маркировка на корпусе:	«G1» (для MMBT5551LT)
Рассеиваемая мощность (FR‑5, 25°C):	225 мВт, дерейтинг 1,8 мВт/°C; RθJA 556 °C/Вт
Рассеиваемая мощность (Al₂O₃, 25°C):	300 мВт, дерейтинг 2,4 мВт/°C; RθJA 417 °C/Вт
Диапазон температур (TJ, Tstg):	−55…+150 °C

Детальные технические параметры

VCE(sat) ≤ 0,15 В @ IC=10 мА, IB=1 мА; ≤ 0,20 В @ IC=50 мА, IB=5 мА (MMBT5551).
VBE(sat) ≤ 1,0 В @ 10 мА; ≤ 1,2 В @ 50 мА.
DC коэффициент усиления hFE: 80…250 @ IC=1 мА и 10 мА; 30…250 @ IC=50 мА.
ICBO ≤ 50 нА @ VCB=120 В (MMBT5551); ICES ≤ 50 нА @ VCB=10 В, ≤ 100 нА @ 75 В.
ESD устойчивость: > 8 кВ (HBM), > 400 В (MM).
Заказ: MMBT5551LT1G (SOT‑23, Tape & Reel, 3000 шт.).

Примечание: параметры основаны на документации onsemi для MMBT5551L/MMBT5551LT1G. Источник: onsemi Datasheet (PDF).

Основные области применения

Применения общего назначения в высоковольтных цепях (до VCEO 160 В).
Поверхностный монтаж в SMD‑проектах, где нужен компактный NPN‑транзистор.

Совместимые обозначения и альтернативы

Варианты того же изделия в другой упаковке/намотке: MMBT5551LT3G, SMMBT5551LT1G (все SOT‑23). Близкий по серии — MMBT5550L (VCEO 140 В) из того же даташита onsemi.

Вопросы‑ответы (FAQ)

Какова маркировка на корпусе для MMBT5551LT?

Код маркировки «G1» (для серии MMBT5551LT в SOT‑23).

Какова распиновка выводов в SOT‑23 (Case 318)?

Вывод 1 — база, 2 — эмиттер, 3 — коллектор.

Каковы предельные значения напряжений и тока?

VCEO 160 В, VCBO 180 В, VEBO 6 В, IC (непрерывный) 600 мА; TJ/Tstg −55…+150 °C.

Характеристики

Основные

Максимальное напряжение

180 V

Максимальный ток

0.6 А

Полярность

NPN

Тип корпуса

SOT-23

Отзывы

Нет отзывов о данном товаре.

Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.

Вопросы и ответы

Добавьте вопрос, и мы ответим в ближайшее время.

Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.