Биполярный транзистор 2N5551 (MMBT5551LT1G) G1 (0.6A 180V) корпус SOT-23

Биполярный транзистор 2N5551, MMBT5551LT1G и G1 представляет собой NPN транзистор, который используется для усиления сигналов и коммутации в электронных устройствах. Он имеет корпус SOT-23, который является типичным корпусом для поверхностного монтажа (SMD).

Этот транзистор имеет максимальный ток коллектора 0.6A и максимальное напряжение коллектор-эмиттер 180V. Он используется в широком спектре приложений, включая усилители, преобразователи, коммутационные устройства и другие электронные схемы.

Этот транзистор имеет небольшие размеры, что делает его удобным для применения в компактных устройствах и печатных платах с высокой плотностью компонентов. Он также имеет быстрое время переключения и низкое напряжение насыщения, что способствует эффективной работе в широком диапазоне приложений.

Этот транзистор является распространенным и доступным компонентом, который найдет свое применение во многих электронных проектах.