

2SB772 — середньопотужний PNP біполярний транзистор із низькою напругою насичення, призначений для підсилювачів звукової потужності, DC‑DC перетворювачів, стабілізаторів та комутаційних вузлів.
Типове VCE(sat) ≈ −0.3 В при IC = −2 А, що зменшує втрати потужності в ключових режимах.
Допустимий безперервний струм колектора до −3 А, що підходить для навантажень середньої потужності.
Доступні варіанти TO‑92NL, TO‑126/TO‑126C, TO‑251, TO‑252 для гнучкості у проектуванні.
Повністю комплементарний до NPN транзистора 2SD882, що спрощує побудову двотактних каскадів.
Тип транзистора: | Біполярний PNP (2SB772) |
---|---|
Корпус: | TO‑92NL (також доступні TO‑126/TO‑126C, TO‑251, TO‑252) |
Розташування виводів (TO‑92NL): | 1‑E, 2‑C, 3‑B (E‑C‑B) |
VCBO (пробивна між колектором і базою): | −40 В |
VCEO (пробивна між колектором і емітером): | −30 В |
VEBO (пробивна між емітером і базою): | −7 В |
IC (безперервний): | −3 А |
ICP (імпульсний): | −7 А |
PC (розсіювання, TO‑92NL): | 0.5 Вт |
fT (частотна смуга підсилення): | 80 МГц (VCE = −5 В, IC = −0.1 А) |
hFE @ IC = −1 А, VCE = −2 В: | 100…400 (класи Q/P/E) |
VCE(sat) @ IC = −2 А, IB = −0.2 А: | тип. −0.3 В; макс. −0.5 В |
VBE(sat) @ IC = −2 А, IB = −0.2 А: | −1.0…−2.0 В |
COB (вихідна ємність): | ≈ 45 пФ (VCB = −10 В, f = 1 МГц) |
Діапазон температур: | −55…+150 °C (зберігання та робота кристалу) |
За даташитом: VCEO = −30 В, VCBO = −40 В; безперервний IC = −3 А, імпульсний до −7 А; розсіювання потужності для TO‑92NL — 0.5 Вт.
Так, завдяки низькому VCE(sat) (тип. −0.3 В при IC = −2 А) втрати в ключовому режимі зменшуються.
Для IC = −1 А і VCE = −2 В hFE становить 100…400 (класи Q/P/E; див. класифікацію в даташиті).
Відгуків про цей товар ще не було.
Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.
Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.