Ви дивилися
Каталог товарів
Клієнту
Тема сайту:
+38 (066) 305-77-25
Наша адреса
Харків, тимчасово - доставка тільки Новою Поштою, УкрПоштою, МістЕкспрес, ROZETKA Delivery
Телефони
Графік роботи
  • Пн-Пт: з 9 до 18
  • Сб: з 10 до 17
  • Нд: з 11 до 16
E-mail
Ми в соцмережах
Перейти до контактів
0 0
Каталог
Головна
Дивилися
4
Закладки
0
Порівняти
0
Контакти

Біполярний транзистор MJE181 (80V 3А) корпус TO-126

Країна-виробник: Китай Код товару: 5481
0
Все про товар
Опис
Характеристики
Відгуки 0
Питання0
В наявності
Код товару: 5481
19.00 грн
Знайшли дешевше?
🚚 Відправка в день замовлення при оформленні до 15:00
Максимальна напруга:80 V
Максимальний струм:3 А
Полярність:PNP
Тип корпусу:TO-126
Доставка
Новою Поштою у відділення та поштомати
Новою Поштою у відділення та поштомати
від 80 ₴
ROZETKA Delivery
ROZETKA Delivery
Фіксована 49грн
Укрпоштою у відділення по Україні
Укрпоштою у відділення по Україні
від 45 ₴
Meest Express
Meest Express
від 60 ₴
Оплата
Оплата карткою Оплата карткою
Переказ на картку Переказ на картку
Оплата на IBAN Оплата на IBAN
Безготівковий розрахунок Безготівковий розрахунок
Післяплата Післяплата
Гарантійні положення
Гарантійні зобов'язання на товари, які були паяні, не поширюються
Біполярний транзистор MJE181 (80V 3А) корпус TO-126
Код товару: 5481
19.00 грн
Опис

Біполярний транзистор MJE181 TO‑225 (Case 77‑09)

MJE181 — кремнієвий NPN потужний транзистор серії MJE170/180 для низькопотужних аудіопідсилювачів і низькострумових високошвидкісних комутаційних застосувань.

Основні переваги

Баланс напруги та струму

VCEO(sus) 60 В і безперервний колекторний струм 3 А (піковий 6 А) забезпечують надійність у силових і драйверних каскадах.

Низький VCE(sat)

Типові рівні насичення: 0.3 В @ 0.5 А; 0.9 В @ 1.5 А; 1.7 В @ 3 А — менші втрати на насиченні при значних струмах.

Висока швидкодія

Мінімальна гранична частота передавання fT 50 МГц при IC = 100 мА, VCE = 10 В — придатний для швидкого комутування.

Надійність матеріалів

Кільцева конструкція з низькими витоками, епоксид UL 94 V‑0, виконання Pb‑Free, RoHS‑сумісне.

Ключові характеристики

Тип транзистора:NPN, кремнієвий (серія MJE170/180)
VCEO(sus):60 В (MJE181G)
VCBO:80 В (MJE181G)
VEBO:7 В
IC (безперервний):3 А
IC (піковий):6 А
Розсіювана потужність (на радіаторі):12.5 Вт @ TC = 25 °C; дерейтинг 0.012 Вт/°C
Розсіювана потужність (у повітрі):1.5 Вт @ TA = 25 °C; дерейтинг 0.1 Вт/°C
VCE(sat) макс.:0.3 В @ 0.5 А; 0.9 В @ 1.5 А; 1.7 В @ 3 А
VBE(sat) макс.:1.5 В @ 1.5 А; 2.0 В @ 3 А
VBE(on) макс.:1.2 В @ IC = 0.5 А, VCE = 1 В
Коефіцієнт підсилення hFE:50–250 @ 0.1 А; ≥30 @ 0.5 А; ≥12 @ 1.5 А
fT (мін.):50 МГц @ IC = 0.1 А, VCE = 10 В, ftest = 10 МГц
Вихідна ємність Cob (макс.):40 пФ (MJE181/182) @ VCB = 10 В, f = 0.1 МГц
Тепловий опір:RθJC = 10 °C/Вт; RθJA = 83.4 °C/Вт
Діапазон температур:−65…+150 °C
Корпус:TO‑225, Case 77‑09, Style 1
Розводка виводів:1 — Емітер, 2 — Колектор, 3 — База; монтажна пластина — Колектор
ESD класи:HBM — 3B; MM — C

Детальні технічні параметри

  • Серія: PNP — MJE170G/171G/172G; NPN — MJE180G/181G/182G (комплементарні пари).
  • Умови fT: IC = 100 мА, VCE = 10 В, ftest = 10 МГц.
  • Умови вимірювання VCE(sat): відношення IC/IB = 10 (наприклад, 3 А / 0.6 А).
  • Графіки дерейтінгу: PD = 12.5 Вт при TC = 25 °C (з радіатором) та 1.5 Вт при TA = 25 °C (у повітрі).
  • Кільцева (annular) конструкція кристалу забезпечує низькі витоки: ICBO ≤ 0.1 мкА при номінальному VCB (типово); при 150 °C — ≤ 0.1 мА.
  • Матеріали та екологія: епоксид відповідає UL 94 V‑0 @ 0.125", виконання Pb‑Free, RoHS‑сумісне.
  • Корпус TO‑225 (Case 77‑09, Style 1): виводи 1‑E, 2‑C, 3‑B; монтажна пластина електрично з’єднана з колектором.
Примітка: параметри базуються на документації onsemi для MJE181G. Джерело: onsemi Datasheet (PDF).

Основні сфери застосування

  • Низькопотужні аудіопідсилювачі та драйверні каскади.
  • Низькострумові високошвидкісні комутаційні вузли до 3 А.

Сумісні позначення та альтернативи

MJE181G є NPN-пристроєм у серії; комплементарний PNP — MJE171G. Для вищої напруги (VCEO(sus) 80 В) розгляньте MJE182G; для нижчої (40 В) — MJE180G.

Питання-відповіді (FAQ)

Це PNP чи NPN транзистор?

MJE181 — NPN кремнієвий потужний транзистор серії MJE170/180.

Яка гранична напруга колектор‑емітер для MJE181?

Sustaining‑напруга VCEO(sus) становить 60 В (для MJE181G). Якщо потрібні 80 В, використовуйте MJE182G із тієї ж серії.

Який корпус і розводка виводів?

TO‑225 (Case 77‑09, Style 1); виводи: 1 — Емітер, 2 — Колектор, 3 — База; монтажна пластина з’єднана з колектором.

Характеристики
Основні
Максимальна напруга
80 V
Максимальний струм
3 А
Полярність
PNP
Тип корпусу
TO-126
Відгуки

Відгуків про цей товар ще не було.

Немає відгуків про цей товар, станьте першим, залиште свій відгук.

Питання та відповіді
Додайте питання, і ми відповімо найближчим часом.

Немає питань про даний товар, станьте першим і задайте своє питання.

Ви дивилися
Мікросхема STC 8G1K17-38I корпус TSSOP20
Код товару: 5465
В наявності
0
40.00 грн
Конденсатор електролітичний 63V 47uF 6х11мм
Код товару: 5281
В наявності
0
2.50 грн
Конденсатор електролітичний 100V 470uF 16х25мм
Код товару: 5293
В наявності
0
15.00 грн
Транзистор біполярний SMD S8050 J3Y (25V 0.5А) корпус SOT-23
Код товару: 5484
В наявності
0
1.50 грн