Транзистор биполярный D669A корпус TO-126
Транзистор NPN D669A (2SD669A) TO-126
Кремниевый биполярный NPN-транзистор в корпусе TO‑126 с высоким напряжением коллектор-эмиттер (до 160 В) и током коллектора до 1.5 А для общих усилительных и коммутационных узлов.
Основные преимущества
V(BR)CEO 160 В для 2SD669A и V(CBO) 180 В обеспечивают запас по напряжению в драйверных каскадах.
Максимальный ток коллектора 1.5 А подходит для нагрузок средней мощности.
VCE(sat) ≤ 1.0 В при IC=0.5 А, IB=50 мА — меньшие потери при коммутации.
Работа от −55°C до +150°C; соответствие RoHS, UL 94 V‑0; MSL 1.
Ключевые характеристики
| Тип: | Кремниевый биполярный транзистор NPN |
|---|---|
| Корпус: | TO‑126 |
| V(BR)CEO (2SD669A): | 160 В (IC=10 мА, IB=0) |
| V(BR)CBO: | 180 В (IC=1 мА, IE=0) |
| V(BR)EBO: | 5.0 В (IE=1 мА, IC=0) |
| IC (макс): | 1.5 А |
| PD: | 1 Вт |
| Классы hFE (2SD669A): | B: 60–120; C: 100–200 (при IC=150 мА, VCE=5 В) |
| VCE(sat): | ≤ 1.0 В (IC=0.5 А, IB=50 мА) |
| VBE(sat): | ≤ 1.5 В (IC=150 мА, VCE=5 В) |
| fT (тип.): | 140 МГц (IC=150 мА, VCE=5 В) |
| Cob (тип.): | 14 пФ (VCB=10 В, f=1 МГц) |
| ICBO (макс): | 10 мкА (VCB=160 В) |
| IEBO (макс): | 10 мкА (VEB=4 В) |
| Диапазон температур: | −55…+150 °C (работа/хранение) |
| Распиновка выводов: | 1 — Эмиттер; 2 — Коллектор; 3 — База |
Детальные технические параметры
- Классификация hFE для 2SD669A: B (60–120), C (100–200); измерения при IC=150 мА, VCE=5 В.
- Граничная частота fT тип. 140 МГц при IC=150 мА, VCE=5 В.
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat) ≤ 1.0 В при IC=0.5 А, IB=50 мА; VBE(sat) ≤ 1.5 В при IC=150 мА, VCE=5 В.
- Типичная выходная емкость коллектора Cob 14 пФ (VCB=10 В, f=1 МГц).
- Абсолютные напряжения пробоя: V(BR)CEO=160 В (для 2SD669A), V(BR)CBO=180 В, V(BR)EBO=5.0 В.
- Габарит и выводы корпуса TO‑126: 1 — E, 2 — C, 3 — B (согласно чертежу в даташите).
Основные области применения
- Общие усилительные каскады средней мощности в пределах паспортных параметров.
- Коммутационные узлы и драйверные каскады с рабочим напряжением до 160 В и током до 1.5 А.
Совместимые обозначения и альтернативы
- 2SD669 (та же серия; V(BR)CEO 120 В — для применений с более низким рабочим напряжением, см. тот же даташит MCC).
Вопросы-ответы (FAQ)
Основное отличие — напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 2SD669 — 120 В, 2SD669A — 160 В (прочие параметры и условия измерения приведены в таблице характеристик).
Согласно чертежу в даташите: 1 — Эмиттер, 2 — Коллектор, 3 — База.
Для 2SD669A предусмотрены классы B (60–120) и C (100–200) при IC=150 мА, VCE=5 В.
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.