Транзистор биполярный D669A корпус TO-126

Name: Транзистор биполярный D669A корпус TO-126
Brand: Мій Проект
SKU: 5540
Price: 10.00 UAH
Availability: InStock

Страна-производитель: Китай Код товара: 5540

Все о товаре

Описание

Характеристики

Отзывы 0

Вопросы0

Транзистор биполярный D669A корпус TO-126

Есть в наличии

Код товара: 5540

10.00 грн

Нашли дешевле?

Максимальное напряжение:180 V

Максимальный ток:1.5 А

Полярность:NPN

Тип корпуса:TO-126

Доставка

Новой почтой в отделения и почтоматы

от 80 ₴

ROZETKA Delivery

Фиксировано 49 грн

Укрпочтой в отделение по Украине

от 45 ₴

Meest Express

от 60 ₴

Оплата

Оплата картой

Перевод на карточку

Оплата на IBAN

Безналичный расчет

Наложенный платеж

Гарантийные положения

Гарантийные обязательства на товары, которые были паяные, не распространяются

Транзистор биполярный D669A корпус TO-126

Код товара: 5540

10.00 грн

Описание

Транзистор NPN D669A (2SD669A) TO-126

Кремниевый биполярный NPN-транзистор в корпусе TO‑126 с высоким напряжением коллектор-эмиттер (до 160 В) и током коллектора до 1.5 А для общих усилительных и коммутационных узлов.

Основные преимущества

Высокие напряжения

V(BR)CEO 160 В для 2SD669A и V(CBO) 180 В обеспечивают запас по напряжению в драйверных каскадах.

Достаточный ток

Максимальный ток коллектора 1.5 А подходит для нагрузок средней мощности.

Низкое насыщение

V_CE(sat) ≤ 1.0 В при I_C=0.5 А, I_B=50 мА — меньшие потери при коммутации.

Широкий температурный диапазон и соответствие

Работа от −55°C до +150°C; соответствие RoHS, UL 94 V‑0; MSL 1.

Ключевые характеристики

Тип:	Кремниевый биполярный транзистор NPN
Корпус:	TO‑126
V(BR)CEO (2SD669A):	160 В (I_C=10 мА, I_B=0)
V(BR)CBO:	180 В (I_C=1 мА, I_E=0)
V(BR)EBO:	5.0 В (I_E=1 мА, I_C=0)
I_C (макс):	1.5 А
P_D:	1 Вт
Классы h_FE (2SD669A):	B: 60–120; C: 100–200 (при I_C=150 мА, V_CE=5 В)
V_CE(sat):	≤ 1.0 В (I_C=0.5 А, I_B=50 мА)
V_BE(sat):	≤ 1.5 В (I_C=150 мА, V_CE=5 В)
f_T (тип.):	140 МГц (I_C=150 мА, V_CE=5 В)
C_ob (тип.):	14 пФ (V_CB=10 В, f=1 МГц)
I_CBO (макс):	10 мкА (V_CB=160 В)
I_EBO (макс):	10 мкА (V_EB=4 В)
Диапазон температур:	−55…+150 °C (работа/хранение)
Распиновка выводов:	1 — Эмиттер; 2 — Коллектор; 3 — База

Детальные технические параметры

Классификация h_FE для 2SD669A: B (60–120), C (100–200); измерения при I_C=150 мА, V_CE=5 В.
Граничная частота f_T тип. 140 МГц при I_C=150 мА, V_CE=5 В.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер V_CE(sat) ≤ 1.0 В при I_C=0.5 А, I_B=50 мА; V_BE(sat) ≤ 1.5 В при I_C=150 мА, V_CE=5 В.
Типичная выходная емкость коллектора C_ob 14 пФ (V_CB=10 В, f=1 МГц).
Абсолютные напряжения пробоя: V(BR)CEO=160 В (для 2SD669A), V(BR)CBO=180 В, V(BR)EBO=5.0 В.
Габарит и выводы корпуса TO‑126: 1 — E, 2 — C, 3 — B (согласно чертежу в даташите).

Примечание: параметры основаны на документации Micro Commercial Components (MCC) для 2SD669(A) TO‑126. Источник: MCC Datasheet (PDF).

Основные области применения

Общие усилительные каскады средней мощности в пределах паспортных параметров.
Коммутационные узлы и драйверные каскады с рабочим напряжением до 160 В и током до 1.5 А.

Совместимые обозначения и альтернативы

2SD669 (та же серия; V(BR)CEO 120 В — для применений с более низким рабочим напряжением, см. тот же даташит MCC).

Вопросы-ответы (FAQ)

Чем отличается 2SD669 от 2SD669A?

Основное отличие — напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 2SD669 — 120 В, 2SD669A — 160 В (прочие параметры и условия измерения приведены в таблице характеристик).

Какова распиновка в корпусе TO‑126?

Согласно чертежу в даташите: 1 — Эмиттер, 2 — Коллектор, 3 — База.

Какие доступны классы усиления h_FE?

Для 2SD669A предусмотрены классы B (60–120) и C (100–200) при I_C=150 мА, V_CE=5 В.

Характеристики

Основные

Максимальное напряжение

180 V

Максимальный ток

1.5 А

Полярность

NPN

Тип корпуса

TO-126

Отзывы

Нет отзывов о данном товаре.

Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.

Вопросы и ответы

Добавьте вопрос, и мы ответим в ближайшее время.

Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.