


Биполярный малосигнальный PNP транзистор для усиления и коммутации в низковольтных схемах, с непрерывным током до 0.5 А и транзитной частотой 150 МГц.
Обеспечивает уверенную работу в маломощных коммутационных и усилительных каскадах.
VCE(sat) до −0.6 В при IC = −500 мА, IB = −50 мА для уменьшения потерь.
Работа перехода от −55°C до +150°C, что повышает надежность в разных условиях.
MSL 1, эпоксид UL94 V‑0; RoHS. Доступна безгалогеновая версия (‑HF).
Полярность: | PNP |
---|---|
Корпус: | TO‑92 |
Распайка выводов (TO‑92): | 1 — Эмиттер, 2 — База, 3 — Коллектор |
VCEO (макс.): | −25 В |
VCBO (макс.): | −40 В |
VEBO (макс.): | −5 В |
IC (непрерывный): | −0.5 А |
Рассеивание мощности (TA = 25°C): | 625 мВт |
hFE (класс D): | 160–300 (VCE = −1 В, IC = −50 мА) |
fT (тип.): | 150 МГц |
VCE(sat) (макс.): | −0.6 В @ IC = −500 мА, IB = −50 мА |
VBE(sat) (макс.): | −1.2 В @ IC = −500 мА, IB = −50 мА |
Тепловое сопротивление, переход‑окружающая среда: | ≈ 200 °C/Вт |
Диапазон температур перехода: | −55…+150 °C |
Нет. 40 В (VCBO) допускается только между коллектором и базой при открытой базе. Рабочее предельное напряжение коллектор‑эмиттер (VCEO) составляет −25 В.
По даташиту: 1 — Эмиттер, 2 — База, 3 — Коллектор.
Для группы D hFE составляет 160–300 при VCE = −1 В и IC = −50 мА; доступны также группы B и C с более низкими диапазонами.
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.