AOD4184 Транзистор SMD TO-252 D4184 50A 40V
AOD4184 N-канальный MOSFET TO-252 (DPAK)
Мощный N-канальный MOSFET 40 В / 50 А с очень низким сопротивлением канала, оптимизирован для высокотоковых нагрузок и низких потерь при коммутации.
Основные преимущества
До 7 мОм при VGS=10 В и до 9.5 мОм при VGS=4.5 В — минимальные потери проводимости.
Непрерывный ток до 50 А (TC=25°C) и импульсный до 120 А — запас для пиковых нагрузок.
Нормированное сопротивление при VGS=4.5 В, что упрощает управление от логических уровней.
Макс. температура перехода до 175°C; низкое RθJC до 2.4 °C/Вт в корпусе TO‑252.
Ключевые характеристики
| Тип | N-канальный MOSFET |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (DPAK) |
| VDS (макс.) | 40 В |
| VGS (макс.) | ±20 В |
| ID непрерывный (TC=25°C) | 50 А |
| ID непрерывный (TC=100°C) | 40 А |
| ID непрерывный (TA=25°C) | 13 А |
| ID (импульсный) | 120 А |
| RDS(on) @ VGS=10 В, ID=20 А | до 7 мОм |
| RDS(on) @ VGS=4.5 В, ID=15 А | до 9.5 мОм |
| Qg (тип.) @ 10 В | 27 нКл |
| Ciss / Coss / Crss (тип.) | 1500 пФ / 215 пФ / 135 пФ |
| VSD (тип.) | 0.7 В |
| IS (макс. ток диода) | 20 А |
| trr / Qrr (тип.) | 29 нс / 26 нКл |
| PD (TC=25°C) | 50 Вт |
| PD (TC=100°C) | 25 Вт |
| RθJC (тип./макс.) | 2.4 / 3 °C/Вт |
| RθJA (установившийся режим, тип./макс.) | 44 / 55 °C/Вт |
| Диапазон температур TJ, TSTG | −55…+175 °C |
Детальные технические параметры
- Пороговое напряжение затвора VGS(th): 1.7…2.6 В (тип. 2.1 В), при ID=250 мА.
- Ток утечки при нулевом напряжении на затворе IDSS: до 1 мкА (VDS=40 В, VGS=0 В).
- Ток утечки через затвор IGSS: до ±100 нА (VDS=0 В, VGS=±20 В).
- Заряд затвора Qg (тип.): 27 нКл @ 10 В; 14 нКл @ 4.5 В.
- Заряд Qgd / Qgs (тип.): 6 нКл / 5 нКл.
- Времена коммутации (тип.): tD(on)=6 нс, tr=17 нс, tD(off)=30 нс, tf=17 нс (VGS=10 В, VDS=20 В, ID=20 А, RL=1 Ω, RGEN=3 Ω).
- Параметры диода: VSD тип. 0.7 В при IS=1 А; IS непрерывный до 20 А; trr тип. 29 нс, Qrr тип. 26 нКл (IF=20 А, dI/dt=100 А/мкс).
- Устойчивость к лавинному режиму: IAS до 35 А; EAS (L=0.1 мГн) до 61 мДж.
- Тепловые параметры: RθJA (установившийся) тип. 44 °C/Вт; RθJA (t≤10 с) тип. 18 °C/Вт.
- Монтажный корпус: TO‑252 (DPAK), выводы G‑S‑D; подложка/лапка — сток (D).
Основные области применения
- Высокотоковые ключевые каскады с низкими потерями.
- Общие силовые коммутаторы постоянного тока.
- Узлы, требующие быстрой коммутации при небольшом Qg.
Совместимые обозначения и альтернативы
Вопросы-ответы (FAQ)
Да. Даташит нормирует RDS(on) при VGS=4.5 В (до 9.5 мОм), что совместимо с 5‑вольтовыми драйверами.
±20 В по абсолютным предельным параметрам.
50 Вт при TC=25°C (25 Вт при TC=100°C); на воздухе (TA=25°C) — до 2.3 Вт, в зависимости от платы (RθJA).
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.