


Двойной N-канальный MOSFET в корпусе SOP-8 с низким сопротивлением канала, рассчитан на работу до 20 В и непрерывный ток до 6 А. Оптимизирован для быстрой коммутации и схем управления питанием.
RDS(on) макс. 28 мОм при VGS = 4.5 В; макс. 37 мОм при VGS = 2.5 В — меньшие потери мощности и нагрев.
Типовые td(on) = 8 нс, tr = 9 нс, td(off) = 15 нс, tf = 4 нс — подходит для высокочастотных преобразователей.
Типичный Qg ≈ 10 нКл при VGS = 4.5 В — меньшие требования к драйверу затвора.
Две отдельные N-канальные структуры в одном SOP-8 упрощают реализацию двусторонних ключей и защиты батарей.
Тип | Двойной N-канальный MOSFET |
---|---|
Корпус | SOP-8 |
VDS (макс.) | 20 В |
ID (непрерывный, 25°C) | 6 А |
VGS (допустимое) | ±10 В |
RDS(on) @ VGS=4.5 В, ID=6 А | тип. 20 мОм, макс. 28 мОм |
RDS(on) @ VGS=2.5 В, ID=5 А | тип. 26 мОм, макс. 37 мОм |
Qg (тип.) | 10 нКл |
Qgs / Qgd (тип.) | 1.5 нКл / 1.6 нКл |
Ciss / Coss / Crss (тип.) | 640 пФ / 140 пФ / 80 пФ |
Быстродействие (тип.) | td(on)=8 нс; tr=9 нс; td(off)=15 нс; tf=4 нс |
IDM (импульсный) | 25 А |
PD (25°C) | 1.25 Вт |
RθJA | 100 °C/Вт |
VGS(th) | 0.5…1.2 В (тип. 0.7 В) |
I DSS (макс.) | 1 мкА (VDS = 20 В) |
I GSS (макс.) | ±100 нА (VGS = ±10 В) |
Диод канала, VSD (макс.) | 1.2 В при IS = 1.7 А |
Диапазон температур | -55…+150 °C (переход) |
Маркировка на корпусе | “9926” |
Нет. NCE9926 — это двойной N-канальный MOSFET в корпусе SOP-8.
Максимальное напряжение сток-исток (VDS) — 20 В; непрерывный ток стока (ID) при 25°C — 6 А.
RDS(on) составляет типично 26 мОм (макс. 37 мОм) при VGS = 2.5 В и 20 мОм (макс. 28 мОм) при VGS = 4.5 В.
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.