Транзистор NPN биполярный S9014 (0.1A 45V) корпус ТО-92
Транзистор S9014 NPN TO‑92
Кремниевый биполярный NPN транзистор в корпусе TO‑92. Ключевые паспортные пределы: VCEO 45 В, IC 100 мА, рассеивание до 400 мВт.
Основные преимущества
DC hFE от 60 до 1000; классификация групп B/C/D: 100–300 / 200–600 / 400–1000 (VCE=5 В, IC=1 мА).
VCE(sat) ≤ 0.3 В при IC=100 мА, IB=5 мА; VBE(sat) ≤ 1.0 В при тех же условиях.
Предельная частота fT ≈ 150 МГц (VCE=5 В, IC=10 мА, f=30 МГц).
MSL 1, эпоксид UL 94 V‑0, RoHS; рабочая температура −55…+150 °C; тепловое сопротивление ≈312.5 °C/Вт.
Ключевые характеристики
| Полярность: | NPN (кремниевый BJT) |
|---|---|
| Корпус: | TO‑92 |
| Расположение выводов (TO‑92): | 1 — Эмиттер, 2 — База, 3 — Коллектор |
| VCEO (макс): | 45 В |
| VCBO (макс): | 50 В |
| VEBO (макс): | 5 В |
| IC (непрерывный, макс): | 100 мА |
| Рассеиваемая мощность PD: | 400 мВт (TA=25 °C) |
| DC hFE (типичный диапазон): | 60…1000 (VCE=5 В, IC=1 мА) |
| Классификация hFE: | B: 100–300; C: 200–600; D: 400–1000 |
| VCE(sat) (макс): | 0.3 В @ IC=100 мА, IB=5 мА |
| VBE(sat) (макс): | 1.0 В @ IC=100 мА, IB=5 мА |
| fT (тип.): | 150 МГц @ VCE=5 В, IC=10 мА, f=30 МГц |
| ICEO (макс): | 0.1 µА @ VCE=35 В |
| ICBO (макс): | 0.1 µА @ VCB=50 В |
| IEBO (макс): | 0.1 µА @ VEB=3 В |
| Диапазон температур: | −55…+150 °C (рабочая и хранение) |
| Тепловое сопротивление RθJA: | ≈312.5 °C/Вт |
| Маркировка на корпусе: | S9014 |
| Соответствие/материалы: | MSL 1; эпоксид UL 94 V‑0; RoHS |
Детальные технические параметры
- Предельные напряжения: V(BR)CEO ≥45 В; V(BR)CBO ≥50 В; V(BR)EBO ≥5 В.
- Усиление тока: hFE=60…1000 при VCE=5 В, IC=1 мА; классы B/C/D: 100–300/200–600/400–1000.
- Насыщение: VCE(sat) ≤0.3 В и VBE(sat) ≤1.0 В при IC=100 мА, IB=5 мА.
- Предельная частота: fT ≈150 МГц (VCE=5 В, IC=10 мА, f=30 МГц).
- Токи отсечки: ICBO ≤0.1 µА (VCB=50 В); ICEO ≤0.1 µА (VCE=35 В); IEBO ≤0.1 µА (VEB=3 В).
- Мощность и тепловые параметры: PD=400 мВт (TA=25 °C); RθJA ≈312.5 °C/Вт; диапазон температур −55…+150 °C.
- Выводы TO‑92: 1—Эмиттер, 2—База, 3—Коллектор.
Основные области применения
- Общие дискретные узлы усиления и коммутации в пределах IC ≤ 100 мА и VCEO 45 В.
- Схемы обработки сигналов с рабочими частотами до десятков МГц (ориентир: fT ≈ 150 МГц).
- Устройства, работающие в широком температурном диапазоне −55…+150 °C.
Совместимые обозначения и альтернативы
Вопросы-ответы (FAQ)
1 — Эмиттер, 2 — База, 3 — Коллектор (согласно даташиту MCC для S9014).
VCE(sat) не более 0.3 В и VBE(sat) не более 1.0 В при IC=100 мА, IB=5 мА.
Работа/хранение: −55…+150 °C; максимальная рассеиваемая мощность 400 мВт (TA=25 °C), тепловое сопротивление ≈312.5 °C/Вт.
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.