


NPN биполярный малосигнальный транзистор для AM-преобразователей и усилителей ПЧ AM/FM, пригоден как универсальный элемент в ВЧ и НЧ схемах.
fT мин. 150 МГц, тип. 370 МГц (VCE=5 В, IC=1 мА) — стабильная работа в ВЧ трактах.
hFE при VCE=5 В, IC=1 мА: 28…198 (классы D–I) — легко подбирать под требования каскада.
VCE(sat) до 0.3 В при IC=10 мА, IB=1 мА — меньшие потери в ключевых применениях.
Cob тип. 1.5 пФ (VCB=10 В, f=1 МГц) — лучшая линейность на высоких частотах.
Тип: | NPN, кремниевый, эпитаксиальный |
---|---|
Корпус / Выводы: | TO‑92; 1 — Эмиттер, 2 — База, 3 — Коллектор |
VCEO (макс.): | 30 В |
VCBO (макс.): | 50 В |
VEBO (макс.): | 5 В |
IC (макс.): | 30 мА |
PC (макс.): | 400 мВт |
TJ (макс.): | 150 °C |
Диапазон хранения: | −55…+150 °C |
hFE @ VCE=5 В, IC=1 мА: | 28…198 (классы D–I) |
VCE(sat) (макс.): | 0.3 В @ IC=10 мА, IB=1 мА |
VBE(on) (тип.): | 0.7 В @ VCE=5 В, IC=1 мА |
Cob (тип.): | 1.5 пФ @ VCB=10 В, f=1 МГц |
fT: | мин. 150 МГц; тип. 370 МГц @ VCE=5 В, IC=1 мА |
Коэффициент шума (NF): | 4.0 дБ @ VCE=5 В, IC=1 мА, f=1 МГц, RS=500 Ω |
Транзистор NPN; в корпусе TO‑92 выводы: 1 — Эмиттер, 2 — База, 3 — Коллектор (согласно даташиту).
VCEO до 30 В, VCBO до 50 В, VEBO до 5 В; максимальный коллекторный ток 30 мА; рассеиваемая мощность до 400 мВт.
Да, при соблюдении условий из даташита: fT минимум 150 МГц (типично 370 МГц) обеспечивает работу в ВЧ и ПЧ трактах.
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.