


Малосигнальный PNP эпитаксиальный кремниевый транзистор для усилителей низких частот и общих усилительных каскадов.
Официально позиционируется как транзистор для усилителей низких частот (Low Frequency Amplifier).
Классификации R/O/Y/G/L охватывают hFE от 40 до 700 при VCE = −6 В, IC = −1 мА.
VCE(sat) типичное −0.18 В (макс. −0.3 В) при IC = −100 мА, IB = −10 мА.
Среднее значение Cob около 2.8 пФ (VCB = −10 В, f = 1 МГц), что способствует стабильной работе в НЧ-каскадах.
Тип: | PNP эпитаксиальный кремниевый биполярный транзистор |
---|---|
Корпус: | TO-92 |
VCBO (макс.): | −60 В |
VCEO (макс.): | −50 В |
VEBO (макс.): | −5 В |
IC (макс.): | −150 мА |
Рассеиваемая мощность PC (макс.): | 250 мВт |
hFE (классификации): | R: 40–80; O: 70–140; Y: 120–240; G: 200–400; L: 350–700 (VCE = −6 В, IC = −1 мА) |
VCE(sat) (тип/макс.): | −0.18 В / −0.3 В (IC = −100 мА, IB = −10 мА) |
VBE(on) (мин/тип/макс.): | −0.50 / −0.62 / −0.80 В (VCE = −6 В, IC = −1 мА) |
fT (мин/тип.): | 50 / 180 МГц (VCE = −6 В, IC = −10 мА) |
Cob (тип.): | ≈2.8 пФ (VCB = −10 В, IE = 0, f = 1 МГц) |
Шумовая цифра NF: | 6.0–20 дБ (VCE = −6 В, IC = −0.3 мА, f = 1 МГц, Rs = 10 кОм) |
−50 В по паспорту производителя.
До −150 мА.
Стандарт: 1 — Эмиттер, 2 — База, 3 — Коллектор; суффикс «−C» означает центральный коллектор (1 — Эмиттер, 2 — Коллектор, 3 — База).
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.