Транзистор NPN биполярный C945 (50V 0.1A) корпус TO-92
Транзистор NPN C945 (KSC945) TO-92
Малосигнальный NPN эпитаксиальный кремниевый транзистор общего назначения для усилителей звуковых частот и высокочастотных генераторов, с низким напряжением насыщения и высокой предельной частотой.
Основные преимущества
fT типично 300 МГц обеспечивает стабильное усиление на высоких частотах.
VCE(sat) тип. 0.15 В (макс. 0.30 В) при IC=100 мА, IB=10 мА — меньшие потери в ключевых режимах.
VCEO 50 В, VCBO 60 В — безопасная работа в большинстве маломощных схем.
Показатель шума NF типично 4 дБ при VCE=6 В, IC=0.5 мА, f=1 кГц, RS=500 Ω.
Ключевые характеристики
| Тип: | NPN эпитаксиальный кремниевый биполярный транзистор |
|---|---|
| Корпус: | TO-92 (Case 135AN / TO-92-3 LF Case 135AR) |
| VCEO (мин.): | 50 В |
| VCBO (макс.): | 60 В |
| VEBO (макс.): | 5 В |
| IC (макс.): | 150 мА |
| PD при 25°C: | 250 мВт |
| hFE (VCE=6 В, IC=1 мА): | 120…240 |
| fT (тип.): | 300 МГц |
| VCE(sat): | тип. 0.15 В, макс. 0.30 В (IC=100 мА, IB=10 мА) |
| Выходная емкость Cob (тип.): | 2.5 пФ (VCB=6 В, f=1 МГц) |
| Показатель шума (тип.): | 4 дБ (VCE=6 В, IC=0.5 мА, f=1 кГц, RS=500 Ω) |
| Распиновка выводов (TO‑92‑3 LF): | 1‑Эмиттер, 2‑База, 3‑Коллектор |
| Комплементарный транзистор: | KSA733 (PNP) |
Детальные технические параметры
- Предельные параметры (TA=25°C): VCBO=60 В; VCEO=50 В; VEBO=5 В; IC=150 мА; TJ=150°C; TSTG=−55…+150°C.
- Тепловые параметры: PD=250 мВт; RθJA≈500 °C/Вт; дерейтинг 2.0 мВт/°C свыше 25°C (условие: FR‑4 плата ~76×114×1.57 мм, минимальный лендпаттерн).
- Распиновка и варианты: стандарт — 1‑E, 2‑B, 3‑C; суффикс “‑C” означает центральный коллектор — 1‑E, 2‑C, 3‑B.
- Корпусы и чертежи: TO‑92‑3 Case 135AN; TO‑92‑3 LF Case 135AR (см. Mechanical Case Outline).
- Маркировка: код устройства «C945Y», дата‑код YWW (см. Marking Diagram).
Основные области применения
- Усилители звуковых частот (предварительные каскады, малосигнальные ступени).
- Высокочастотные генераторы/осцилляторы.
- Общее малосигнальное усиление и коммутация в бытовой электронике.
Совместимые обозначения и альтернативы
Вопросы-ответы (FAQ)
Стандартная: 1‑Эмиттер, 2‑База, 3‑Коллектор. Вариант с суффиксом «‑C» имеет центральный коллектор: 1‑Эмиттер, 2‑Коллектор, 3‑База.
VCEO=50 В, VCBO=60 В, VEBO=5 В; максимальный коллекторный ток IC=150 мА (TA=25°C).
Да. В спецификации прямо указано применение как аудиочастотный усилитель и ВЧ‑осциллятор; низкий NF и fT 300 МГц способствуют качественному усилению слабых сигналов.
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.