


Малосигнальный PNP BJT в компактном SOT‑23 для усиления и коммутации общего назначения. Ключевые параметры по даташиту: VCEO до −25 В, IC до −500 мА.
Допускает IC до −500 мА, что подходит для нагрузок средней мощности в SMD-узлах.
VCE(sat) до −0.6 В при IC=−500 мА, IB=−50 мА — меньшие потери в ключевых режимах.
hFE 120–400 (классы L/H/J) для стабильного усиления в разных режимах.
fT ≈ 150 МГц — пригоден для высокочастотных каскадов и быстрого переключения.
Тип: | Биполярный транзистор PNP (кремниевый, эпитаксиальный, планарный) |
---|---|
Корпус: | SOT‑23 |
VCEO (макс.): | −25 В |
VCBO (макс.): | −40 В |
VEBO (макс.): | −5 В |
IC (макс.): | −500 мА |
Рассеиваемая мощность, Pd: | 300 мВт (Ta=25°C) |
hFE (диапазон): | 120–400 при VCE=−1 В, IC=−50 мА |
VCE(sat) (макс.): | −0.6 В при IC=−500 мА, IB=−50 мА |
VBE(sat) (макс.): | −1.2 В при IC=−500 мА, IB=−50 мА |
fT (тип.): | 150 МГц (VCE=−6 В, IC=−20 мА, f=30 МГц) |
Cob (тип.): | 5 пФ (VCB=−10 В, f=1 МГц) |
Tj / Tstg: | −55…+150 °C |
Комплементарный транзистор: | S9013 (NPN) |
По даташиту VCEO составляет −25 В; превышать нельзя, даже если VCBO равен −40 В.
hFE=120–400 при VCE=−1 В и IC=−50 мА; выделены классы L (120–200), H (200–350), J (300–400).
Допустимая рассеиваемая мощность 300 мВт (Ta=25°C); рабочая/хранение: −55…+150 °C.
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.