Транзистор биполярный SMD S9012 2T1 (40V 0.5A) корпус SOT-23
S9012 2T1 PNP транзистор SOT-23
Малосигнальный PNP BJT в компактном SOT‑23 для усиления и коммутации общего назначения. Ключевые параметры по даташиту: VCEO до −25 В, IC до −500 мА.
Основные преимущества
Допускает IC до −500 мА, что подходит для нагрузок средней мощности в SMD-узлах.
VCE(sat) до −0.6 В при IC=−500 мА, IB=−50 мА — меньшие потери в ключевых режимах.
hFE 120–400 (классы L/H/J) для стабильного усиления в разных режимах.
fT ≈ 150 МГц — пригоден для высокочастотных каскадов и быстрого переключения.
Ключевые характеристики
| Тип: | Биполярный транзистор PNP (кремниевый, эпитаксиальный, планарный) |
|---|---|
| Корпус: | SOT‑23 |
| VCEO (макс.): | −25 В |
| VCBO (макс.): | −40 В |
| VEBO (макс.): | −5 В |
| IC (макс.): | −500 мА |
| Рассеиваемая мощность, Pd: | 300 мВт (Ta=25°C) |
| hFE (диапазон): | 120–400 при VCE=−1 В, IC=−50 мА |
| VCE(sat) (макс.): | −0.6 В при IC=−500 мА, IB=−50 мА |
| VBE(sat) (макс.): | −1.2 В при IC=−500 мА, IB=−50 мА |
| fT (тип.): | 150 МГц (VCE=−6 В, IC=−20 мА, f=30 МГц) |
| Cob (тип.): | 5 пФ (VCB=−10 В, f=1 МГц) |
| Tj / Tstg: | −55…+150 °C |
| Комплементарный транзистор: | S9013 (NPN) |
Детальные технические параметры
- Пробивные напряжения (мин.): V(BR)CBO=−40 В (IC=−100 μА, IE=0); V(BR)CEO=−25 В (IC=−1 мА, IB=0); V(BR)EBO=−5 В (IE=−100 μА, IC=0).
- Токи утечки (макс., Ta=25°C): ICBO ≤ 0.1 μА (VCB=−40 В), ICEO ≤ 0.1 μА (VCE=−20 В, IB=0), IEBO ≤ 0.1 μА (VEB=−5 В).
- Классификация усиления hFE(1): L=120–200; H=200–350; J=300–400 (при VCE=−1 В, IC=−50 мА).
- Габариты SOT‑23 (справочно): A=2.85–2.95 мм; B=1.25–1.35 мм; K=2.35–2.45 мм; прочие — по чертежу в даташите.
Основные области применения
- Усиление сигналов общего назначения.
- Коммутационные каскады и драйверы с низкой VCE(sat).
- Комплементарные пары с S9013 (NPN).
Совместимые обозначения и альтернативы
Вопросы-ответы (FAQ)
По даташиту VCEO составляет −25 В; превышать нельзя, даже если VCBO равен −40 В.
hFE=120–400 при VCE=−1 В и IC=−50 мА; выделены классы L (120–200), H (200–350), J (300–400).
Допустимая рассеиваемая мощность 300 мВт (Ta=25°C); рабочая/хранение: −55…+150 °C.
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.