Транзистор биполярный SMD S9012 2T1 (40V 0.5A) корпус SOT-23

Name: Транзистор биполярный SMD S9012 2T1 (40V 0.5A) корпус SOT-23
Brand: Мій Проект
SKU: 5488
Price: 1.50 UAH
Availability: InStock

Страна-производитель: Китай Код товара: 5488

Все о товаре

Описание

Характеристики

Отзывы 0

Вопросы0

Транзистор биполярный SMD S9012 2T1 (40V 0.5A) корпус SOT-23

Есть в наличии

Код товара: 5488

1.50 грн

Нашли дешевле?

Максимальное напряжение:40 V

Максимальный ток:0.5 А

Тип корпуса:SOT-23

-Полярность-:PNP

Доставка

Новой почтой в отделения и почтоматы

от 80 ₴

ROZETKA Delivery

Фиксировано 49 грн

Укрпочтой в отделение по Украине

от 45 ₴

Meest Почта

от 49 ₴

Оплата

Оплата картой

Перевод на карточку

Оплата на IBAN

Безналичный расчет

Наложенный платеж

Гарантийные положения

Гарантийные обязательства на товары, которые были паяные, не распространяются

Транзистор биполярный SMD S9012 2T1 (40V 0.5A) корпус SOT-23

Код товара: 5488

1.50 грн

Описание

S9012 2T1 PNP транзистор SOT-23

Малосигнальный PNP BJT в компактном SOT‑23 для усиления и коммутации общего назначения. Ключевые параметры по даташиту: VCEO до −25 В, IC до −500 мА.

Основные преимущества

Высокий ток коллектора

Допускает IC до −500 мА, что подходит для нагрузок средней мощности в SMD-узлах.

Низкая насыщенность

VCE(sat) до −0.6 В при IC=−500 мА, IB=−50 мА — меньшие потери в ключевых режимах.

Широкий диапазон усиления

hFE 120–400 (классы L/H/J) для стабильного усиления в разных режимах.

Высокая предельная частота

fT ≈ 150 МГц — пригоден для высокочастотных каскадов и быстрого переключения.

Ключевые характеристики

Тип:	Биполярный транзистор PNP (кремниевый, эпитаксиальный, планарный)
Корпус:	SOT‑23
VCEO (макс.):	−25 В
VCBO (макс.):	−40 В
VEBO (макс.):	−5 В
IC (макс.):	−500 мА
Рассеиваемая мощность, Pd:	300 мВт (Ta=25°C)
hFE (диапазон):	120–400 при VCE=−1 В, IC=−50 мА
VCE(sat) (макс.):	−0.6 В при IC=−500 мА, IB=−50 мА
VBE(sat) (макс.):	−1.2 В при IC=−500 мА, IB=−50 мА
fT (тип.):	150 МГц (VCE=−6 В, IC=−20 мА, f=30 МГц)
Cob (тип.):	5 пФ (VCB=−10 В, f=1 МГц)
Tj / Tstg:	−55…+150 °C
Комплементарный транзистор:	S9013 (NPN)

Детальные технические параметры

Пробивные напряжения (мин.): V(BR)CBO=−40 В (IC=−100 μА, IE=0); V(BR)CEO=−25 В (IC=−1 мА, IB=0); V(BR)EBO=−5 В (IE=−100 μА, IC=0).
Токи утечки (макс., Ta=25°C): ICBO ≤ 0.1 μА (VCB=−40 В), ICEO ≤ 0.1 μА (VCE=−20 В, IB=0), IEBO ≤ 0.1 μА (VEB=−5 В).
Классификация усиления hFE(1): L=120–200; H=200–350; J=300–400 (при VCE=−1 В, IC=−50 мА).
Габариты SOT‑23 (справочно): A=2.85–2.95 мм; B=1.25–1.35 мм; K=2.35–2.45 мм; прочие — по чертежу в даташите.

Примечание: параметры основаны на документации Shenzhen Slkor Micro Semicon Co., Ltd. для S9012. Источник: Slkor Datasheet (PDF).

Основные области применения

Усиление сигналов общего назначения.
Коммутационные каскады и драйверы с низкой VCE(sat).
Комплементарные пары с S9013 (NPN).

Совместимые обозначения и альтернативы

Комплементарный NPN-транзистор: S9013 (согласно даташиту). Подбор возможных альтернатив следует выполнять по соответствию VCEO, IC, hFE и корпусу SOT‑23, сверяясь с даташитами производителей.