Транзистор биполярный SMD 3904 1AM (40V 0.2A) корпус SOT-23
MMBT3904 NPN транзистор SOT-23
Компактный биполярный NPN‑транзистор для общего коммутационного и усилительного применения, разработанный для работы до 40 В и 200 мА в корпусе SOT‑23.
Основные преимущества
Поддерживает напряжение коллектор–эмиттер до 40 В и ток коллектора до 200 мА для широкого диапазона низко- и среднемощных задач.
Типовые времена задержки и нарастания по 35 нс, что подходит для высокоскоростных коммутационных схем.
Коэффициент hFE 100–300 (при VCE=1 В и IC=10 мА) обеспечивает стабильное усиление в малосигнальных каскадах.
Устройство квалифицировано по AEC‑Q101, что свидетельствует о повышенных требованиях к надежности.
Ключевые характеристики
| Тип: | NPN биполярный транзистор (общего назначения/коммутационный) |
|---|---|
| Корпус: | SOT‑23, 2.9 × 1.3 × 1.0 мм; шаг 1.9 мм |
| VCEO (макс.): | 40 В (открытый вывод базы) |
| VCBO (макс.): | 60 В (открытый эмиттер) |
| VEBO (макс.): | 6 В (открытый коллектор) |
| IC (непрерывный, макс.): | 200 мА |
| ICM (пиковый, макс.): | 200 мА |
| IBM (пиковый ток базы, макс.): | 100 мА |
| Ptot (макс.): | 250 мВт при Tamb ≤ 25 °C (FR‑4, стандартный футпринт) |
| Rth(j‑a) (макс.): | 500 К/Вт |
| Tj (макс.): | 150 °C |
| Диапазон температур окружающей среды: | −65…+150 °C |
| hFE (при VCE=1 В, IC=10 мА, 25 °C): | 100 – 300 |
| VCE(sat) (макс.): | 200 мВ при IC=10 мА, IB=1 мА; 300 мВ при IC=50 мА, IB=5 мА |
| VBEsat: | 0.65–0.85 В при IC=10 мА, IB=1 мА; ≤0.95 В при IC=50 мА, IB=5 мА |
| fT (мин.): | 300 МГц (VCE=20 В, IC=10 мА, f=100 МГц) |
| Емкости (макс.): | Cc ≤ 4 пФ (VCB=5 В, f=1 МГц); Ce ≤ 8 пФ (VEB=0.5 В, f=1 МГц) |
| Токи утечки (макс.): | ICBO ≤ 50 нА (VCB=30 В); IEBO ≤ 50 нА (VEB=6 В) |
| Времена переключения (тип.): | td=35 нс, tr=35 нс, ts=200 нс, tf=50 нс (при тип. условиях измерения) |
| Расположение выводов (SOT‑23): | 1 — B (база), 2 — E (эмиттер), 3 — C (коллектор) |
| Маркировка на корпусе (Nexperia): | 7A% (% — код производственной площадки) |
| Комплементарный PNP: | MMBT3906 |
Детальные технические параметры
- Краткие справочные данные: VCEO=40 В, IC=200 мА, hFE=100–300 (VCE=1 В; IC=10 мА; импульс ≤300 мкс; δ≤0.02; 25 °C).
- Предельные значения: VCBO=60 В; VEBO=6 В; Ptot=250 мВт при 25 °C; Tj до 150 °C.
- Низкие насыщения: VCE(sat) до 0.2 В (10 мА/1 мА) и до 0.3 В (50 мА/5 мА).
- Быстродействие: td=35 нс; tr=35 нс; ts=200 нс; tf=50 нс (типовые, по приведенной в даташите тестовой схеме).
- Частота перехода: fT не менее 300 МГц при VCE=20 В и IC=10 мА.
- Емкости переходов: Cc ≤4 пФ; Ce ≤8 пФ при f=1 МГц.
- Выводы и корпус: SOT‑23; 1 — база, 2 — эмиттер, 3 — коллектор; габариты корпуса 2.9×1.3×1.0 мм.
- Маркировка производителя: 7A% (Nexperia; «%» — код площадки).
- Надежность: устройство квалифицировано по AEC‑Q101.
Основные области применения
- Общее коммутационное применение в цифровых и управляющих цепях.
- Малосигнальные усилительные каскады.
Совместимые обозначения и альтернативы
Вопросы и ответы (FAQ)
Максимальное напряжение коллектор–эмиттер VCEO — 40 В, максимальный непрерывный ток коллектора IC — 200 мА (по данным раздела «Limiting values»).
Ptot составляет 250 мВт при температуре окружающей среды ≤25 °C на плате FR‑4 со стандартным футпринтом.
Типовые значения: задержка 35 нс, нарастание 35 нс, хранение 200 нс, спад 50 нс (по приведенной в документе тестовой схеме).
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.