Транзистор A1013 NPN биполярный (1A 160V) корпус ТО-92L
Транзистор A1013 (KSA1013) PNP TO‑92 (Case 135AP/135AM)
PNP эпитаксиальный кремниевый биполярный транзистор для выходных каскадов звукового тракта и вертикальной развертки цветных ТВ, рассчитанный на высокое напряжение и ток.
Основные преимущества
Минимальное напряжение коллектор‑эмиттер VCEO = −160 В обеспечивает работу в высоковольтных узлах.
Непрерывный коллекторный ток IC = −1 А подходит для нагруженных выходных каскадов.
Коэффициент передачи тока 60–320 с группами отбора R/O/Y для согласования усиления.
Типичная граничная частота fT ≈ 50 МГц и малая выходная емкость Cob до 35 пФ способствуют стабильной работе.
Ключевые характеристики
| Полярность / тип | PNP, эпитаксиальный кремниевый |
|---|---|
| VCEO (мин.) | −160 В |
| VCBO (макс.) | −160 В |
| VEBO (макс.) | −6 В |
| IC (макс.) | −1 А |
| IB (макс.) | −0.5 А |
| Рассеиваемая мощность PD | 0.9 Вт (при TA = 25°C) |
| Коэффициент hFE | 60–320 (VCE = −5 В, IC = −200 мА) |
| VCE(sat) (макс.) | −1.5 В (IC = −0.5 А, IB = −50 мА) |
| VBE(on) | −0.45…−0.75 В (VCE = −5 В, IC = −5 мА) |
| fT | тип. 50 МГц (мин. 15 МГц) |
| Cob (макс.) | 35 пФ (VCB = −10 В, f = 1 МГц) |
| Тепловое сопротивление RθJA | ≈ 139 °C/Вт (на PCB, см. примечания даташита) |
| Диапазон температур | Хранение: −55…+150°C; TJ = 150°C |
| Корпус | TO‑92‑3, Case 135AP / 135AM |
| Разводка выводов | 1 — Эмиттер; 2 — Коллектор; 3 — База |
| Маркировка на корпусе | A1013 (код устройства) |
Детальные технические параметры
- Абсолютные максимальные значения: VCBO = −160 В; VCEO = −160 В; VEBO = −6 В; IC = −1 А; IB = −0.5 А; TJ = 150°C; TSTG = −55…+150°C.
- Рассеиваемая мощность: PD = 900 мВт при TA = 25°C; дерейтинг 7.2 мВт/°C; RθJA ≈ 139 °C/Вт (FR‑4, 76×114×1.57 мм, минимальная площадь площадок).
- Параметры при TA = 25°C (если не указано иное): hFE = 60…320 при VCE = −5 В, IC = −200 мА; классификации hFE: R (60–120), O (100–200), Y (160–320).
- Насыщение: VCE(sat) ≤ −1.5 В при IC = −500 мА, IB = −50 мА; VBE(sat) типично около −0.2…−0.9 В в зависимости от тока (см. графики).
- VBE(on): −0.45…−0.75 В при VCE = −5 В, IC = −5 мА.
- Частотные параметры: fT мин. 15 МГц, тип. 50 МГц при VCE = −5 В, IC = −200 мА; выходная емкость Cob ≤ 35 пФ при VCB = −10 В, f = 1 МГц.
- Корпус и выводы: TO‑92‑3 (Case 135AP/135AM); выводы 1‑E, 2‑C, 3‑B; маркировка «A1013 YWW» (год/неделя производства).
Основные области применения
- Выход звукового тракта цветных телевизоров.
- Вертикальная развертка цветных телевизоров.
Совместимые обозначения и альтернативы
Вопросы и ответы (FAQ)
PNP. Согласно даташиту onsemi для KSA1013 транзистор является PNP эпитаксиальным кремниевым типом.
1 — Эмиттер, 2 — Коллектор, 3 — База (см. раздел Marking/Pin Assignment в даташите).
Это классификации hFE: R (60–120), O (100–200), Y (160–320); они отличаются только диапазоном усиления пост. тока.
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.