


Мощный NPN транзистор для высокоскоростного коммутирования и преобразователей DC‑DC. Отличается низким VCE(sat) и способностью работать с коллекторным током до 5 А.
VCE(sat) ≤ 0.4 В при IC = 3 А и IB = 0.15 А — меньшие потери мощности и нагрев.
Типовые времена коммутации: ton 0.2 мкс, tstg 1.0 мкс, tf 0.1 мкс — пригоден для быстрых ключевых режимов.
VCEO 80 В, VCBO 100 В — запас по напряжению для силовых узлов и преобразователей.
Коллекторный ток 5 А (импульсный до 8 А) — резерв для пусковых нагрузок.
Тип | NPN, кремниевый, эпитаксиальный (PCT) |
---|---|
VCEO (макс.) | 80 В (IC = 10 мА, IB = 0) |
VCBO (макс.) | 100 В |
VEBO (макс.) | 7 В |
IC (непрерывный) | 5 А |
ICP (импульсный) | 8 А |
IB (макс.) | 1 А |
PC (Tc = 25°C) | 20 Вт |
PC (Ta = 25°C) | 1 Вт |
VCE(sat) (макс.) | 0.4 В @ IC = 3 А, IB = 0.15 А (0.2 В тип.) |
VBE(sat) (макс.) | 1.2 В @ IC = 3 А, IB = 0.15 А |
hFE (ранг Y) | 120…240 @ IC = 1 А, VCE = 1 В |
hFE (IC = 3 А) | ≥ 40 @ VCE = 1 В |
fT (тип.) | 120 МГц @ VCE = 4 В, IC = 1 А |
Cob (тип.) | 80 пФ @ VCB = 10 В, f = 1 МГц |
Времена коммутации (тип.) | ton 0.2 мкс; tstg 1.0 мкс; tf 0.1 мкс |
Tj (макс.) | 150 °C |
Tстг | −55…+150 °C |
Маркировка на корпусе | C3303 |
Масса (тип.) | 0.36 г |
Это ранг hFE: для «Y» диапазон коэффициента передачи тока составляет 120…240 при IC = 1 А и VCE = 1 В.
Максимальное VCE(sat) 0.4 В указано для IC = 3 А и IB = 0.15 А (типичное значение 0.2 В).
Без теплоотвода PC при Ta = 25 °C составляет всего 1 Вт; полная мощность 20 В достигается при Tc = 25 °C при эффективном отводе тепла. Планируйте охлаждение и дерейтинг по температуре.
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.