Tранзистор 2SC3303-Y C3303 SMD 80V 5A NPN корус TO-252
2SC3303‑Y NPN транзистор TO‑252
Мощный NPN транзистор для высокоскоростного коммутирования и преобразователей DC‑DC. Отличается низким VCE(sat) и способностью работать с коллекторным током до 5 А.
Основные преимущества
VCE(sat) ≤ 0.4 В при IC = 3 А и IB = 0.15 А — меньшие потери мощности и нагрев.
Типовые времена коммутации: ton 0.2 мкс, tstg 1.0 мкс, tf 0.1 мкс — пригоден для быстрых ключевых режимов.
VCEO 80 В, VCBO 100 В — запас по напряжению для силовых узлов и преобразователей.
Коллекторный ток 5 А (импульсный до 8 А) — резерв для пусковых нагрузок.
Ключевые характеристики
| Тип | NPN, кремниевый, эпитаксиальный (PCT) |
|---|---|
| VCEO (макс.) | 80 В (IC = 10 мА, IB = 0) |
| VCBO (макс.) | 100 В |
| VEBO (макс.) | 7 В |
| IC (непрерывный) | 5 А |
| ICP (импульсный) | 8 А |
| IB (макс.) | 1 А |
| PC (Tc = 25°C) | 20 Вт |
| PC (Ta = 25°C) | 1 Вт |
| VCE(sat) (макс.) | 0.4 В @ IC = 3 А, IB = 0.15 А (0.2 В тип.) |
| VBE(sat) (макс.) | 1.2 В @ IC = 3 А, IB = 0.15 А |
| hFE (ранг Y) | 120…240 @ IC = 1 А, VCE = 1 В |
| hFE (IC = 3 А) | ≥ 40 @ VCE = 1 В |
| fT (тип.) | 120 МГц @ VCE = 4 В, IC = 1 А |
| Cob (тип.) | 80 пФ @ VCB = 10 В, f = 1 МГц |
| Времена коммутации (тип.) | ton 0.2 мкс; tstg 1.0 мкс; tf 0.1 мкс |
| Tj (макс.) | 150 °C |
| Tстг | −55…+150 °C |
| Маркировка на корпусе | C3303 |
| Масса (тип.) | 0.36 г |
Подробные технические параметры
- Классификация hFE: O = 70…140; Y = 120…240 (данная позиция — ранг Y).
- Предельные токи: IC(DC) 5 А; ICP 8 А (импульсный режим, дерейтинг по температуре корпуса).
- Низкое насыщение: VCE(sat) типично 0.2 В при IC = 3 А, IB = 0.15 А.
- Паразитная емкость коллектора Cob типично 80 пФ (VCB = 10 В, f = 1 МГц) — способствует быстрой коммутации.
- Рекомендованные производителем применения: высокотоковые ключи, преобразователи DC‑DC.
- Предельные токи утечки: ICBO ≤ 1 мкА (VCB = 100 В); IEBO ≤ 1 мкА (VEB = 7 В).
- Допустимая рассеиваемая мощность: 20 Вт при Tc = 25 °C; 1 Вт при Ta = 25 °C.
- Условия пробоя коллектор‑эмиттер: V(BR)CEO = 80 В при IC = 10 мА, IB = 0.
Основные области применения
- Преобразователи DC‑DC и драйверы питания.
- Высокоскоростные силовые ключи в импульсных схемах.
- Коммутация нагрузок общего назначения до 5 А.
Совместимые обозначения и альтернативы
Вопросы-ответы (FAQ)
Это ранг hFE: для «Y» диапазон коэффициента передачи тока составляет 120…240 при IC = 1 А и VCE = 1 В.
Максимальное VCE(sat) 0.4 В указано для IC = 3 А и IB = 0.15 А (типичное значение 0.2 В).
Без теплоотвода PC при Ta = 25 °C составляет всего 1 Вт; полная мощность 20 В достигается при Tc = 25 °C при эффективном отводе тепла. Планируйте охлаждение и дерейтинг по температуре.
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.