Каталог товаров
Клиенту
Тема сайта:
+38 (066) 305-77-25
Наш адрес
Харьков, времено - только доставка Новой Почтой, УкрПочтой, МистЕкспрес, ROZETKA Delivery
Телефоны:
Время работы
  • Пн-Пт: с 9 до 18
  • Сб.: с 10 до 17
  • Вс: с 11 до 16
E-mail
[email protected]
Мы в соцсетях
Перейти в контакты
0 0
Каталог
Главная
Закладки
0
Сравнить
0
Контакты

Транзистор NCE4963 корпус SOP-8

Страна-производитель: Китай Код товара: 5517
0
Все о товаре
Описание
Характеристики
Отзывы 0
Вопросы0
Транзистор NCE4963 корпус SOP-8
Есть в наличии
Код товара: 5517
10.00 грн
Нашли дешевле?
🚚 Відправка в день замовлення при оформленні до 15:00
Максимальное напряжение:20 V
Максимальный ток:7 А
Полярность:N-канальный MOSFET
Тип корпуса:SOP-8
Доставка
Новой почтой в отделения и почтоматы
Новой почтой в отделения и почтоматы
от 80 ₴
ROZETKA Delivery
ROZETKA Delivery
Фиксировано 49 грн
Укрпочтой в отделение по Украине
Укрпочтой в отделение по Украине
от 45 ₴
Meest Express
Meest Express
от 60 ₴
Оплата
Оплата картой Оплата картой
Перевод на карточку Перевод на карточку
Оплата на IBAN Оплата на IBAN
Безналичный расчет Безналичный расчет
Наложенный платеж Наложенный платеж
Гарантийные положения
Гарантийные обязательства на товары, которые были паяные, не распространяются
Транзистор NCE4963 корпус SOP-8
Код товара: 5517
10.00 грн
Описание

NCE4963 MOSFET двухканальный P‑канальный SOP-8

Двухканальный P‑канальный MOSFET в корпусе SOP‑8 с низким RDS(on), рассчитан на коммутацию нагрузок и PWM‑применения при низком напряжении управления (от −2.5 В).

Основные преимущества

Низкое сопротивление канала

RDS(on) типично 21 мОм (макс. 27 мОм) при VGS=−4.5 В и ID=−6.5 А — меньшие потери на проводимость.

Работает от логических уровней

Гарантированное RDS(on) при VGS=−2.5 В (тип. 29 мОм, макс. 39 мОм) для прямого управления от микроконтроллеров.

Высокая токовая способность

Непрерывный ток стока до −7 А, импульсный до −40 А (по условиям даташита).

Быстрое переключение

Типовые времена td(on)/tr/td(off)/tf: 10 нс / 30 нс / 70 нс / 50 нс — подходит для PWM‑применений.

Ключевые характеристики

Тип:Двухканальный P‑канальный MOSFET (enhancement mode, trench)
Класс напряжения VDS:−20 В
Диапазон VGS:±12 В
Ток стока (непрерывный) ID:−7 А
Ток стока (импульсный) IDM:−40 А
RDS(on) @ VGS=−4.5 В, ID=−6.5 А:тип. 21 мОм, макс. 27 мОм
RDS(on) @ VGS=−2.5 В, ID=−5 А:тип. 29 мОм, макс. 39 мОм
Порог VGS(th):−0.6…−1.4 В (тип. −0.8 В)
Полный заряд затвора Qg:тип. 10 нКл
Заряд Qgs / Qgd:тип. 1.5 нКл / 3 нКл
Входная/выходная/обратная емкость Ciss/Coss/Crss:тип. 1210 пФ / 310 пФ / 290 пФ
Времена переключения td(on)/tr/td(off)/tf:тип. 10 нс / 30 нс / 70 нс / 50 нс
Мощность рассеяния Ptot (TA=25°C):3.0 Вт
Тепловое сопротивление RθJA:42 °C/Вт
Диод канала VSD:макс. 1.2 В @ IS=−7 А
Корпус / маркировка:SOP‑8 (SOIC‑8) / «4963»

Подробные технические параметры

  • Технология: trench MOSFET, enhancement mode; работа при VGS от −2.5 В.
  • Два независимых канала: выводы D1/D2, G1/G2, S1/S2; обратные диоды интегрированы.
  • Ограничения по напряжениям/токам: VDS=−20 В, VGS=±12 В, ID=−7 А, IDM=−40 А.
  • Параметры управления: Qg тип. 10 нКл; Ciss/Coss/Crss тип. 1210/310/290 пФ.
  • Скоростные характеристики: td(on) 10 нс, tr 30 нс, td(off) 70 нс, tf 50 нс (типовые значения).
  • Тепловые параметры: Ptot 3.0 Вт (TA=25°C), RθJA 42 °C/Вт; диапазон температур −55…+150°C.
Примечание: параметры основаны на документации Wuxi NCE Power Semiconductor для NCE4963. Источник: Wuxi NCE Power Semiconductor Datasheet (PDF).

Основные области применения

  • Коммутация нагрузки (load switch) в низковольтных системах.
  • PWM‑применения и управление питанием (power management).
  • Приводы маломощных двигателей и периферии.

Совместимые обозначения и альтернативы

Возможные альтернативы той же категории: двухканальные P‑канальные MOSFET на 20 В в SOIC‑8 с низким RDS(on) (например, Vishay Si4943BDY). Перед заменой обязательно сверяйте электрические параметры и разводку выводов по даташитам производителей.

Вопросы‑ответы (FAQ)

Это N‑канальный или P‑канальный транзистор?

NCE4963 — это двухканальный P‑канальный MOSFET (две отдельные P‑канальные структуры в одном SOP‑8).

Подходит ли для управления от логики 2.5 В?

Да. Даташит гарантирует RDS(on) при VGS=−2.5 В (тип. 29 мОм, макс. 39 мОм), что позволяет управление от низковольтной логики с учетом полярности P‑канала.

Какой максимальный ток и напряжение?

Класс напряжения VDS — −20 В; непрерывный ток стока — до −7 А, импульсный — до −40 А (по условиям и тепловым ограничениям из даташита).

Характеристики
Основные
Максимальное напряжение
20 V
Максимальный ток
7 А
Полярность
N-канальный MOSFET
Тип корпуса
SOP-8
Отзывы

Нет отзывов о данном товаре.

Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.

Вопросы и ответы
Добавьте вопрос, и мы ответим в ближайшее время.

Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.

Продовжимо солов'їною?

Оберіть мову