Транзистор NCE4963 корпус SOP-8
NCE4963 MOSFET двухканальный P‑канальный SOP-8
Двухканальный P‑канальный MOSFET в корпусе SOP‑8 с низким RDS(on), рассчитан на коммутацию нагрузок и PWM‑применения при низком напряжении управления (от −2.5 В).
Основные преимущества
RDS(on) типично 21 мОм (макс. 27 мОм) при VGS=−4.5 В и ID=−6.5 А — меньшие потери на проводимость.
Гарантированное RDS(on) при VGS=−2.5 В (тип. 29 мОм, макс. 39 мОм) для прямого управления от микроконтроллеров.
Непрерывный ток стока до −7 А, импульсный до −40 А (по условиям даташита).
Типовые времена td(on)/tr/td(off)/tf: 10 нс / 30 нс / 70 нс / 50 нс — подходит для PWM‑применений.
Ключевые характеристики
| Тип: | Двухканальный P‑канальный MOSFET (enhancement mode, trench) |
|---|---|
| Класс напряжения VDS: | −20 В |
| Диапазон VGS: | ±12 В |
| Ток стока (непрерывный) ID: | −7 А |
| Ток стока (импульсный) IDM: | −40 А |
| RDS(on) @ VGS=−4.5 В, ID=−6.5 А: | тип. 21 мОм, макс. 27 мОм |
| RDS(on) @ VGS=−2.5 В, ID=−5 А: | тип. 29 мОм, макс. 39 мОм |
| Порог VGS(th): | −0.6…−1.4 В (тип. −0.8 В) |
| Полный заряд затвора Qg: | тип. 10 нКл |
| Заряд Qgs / Qgd: | тип. 1.5 нКл / 3 нКл |
| Входная/выходная/обратная емкость Ciss/Coss/Crss: | тип. 1210 пФ / 310 пФ / 290 пФ |
| Времена переключения td(on)/tr/td(off)/tf: | тип. 10 нс / 30 нс / 70 нс / 50 нс |
| Мощность рассеяния Ptot (TA=25°C): | 3.0 Вт |
| Тепловое сопротивление RθJA: | 42 °C/Вт |
| Диод канала VSD: | макс. 1.2 В @ IS=−7 А |
| Корпус / маркировка: | SOP‑8 (SOIC‑8) / «4963» |
Подробные технические параметры
- Технология: trench MOSFET, enhancement mode; работа при VGS от −2.5 В.
- Два независимых канала: выводы D1/D2, G1/G2, S1/S2; обратные диоды интегрированы.
- Ограничения по напряжениям/токам: VDS=−20 В, VGS=±12 В, ID=−7 А, IDM=−40 А.
- Параметры управления: Qg тип. 10 нКл; Ciss/Coss/Crss тип. 1210/310/290 пФ.
- Скоростные характеристики: td(on) 10 нс, tr 30 нс, td(off) 70 нс, tf 50 нс (типовые значения).
- Тепловые параметры: Ptot 3.0 Вт (TA=25°C), RθJA 42 °C/Вт; диапазон температур −55…+150°C.
Основные области применения
- Коммутация нагрузки (load switch) в низковольтных системах.
- PWM‑применения и управление питанием (power management).
- Приводы маломощных двигателей и периферии.
Совместимые обозначения и альтернативы
Вопросы‑ответы (FAQ)
NCE4963 — это двухканальный P‑канальный MOSFET (две отдельные P‑канальные структуры в одном SOP‑8).
Да. Даташит гарантирует RDS(on) при VGS=−2.5 В (тип. 29 мОм, макс. 39 мОм), что позволяет управление от низковольтной логики с учетом полярности P‑канала.
Класс напряжения VDS — −20 В; непрерывный ток стока — до −7 А, импульсный — до −40 А (по условиям и тепловым ограничениям из даташита).
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.