Каталог товаров
Клиенту
Тема сайта:
+38 (066) 305-77-25
Наш адрес
Харьков, времено - только доставка Новой Почтой, УкрПочтой, МистЕкспрес, ROZETKA Delivery
Телефоны:
Время работы
  • Пн-Пт: с 9 до 18
  • Сб.: с 10 до 17
  • Вс: с 11 до 16
E-mail
Мы в соцсетях
Перейти в контакты
0 0
Каталог
Главная
Закладки
0
Сравнить
0
Контакты

Модуль инвертора с чистой синусоидой EGS002 на EG8010

Производитель: Китай Код товара: 1502
1
Все о товаре
Описание
Характеристики
Отзывы 1
Вопросы2
FAQ
Инструкция
Рекомендуем
Бестселлер
Модуль инвертора с чистой синусоидой EGS002 на EG8010
Модуль инвертора с чистой синусоидой EGS002 на EG8010
Модуль инвертора с чистой синусоидой EGS002 на EG8010
Модуль инвертора с чистой синусоидой EGS002 на EG8010
Модуль инвертора с чистой синусоидой EGS002 на EG8010
Модуль инвертора с чистой синусоидой EGS002 на EG8010
Модуль инвертора с чистой синусоидой EGS002 на EG8010
Модуль инвертора с чистой синусоидой EGS002 на EG8010
Есть в наличии
Код товара: 1502
239.00 грн
Нашли дешевле?
🚚 Відправка в день замовлення при оформленні до 15:00. Увага!
-Входное напряжение-:5 В
-Рабочая частота-:50/60 Гц
-Чип-:EG8010
-Размеры-:61.5 х 32 мм
-Функции-:Защита от перегрузок, перегрева, короткого замыкания
Доставка
Новой почтой в отделения и почтоматы Новой почтой в отделения и почтоматы
от 80 ₴
ROZETKA Delivery ROZETKA Delivery
Фиксировано 49 грн
Укрпочтой в отделение по Украине Укрпочтой в отделение по Украине
от 45 ₴
Meest Express Meest Express
от 60 ₴
Оплата
Оплата картой Оплата картой
Перевод на карточку Перевод на карточку
Оплата на IBAN Оплата на IBAN
Безналичный расчет Безналичный расчет
Наложенный платеж Наложенный платеж
Гарантийные положения
Гарантийные обязательства на товары, которые были паяные, не распространяются
Модуль инвертора с чистой синусоидой EGS002 на EG8010
239.00 грн
Описание

⚡ EGS002 Модуль Инвертора с Чистой Синусоидой

Профессиональное решение для создания инверторов напряжения на базе чипа EG8010

Общее описание

EGS002 — это высококачественный драйвер-контроллер для построения инверторов напряжения с чистой синусоидой, который существенно упрощает разработку собственных источников бесперебойного питания и преобразователей для солнечных систем. Построенный на базе специализированного чипа EG8010 и мощных драйверов IR2113S, модуль обеспечивает генерацию высокоточной синусоидальной ШИМ (SPWM) с частотой 50/60 Гц и комплексную защиту от перегрузок, перегрева и аномальных напряжений. Готовый к интеграции с силовыми MOSFET/IGBT транзисторами, EGS002 имеет все необходимые обратные связи, индикацию статуса, поддержку LCD-дисплея и функцию управления вентилятором охлаждения. Этот профессиональный модуль — идеальное решение как для опытных инженеров, так и для энтузиастов DIY-электроники, стремящихся создать надежный инвертор высокого качества для аварийного питания, альтернативной энергетики или мобильных приложений.

✅ Технические преимущества:

  • Чистое синусоидальное выходное напряжение – специализированный чип EG8010 генерирует высококачественную синусоидальную ШИМ с частотой несущей 23.4 кГц, что позволяет получить стабильную чистую синусоиду без гармонических искажений для безопасного питания чувствительного электронного оборудования
  • Комплексная защита от аварийных ситуаций – встроенные системы защиты от перенапряжения (OVP), пониженного напряжения (UVP), перегрузки по току (OCP) и перегрева (OTP) с информативной светодиодной диагностикой обеспечивают безопасную и надежную работу инвертора
  • Гибкая настройка параметров – возможность выбора частоты (50/60 Гц), регулирования мёртвого времени (300 нс - 1.5 мкс), активация режима плавного пуска и интеллектуальное управление вентилятором охлаждения позволяют оптимизировать работу инвертора для различных условий эксплуатации
  • Высококачественные драйверы MOSFET/IGBT – интегрированные драйверы IR2113S обеспечивают надежное управление силовыми ключами с выходным током до 2.5А и высокой скоростью переключения, минимизируя потери мощности и повышая эффективность инвертора
  • Поддержка мониторинга параметров – совместимость с LCD-дисплеями (например, LCD3220 128x32) для отображения в реальном времени напряжения, тока, частоты и температуры, что обеспечивает удобный контроль работы инвертора и быструю диагностику проблем

🔧 Идеальное решение для:

Солнечных инверторов

Источников бесперебойного питания

Автомобильных преобразователей

Аварийного электропитания

Альтернативной энергетики

Лабораторных блоков питания

Кемпинговых электростанций

DIY-проектов силовой электроники

💡 Широкие возможности применения:

  • Автономная солнечная электростанция для дома – используя модуль EGS002, вы можете создать собственный инвертор для солнечной системы, преобразующий постоянный ток от солнечных панелей и аккумуляторов в качественное синусоидальное напряжение 220В/50Гц. Благодаря чистой синусоиде на выходе, такой инвертор обеспечит безопасное питание любой бытовой техники, включая чувствительные электронные устройства, насосы с асинхронными двигателями и индуктивные нагрузки. Функция защиты от перегрузки и перегрева гарантирует надежную работу системы даже при длительной эксплуатации с высокой нагрузкой.
  • Портативный инвертор для путешествий и кемпинга – создайте компактный источник 220В переменного тока для питания бытовых приборов от автомобильного аккумулятора или портативной батареи. Благодаря возможности работы от низковольтных источников (12В/24В), модуль EGS002 идеально подходит для использования на удалённых объектах, в путешествиях, на рыбалке или в кемпингах. Поддержка мониторинга через LCD-дисплей позволит контролировать остаток заряда аккумулятора, текущую нагрузку и температуру системы, а встроенная защита от пониженного напряжения (UVP) предотвратит глубокий разряд вашего автомобильного аккумулятора.
  • Источник бесперебойного питания для критического оборудования – создайте надежный ИБП для защиты важных систем от отключения электроэнергии. Модуль EGS002 обеспечивает стабильную синусоиду, которая идеально подходит для питания серверного оборудования, медицинских приборов, систем безопасности и другой чувствительной электроники. Функция плавного пуска предотвращает скачки напряжения при включении инвертора, а оптимизированное мёртвое время минимизирует потери энергии, повышая общую эффективность системы и увеличивая время автономной работы от батарей.
  • Гибридная система для альтернативной энергетики – интегрируйте различные источники возобновляемой энергии, создав гибридную систему на базе инвертора с EGS002. Вы можете комбинировать солнечную, ветровую или гидроэнергию, накапливая энергию в аккумуляторных батареях и преобразуя её в стандартное напряжение 220В/50Гц или 110В/60Гц (настраивается перемычками). Благодаря высококачественным драйверам IR2113S и точной системе SPWM-модуляции, инвертор обеспечит высокий КПД преобразования и минимальные потери мощности, максимизируя полезную отдачу от ваших альтернативных источников энергии.
  • Аварийное электропитание для частного дома – создайте мощный резервный инвертор для критических систем вашего дома на случай отключения электроэнергии. Модуль EGS002 с соответствующе подобранными MOSFET-транзисторами (например, IRF840) и выходным LC-фильтром обеспечивает высокое качество выходного напряжения, подходящее для питания освещения, холодильников, насосов систем отопления, газовых котлов и другого важного оборудования. Система обратных связей (VFB, IFB, TFB) обеспечивает стабильность выходного напряжения даже при переменной нагрузке, а интеллектуальное управление вентилятором оптимизирует охлаждение при высоких нагрузках.

📦 Детальные технические характеристики:

  • Основные компоненты и функциональность:
    • Основной управляющий чип: EG8010 ASIC с SPWM-генератором
    • Драйверы силовых ключей: IR2113S/IR2110 (выходной ток до 2.5A)
    • Выходные каналы: 4x ШИМ (HO1, LO1, HO2, LO2) для H-моста
    • Светодиодная индикация состояния: диагностический красный LED
    • Возможность подключения LCD-дисплея: 128x32 пикселей (например, LCD3220)
  • Электрические параметры:
    • Напряжение питания (логика): +5V DC
    • Напряжение питания (драйверы): +12V DC (10-15V)
    • Частота несущей SPWM: 23.4 кГц
    • Выходная частота синусоиды: 50 Гц / 60 Гц (настраивается перемычками)
    • Уровень сигнала обратной связи VFB: ~3V (пиковое значение)
  • Системы защиты:
    • Защита от перенапряжения (OVP): активация через VFB
    • Защита от пониженного напряжения (UVP): активация через VFB
    • Защита от перегрузки по току (OCP): активация через IFB
    • Защита от перегрева (OTP): активация через TFB
    • Индикация аварий: кодированное мигание светодиода (2-5 вспышек)
  • Настройки и опции:
    • Регулируемое мёртвое время: 300 нс, 500 нс, 1.0 мкс, 1.5 мкс
    • Режим плавного пуска: ~1-3 сек (включается/выключается перемычкой)
    • Интеллектуальное управление вентилятором: пин FANCTR (активация при >45°C)
    • Рекомендуемый датчик температуры: NTC 10 кОм термистор
    • Поддержка мониторинга: V (напряжение), I (ток), F (частота), T (температура)
  • Разъёмы и интерфейсы:
    • Входы питания: +5V, GND, +12V
    • Выходы ШИМ: HO1, LO1, HO2, LO2
    • Обратные связи: VFB (напряжение), IFB (ток), TFB (температура)
    • LCD интерфейс: LCDDI, LCDCLK, LCDEN, LAMP (подсветка)
    • Дополнительные выходы: VS1, VS2 (для бутстреп-конденсаторов драйверов)
  • Перемычки (Jumpers) настройки:
    • JP1/JP5: Выбор частоты (50 Гц или 60 Гц)
    • JP2/JP6: Активация/деактивация плавного пуска
    • JP3, JP4, JP7, JP8: Настройка мёртвого времени
    • JP9: Управление подсветкой LCD (опционально)
  • Физические характеристики и требования:
    • Размеры платы: ~75 x 50 мм (может отличаться в зависимости от версии)
    • Монтажные отверстия: 4 отверстия для крепления (по углам)
    • Рабочая температура: 0°C до +85°C (типово)
    • Необходимые внешние компоненты: MOSFET/IGBT, LC-фильтр, делители напряжения

⚠️ Важные аспекты использования:

  • Выбор правильных силовых транзисторов – для построения эффективного инвертора критически важно правильно подобрать MOSFET или IGBT транзисторы для H-моста. Они должны соответствовать вашему входному напряжению, выходной мощности и частоте переключения. Для типичных применений с выходной мощностью до 1000 Вт и напряжением DC до 400 В хорошо подходят транзисторы IRF840, как показано в исходных материалах. Для больших мощностей рассмотрите IRFP460, IRFP4668 или аналогичные IGBT. Всегда учитывайте параметры VDS(max), ID, RDS(on) и максимальную рассеиваемую мощность. Обязательно обеспечьте должное охлаждение транзисторов с помощью радиаторов.
  • Настройка обратных связей – для стабильной работы инвертора необходимо правильно настроить цепи обратной связи. Для VFB (обратная связь по напряжению) используйте делитель напряжения, чтобы обеспечить на входе VFB сигнал примерно 3В при номинальном выходном напряжении. Для IFB (обратная связь по току) используйте шунт или датчик Холла, сигнал с которого должен соответствовать номинальному току инвертора. Для TFB (обратная связь по температуре) рекомендуется использовать термистор NTC 10 кОм, размещённый на радиаторе силовых транзисторов. Неправильная настройка обратных связей может привести к нестабильной работе или ложному срабатыванию защит.
  • Проектирование выходного LC-фильтра – качество выходной синусоиды во многом зависит от правильно спроектированного LC-фильтра. Для частоты ШИМ 23.4 кГц рекомендуется использовать индуктивность 1-2 мГн и конденсатор 1-4 мкФ (полипропиленовый, рассчитанный на напряжение AC). Выбирайте индуктивность с учётом максимального тока нагрузки, чтобы избежать насыщения сердечника. Конденсаторы должны быть рассчитаны на работу с переменным током высокой частоты (X2 или специальные AC-конденсаторы). При неправильном расчёте фильтра могут возникать искажения выходного напряжения, повышенный нагрев компонентов или даже повреждение системы.
  • Особенности использования высокочастотного трансформатора – для создания инвертора с высоким выходным напряжением (например, 220В AC от 12В DC) можно использовать высокочастотный трансформатор. Это позволяет уменьшить габариты и вес инвертора по сравнению с использованием низкочастотного трансформатора. В этой конфигурации сначала нужно построить повышающий DC-DC преобразователь, чтобы создать высоковольтную DC-шину (обычно 350-400В), а затем использовать EGS002 для формирования синусоиды. При проектировании высокочастотного трансформатора учитывайте потери в сердечнике на высокой частоте и обеспечьте должную изоляцию между первичной и вторичной обмотками.
  • Тестирование и отладка перед подключением нагрузки – перед подключением реальной нагрузки к вашему инвертору проведите комплексное тестирование. Сначала проверьте правильность генерации ШИМ-сигналов, используя осциллограф. Для базового теста модуля EGS002 можно замкнуть пины IFB, VS1, VS2, VFB, TFB на GND и убедиться, что на выходах HO1/LO1/HO2/LO2 появляются меандры (на несколько секунд). После установки всех компонентов и настройки обратных связей, проверьте выходное напряжение без нагрузки, затем с лёгкой резистивной нагрузкой, и только после этого переходите к полноценным тестам с реальным оборудованием. Такой поэтапный подход минимизирует риск повреждения как вашего инвертора, так и подключённых к нему устройств.

Модуль EGS002 — это ваш ключ к созданию профессионального инвертора с чистой синусоидой! Идеальный для солнечных систем, аварийного электропитания и DIY-проектов, он обеспечивает высочайшее качество выходного напряжения и надёжную защиту от аварийных ситуаций. Разработка собственного инвертора никогда не была такой простой — модуль EGS002 уже содержит все необходимые схемы управления и защиты, вам остаётся только добавить силовые компоненты!

ЗАКАЗАТЬ СЕЙЧАС
#EGS002 #ЧистаяСинусоида #Инвертор
Характеристики
-Основные-
-Входное напряжение-
5 В
-Рабочая частота-
50/60 Гц
-Чип-
EG8010
-Дополнительные-
-Размеры-
61.5 х 32 мм
-Функции-
Защита от перегрузок, перегрева, короткого замыкания
Отзывы
Рейтинг товара
5
Отзывов: 1
5
1
4
0
3
0
2
0
1
0
Володимир
17 июня 2024 (17:54)
Вiдмiнне обслуговування , швидка доставка
+
Достоинства товара:

адекватна цiна

Вопросы и ответы
Добавьте вопрос, и мы ответим в ближайшее время.
Віталій
04 апреля (09:24)

Мне нужено 110В 60гц

Ответ:
04 апреля (09:34)
Сам по собі модуль EGS002 не має вбудованих перемичок чи налаштувань для зміни вихідної напруги (наприклад, з 220В на 110В). Ця функція не передбачена на рівні модуля.
Зміна вихідної напруги можлива лише шляхом модифікації зовнішніх компонентів інверторної схеми, а саме – компонентів дільника напруги у ланцюзі зворотного зв'язку по напрузі (VFB), який підключається до відповідного входу модуля.
Віталій
03 апреля (13:02)

Як перейти на частоту 60 Гц

Ответ:
03 апреля (21:50)
Для 50 Гц:

Перемичка JP5 – замкнута (запаяна / встановлений джампер).

Перемичка JP1 – розімкнута (не запаяна / джампер знятий).

Для 60 Гц:

Перемичка JP5 – розімкнута (розпаяти / зняти джампер).

Перемичка JP1 – замкнута (запаяти / встановити джампер).

Ніколи не запаюйте одночасно перемички JP1 та JP5! Це може призвести до некоректної роботи або пошкодження модуля.
Инструкция

⚡ Инструкция по подключению модуля инвертора EGS002

На базе EG8010, для солнечных систем и аварийного питания

Работа с инверторами предполагает наличие высоких напряжений (как постоянного, так и переменного тока), которые опасны для жизни! Будьте предельно осторожны при подключении и тестировании схемы. Используйте изолированные инструменты и всегда отключайте источники питания перед манипуляциями со схемой.

1. Идентификация компонентов и выводов

    flowchart TD
      subgraph EGS002["Модуль инвертора EGS002"]
        direction TB
        
        EG8010["Чип EG8010
(генератор SPWM)"] IR2113["Драйверы IR2113S
(для H-моста)"] LED["Индикатор состояния
(красный LED)"] JP["Перемычки настройки
(джамперы)"] subgraph Pins["Основные контакты"] direction LR Power["Питание
+5V, +12V, GND"] --- Outputs["Выходы ШИМ
HO1, LO1, HO2, LO2"] Outputs --- Feedback["Обратные связи
VFB, IFB, TFB"] Feedback --- VS["VS1, VS2
(Bootstrap)"] VS --- Optional["Опциональные
FANCTR, LCD"] end end classDef mainComp fill:#f96,stroke:#333,stroke-width:2px class EG8010,IR2113 mainComp classDef pinClass fill:#90EE90,stroke:#333,stroke-width:2px class Power,Outputs,Feedback,VS,Optional pinClass

1.1. Основные компоненты модуля

  • EG8010: Специализированный чип (ASIC) для генерации синусоидальной ШИМ (SPWM)
  • IR2113S/IR2110: Драйверы для управления силовыми MOSFET/IGBT транзисторами
  • Светодиод (LED): Индикатор состояния (нормальная работа или индикация ошибок)
  • Перемычки (Jumpers): Для настройки частоты, мёртвого времени и других параметров
  • Контактные площадки/разъёмы: Для подключения внешних компонентов

1.2. Основные выводы модуля

Группа Выводы Назначение
Питание +5V, GND, +12V Питание модуля: +5V для логики, +12V для драйверов
Выходы ШИМ HO1, LO1, HO2, LO2 Сигналы управления затворами силовых транзисторов H-моста
Обратные связи VFB, IFB, TFB Входы для обратной связи: напряжение, ток, температура
Bootstrap VS1, VS2 Выводы для схемы плавающего питания верхних ключей
Дополнительные FANCTR, LCD выводы Управление вентилятором, подключение LCD дисплея

2. Настройка перемычек (джамперов)

    flowchart LR
      JP1["JP1: 60 Гц"]
      JP5["JP5: 50 Гц"]
      JP2["JP2: Плавный пуск"]
      DT["Настройка
мёртвого времени"] subgraph DT direction TB JP3["JP3"] --- JP4["JP4"] JP7["JP7"] --- JP8["JP8"] end classDef freqClass fill:#f96,stroke:#333,stroke-width:2px class JP1,JP5 freqClass classDef dtClass fill:#90EE90,stroke:#333,stroke-width:2px class JP3,JP4,JP7,JP8 dtClass

2.1. Выбор частоты

Выберите одну перемычку для установки выходной частоты:

  • JP5: Замкнуть для 50 Гц (стандарт в России и большинстве стран Европы)
  • JP1: Замкнуть для 60 Гц (стандарт в США и некоторых других странах)
Никогда не замыкайте обе перемычки частоты одновременно! Выберите только одну (JP1 или JP5).

2.2. Плавный пуск

  • JP2: Замкнуть для активации функции плавного пуска (рекомендуется)

2.3. Настройка мёртвого времени

Мёртвое время (dead time) — это задержка между выключением одного транзистора и включением другого в одной стойке H-моста. Это предотвращает сквозной ток.

JP3 JP4 JP7 JP8 Мёртвое время Рекомендация
Замкнуто Разомкнуто Замкнуто Разомкнуто 300 нс Для очень быстрых MOSFET
Разомкнуто Замкнуто Разомкнуто Замкнуто 500 нс Общего назначения
Разомкнуто Разомкнуто Разомкнуто Разомкнуто 1.0 мкс Начальное тестирование
Замкнуто Замкнуто Замкнуто Замкнуто 1.5 мкс Для медленных IGBT
Если вы не уверены, начните с настройки 500 нс или 1.0 мкс. Слишком короткое мёртвое время может привести к сквозному току и повреждению транзисторов, а слишком длинное — к искажению формы выходного сигнала.

3. Схема подключения

    flowchart TB
      Battery["Источник постоянного тока
(аккумулятор, DC)"] EGS002["Модуль EGS002"] Hbridge["H-мост
(4 × MOSFET/IGBT)"] LCfilter["LC-фильтр
(дроссель и конденсатор)"] Output["Выход переменного тока
(220В, 50Гц)"] Feedback["Схемы обратной связи
(напряжение, ток, температура)"] Battery --> Hbridge EGS002 -- "HO1, LO1
HO2, LO2" --> Hbridge Hbridge --> LCfilter LCfilter --> Output Output -- "Делитель напряжения" --> Feedback Feedback -- "VFB, IFB, TFB" --> EGS002 classDef powerClass fill:#f96,stroke:#333,stroke-width:2px class Battery,Output powerClass classDef controlClass fill:#90EE90,stroke:#333,stroke-width:2px class EGS002,Feedback controlClass classDef mosfetClass fill:#e1f5fe,stroke:#333,stroke-width:2px class Hbridge,LCfilter mosfetClass

4. Необходимые внешние компоненты

  1. Источник питания:
    • Аккумулятор или блок питания DC (12В, 24В, 48В и т.д.) достаточной мощности
    • Стабилизированный источник +5V для логических схем модуля
    • Стабилизированный источник +12V (10-15В) для драйверов MOSFET/IGBT
  2. Силовые ключи для H-моста:
    • 4 × силовых MOSFET или IGBT транзистора (например, IRF840, IRFP460, HY4008)
    • Радиаторы для охлаждения транзисторов
    • Затворные резисторы (10-47 Ом) для ограничения тока
  3. Выходной LC-фильтр:
    • Индуктивность (дроссель), рассчитанная на рабочую частоту и мощность
    • Конденсатор(ы) соответствующей ёмкости и рабочего напряжения
  4. Компоненты для обратной связи:
    • Делитель напряжения для VFB (резисторы + потенциометр)
    • Датчик тока для IFB (шунт или датчик Холла) — опционально, но рекомендуется
    • NTC термистор 10 кОм для TFB — опционально, но рекомендуется
  5. Прочие компоненты:
    • Провода соответствующего сечения
    • Предохранители и элементы защиты
    • Опционально: транзистор для управления вентилятором охлаждения
    • Опционально: LCD дисплей (например, 128×32)

5. Пошаговая инструкция по подключению

5.1. Подготовительные настройки

  1. Установите перемычки (джамперы) в соответствии с вашими потребностями:
    • Выберите частоту: JP5 (50 Гц) или JP1 (60 Гц)
    • Активируйте плавный пуск: замкните JP2
    • Установите мёртвое время в зависимости от ваших силовых ключей (начните с 500 нс или 1.0 мкс)

5.2. Подключение питания модуля

  1. Подключите стабилизированный источник +5V к выводу +5V модуля
  2. Подключите стабилизированный источник +12V к выводу +12V модуля
  3. Подключите GND (землю) от обоих источников питания к выводам GND на модуле
Используйте отдельные стабилизаторы напряжения для +5V (логика) и +12V (драйверы). Использование общего источника без должной фильтрации может привести к нестабильной работе.

5.3. Подключение H-моста

  1. Подключите затворы (Gate) силовых транзисторов к соответствующим выходам модуля EGS002:
    • HO1 → Затвор верхнего транзистора первой стойки H-моста (через резистор 10-47 Ом)
    • LO1 → Затвор нижнего транзистора первой стойки H-моста (через резистор 10-47 Ом)
    • HO2 → Затвор верхнего транзистора второй стойки H-моста (через резистор 10-47 Ом)
    • LO2 → Затвор нижнего транзистора второй стойки H-моста (через резистор 10-47 Ом)
  2. Подключите VS1 к точке соединения верхнего и нижнего ключей первой стойки H-моста.
  3. Подключите VS2 к точке соединения верхнего и нижнего ключей второй стойки H-моста.
    flowchart TB
      subgraph HBridge["H-мост"]
        direction TB
        
        subgraph HB1["Первая стойка"]
          direction TB
          Q1["Верхний MOSFET
(Q1)"] Q3["Нижний MOSFET
(Q3)"] Q1 --- VS1Point["VS1"] --- Q3 end subgraph HB2["Вторая стойка"] direction TB Q2["Верхний MOSFET
(Q2)"] Q4["Нижний MOSFET
(Q4)"] Q2 --- VS2Point["VS2"] --- Q4 end HB1 --- Output["Выход AC"] --- HB2 end EGS002["Модуль EGS002"] EGS002 -- "HO1" --> Q1 EGS002 -- "LO1" --> Q3 EGS002 -- "HO2" --> Q2 EGS002 -- "LO2" --> Q4 EGS002 -. "VS1" .-> VS1Point EGS002 -. "VS2" .-> VS2Point
На силовых транзисторах могут быть высокие напряжения! Обеспечьте надлежащую изоляцию всех соединений и убедитесь, что все транзисторы имеют радиаторы соответствующего размера для отвода тепла.

5.4. Подключение обратной связи по напряжению (VFB)

  1. Создайте делитель напряжения для измерения выходного напряжения:
    • Подключите резистор 200-400 кОм к выпрямленному выходному напряжению
    • Последовательно с этим резистором подключите потенциометр 10 кОм
    • Параллельно потенциометру подключите резистор 10 кОм к GND
    • Точку соединения высокоомного резистора и потенциометра подключите к входу VFB модуля
    flowchart LR
      ACOutput["Выход AC
(после фильтра)"] Bridge["Диодный мост
(выпрямитель)"] R1["200-400 кОм"] POT["10 кОм
потенциометр"] R2["10 кОм"] VFB["К входу VFB
модуля EGS002"] ACOutput --> Bridge Bridge --> R1 R1 --> POT POT -- "Точка измерения" --> VFB R2 -- "Параллельно
потенциометру" --> POT R2 --- GND["GND"] classDef acClass fill:#f96,stroke:#333,stroke-width:2px class ACOutput acClass classDef fbClass fill:#90EE90,stroke:#333,stroke-width:2px class VFB fbClass
Делитель напряжения должен снижать выпрямленное выходное напряжение до уровня примерно 3В (пиковое значение) для EGS002. Потенциометр позволяет точно настроить выходное напряжение (220В, 230В и т.д.).

5.5. Подключение обратной связи по току (IFB)

  1. Для защиты от перегрузки по току используйте резистивный шунт или датчик Холла:
    • При использовании шунта: подключите шунт в разрыв силовой цепи, а сигнал с него (через схему усиления) к входу IFB
    • При использовании датчика Холла: выход датчика (через схему обработки, если необходимо) подключите к входу IFB
Обычно чип EG8010 отключает выходы, когда напряжение на входе IFB превышает примерно 0.5В. Убедитесь, что ваша схема измерения тока соответствующе откалибрована.

5.6. Подключение датчика температуры (TFB)

  1. Подключите NTC термистор (рекомендуется 10 кОм при 25°C):
    • Один вывод термистора подключите к входу TFB модуля
    • Другой вывод подключите к GND
    • Физически закрепите термистор на радиаторе силовых транзисторов

5.7. Подключение управления вентилятором (опционально)

  1. Подключите транзистор (например, тип 8050) для управления вентилятором:
    • Базу транзистора подключите к выходу FANCTR через резистор 1-2 кОм
    • Эмиттер транзистора подключите к GND
    • Коллектор подключите к отрицательному выводу вентилятора
    • Положительный вывод вентилятора подключите к источнику питания (обычно +12В)
    flowchart LR
      FANCTR["FANCTR
выход EGS002"] R["1-2 кОм"] T["Транзистор
(8050 или аналог)"] Fan["Вентилятор
охлаждения"] V12["Источник +12В"] FANCTR --> R --> T T ---> GND["GND"] T -- "Коллектор" --> Fan V12 --> Fan classDef fanClass fill:#90EE90,stroke:#333,stroke-width:2px class Fan fanClass
Вентилятор обычно включается, когда температура превышает примерно 45°C, и выключается, когда она опускается ниже примерно 40°C. Это защищает силовые транзисторы от перегрева.

5.8. Подключение LCD дисплея (опционально)

Если вы используете совместимый LCD дисплей (например, 128×32 LCD3220):

  1. Подключите выводы дисплея к соответствующим контактам на модуле:
    • LCDDI (Data In)
    • LCDCLK (Clock)
    • LCDEN (Enable)
    • LAMP (Управление подсветкой, если доступно)
    • +5V и GND для питания дисплея

6. Проверка и тестирование

Перед тестированием убедитесь, что все соединения правильны и надёжны. Неправильное подключение может привести к повреждению компонентов или опасным ситуациям.

6.1. Базовая проверка модуля

  1. Для базовой проверки функциональности модуля (без подключения силовых компонентов):
    • Временно замкните контакты VFB, IFB, TFB, VS1 и VS2 на GND
    • Подайте питание (+5V и +12V) на модуль
    • С помощью осциллографа проверьте наличие сигналов ШИМ на выходах HO1, LO1, HO2 и LO2
    • Вы должны увидеть прямоугольные сигналы с частотой 50/60 Гц (в зависимости от установленной перемычки)
    • После проверки выключите питание и уберите временные замыкания

6.2. Полное тестирование

  1. Убедитесь, что все схемы обратной связи (VFB, IFB, TFB) правильно подключены
  2. Убедитесь, что силовые транзисторы имеют радиаторы и надёжно изолированы
  3. Начните с отключённой нагрузки и сниженного входного напряжения (если возможно)
  4. Включите питание модуля (+5V и +12V)
  5. Включите силовое DC питание для H-моста
  6. С помощью осциллографа проверьте форму напряжения на выходе (после LC-фильтра)
  7. Используйте вольтметр (True RMS) для измерения уровня выходного напряжения
  8. Настройте потенциометр в цепи VFB для достижения желаемого выходного напряжения (220В или другое)
  9. Постепенно подключайте небольшую нагрузку и проверяйте стабильность работы
При первом запуске может потребоваться несколько попыток настройки делителя напряжения для VFB. Начните с меньшего выходного напряжения и постепенно увеличивайте его, контролируя качество сигнала и нагрев компонентов.

7. Индикация ошибок и устранение неисправностей

7.1. Коды ошибок (мигание LED)

Паттерн мигания LED Ошибка Возможная причина
Постоянно горит Нормальная работа Система работает нормально
Мигает 2 раза, пауза Перегрузка по току Короткое замыкание, слишком большая нагрузка
Мигает 3 раза, пауза Перенапряжение Входное напряжение слишком высокое, или проблема с VFB
Мигает 4 раза, пауза Пониженное напряжение Входное напряжение слишком низкое или падает под нагрузкой
Мигает 5 раз, пауза Перегрев Недостаточное охлаждение, слишком большая нагрузка

7.2. Устранение типичных проблем

Проблема Возможная причина Решение
Нет выходного напряжения Проблема с питанием или обратной связью Проверьте питание модуля, обратные связи и состояние перемычек
Нестабильное выходное напряжение Неправильная настройка VFB Проверьте и настройте делитель напряжения для VFB
Быстрый перегрев транзисторов Слишком малое мёртвое время или недостаточное охлаждение Увеличьте мёртвое время или улучшите систему охлаждения
Срабатывает защита от перегрузки Слишком большая нагрузка или неправильная настройка IFB Уменьшите нагрузку или проверьте схему IFB
Искажённая форма выходного сигнала Проблемы с LC-фильтром или слишком большое мёртвое время Проверьте параметры LC-фильтра или уменьшите мёртвое время
Важное замечание: Мы приложили усилия, чтобы эта инструкция была точной и полезной. Однако эта инструкция предоставляется как справочный материал. Работа с высокими напряжениями опасна для жизни и здоровья. Эта информация предоставляется "как есть", без гарантий полноты или безошибочности. Настоятельно рекомендуем проверять спецификации вашего модуля (datasheet), сверяться с другими источниками и, при малейших сомнениях, обращаться к квалифицированным специалистам. Всегда соблюдайте правила электробезопасности при работе с электрическими схемами, особенно теми, что работают с высоким напряжением.

FAQ (частые вопросы)

Рекомендуемые товары