


Высоковольтный биполярный NPN транзистор быстрого коммутационного режима для индуктивных нагрузок, электронных балластов и первичных цепей импульсных источников питания.
Устойчивое напряжение коллектор-эмиттер VCEO 400 В и блокирующая способность до 700 В обеспечивают запас по напряжению в сетевых преобразователях.
Коллекторный ток до 4 А постоянно и до 8 А импульсно подходит для типичных SMPS и балластов.
Типовые времена tf ≈ 0,7 мкс и ts ≈ 4,0 мкс уменьшают динамические потери в высокочастотных режимах.
Встроенный диод между эмиттером и коллектором и рассеиваемая мощность 40 Вт (Tc=25°C), RθJC ≈ 3,125 °C/Вт упрощают проектирование и отвод тепла.
Тип транзистора: | NPN, быстрого коммутационного режима |
---|---|
Корпус: | TO-126 (SOT-32), выводы 1-Base, 2-Collector, 3-Emitter |
VCEO (устойчивая): | 400 В |
VCES / VCBO: | 700 В |
VEBO: | 9 В |
IC (постоянный): | 4 А |
ICP (импульсный): | 8 А |
PC (Tc=25°C): | 40 Вт |
RθJC: | ≈ 3,125 °C/Вт |
fT (типовое): | ≈ 4,0 МГц (IC=0,5 А, VCE=10 В) |
Коммутация (типовые): | tf ≈ 0,7 мкс; ts ≈ 4,0 мкс |
Особенности: | Встроенный диод между эмиттером и коллектором |
VCEO составляет 400 В; предельные VCES/VCBO — 700 В.
До 4 А постоянно (IC) и до 8 А импульсно (ICP) по условиям импульсного теста.
Да, предусмотрен встроенный диод между эмиттером и коллектором. Разводка TO‑126: 1 — Base, 2 — Collector, 3 — Emitter.
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.