


Высоковольтный быстродействующий NPN силовой транзистор для коммутации индуктивных нагрузок и импульсных источников питания (SMPS), пригодный для сетей 115/220 В.
Поддерживает VCEO(sus) 300 В и VCEV до 600 В для работы в высоковольтных преобразователях.
Типовые времена переключения с спадом tf ≤ 0.7 мкс при Ic=1 A обеспечивают эффективную работу в SMPS.
VCE(sat) ≤ 1.0 В при Ic=1 A, IB=0.25 A снижает потери мощности.
Корпус TO-126; RθJC 3.12 °C/Вт, допустимая мощность до 40 Вт (при TC=25 °C).
Тип: | NPN, силовой, быстродействующий |
---|---|
Корпус: | TO-126 |
Разводка выводов (TO-126): | 1 — B (База), 2 — C (Коллектор), 3 — E (Эмиттер) |
VCEO(sus): | 300 В |
VCEV (номин.): | 600 В |
VEBO: | 9 В |
IC (непрерывный): | 1.5 А |
ICM (пиковый): | 3 А |
VCE(sat) (макс.): | 1.0 В @ Ic=1 A, IB=0.25 A |
fT (тип.): | 10 МГц @ Ic=0.1 А, VCE=10 В |
tf (макс.): | 0.7 мкс @ Ic=1 A |
Pd @ TA=25 °C: | 1.4 Вт (дерейтинг 11.2 мВт/°C) |
Pd @ TC=25 °C: | 40 Вт (дерейтинг 320 мВт/°C) |
RθJC / RθJA: | 3.12 °C/Вт / 89 °C/Вт |
Диапазон температур перехода: | −65…+150 °C |
VCEO(sus) составляет 300 В (при Ic=10 мА, IB=0).
В режиме VCEV устройство рассчитано на 600 В, однако это не эквивалент непрерывному VCEO; соблюдайте условия применения из даташита.
1.5 А (пиковый до 3 А при импульсных условиях).
Нет отзывов о данном товаре.
Нет отзывов о данном товаре, станьте первым, оставьте свой отзыв.
Нет вопросов о данном товаре, станьте первым и задайте свой вопрос.